一种评估芯片质量分析模型准确率的方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及一种评估芯片质量分析模型准确率的方法和系统，属于芯片质量评估技术领域，用以解决现有缺乏定量的评估质量分析模型的准确性的方法的问题。方法包括以下步骤：对芯片性能参数对应的电路模块进行热仿真，根据热仿真结果对所述性能参数进行排序得到标准参数序列；根据芯片质量分析模型分析得到的性能参数评分结果生成模型计算序列；计算标准参数序列和模型计算序列的相似度，基于所述相似度评估芯片质量分析模型的准确率。实现了定量的、准确、客观的评估芯片质量分析模型的准确度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种评估芯片质量分析模型准确率的方法和系统


[0001]本专利技术涉及芯片质量评估
，尤其涉及一种评估芯片质量分析模型准确率的方法和系统。

技术介绍

[0002]为了保证芯片的质量，芯片在生产过程中需要经历多轮测试。从各个环节能得到的电性能、性能测试数据、可靠性测试测试数据。在这个过程中会产生大批量的、多维度的测试数据。为了充分挖掘蕴藏在芯片高维测试数据中的质量信息，研究人员需要根据芯片测试数据的特点、测试类别进行数据分析，建立多个芯片质量分析模型，用于芯片缺陷识别和质量分级。针对不同类型的芯片，其质量分析模型也存在着差异，定量评估芯片质量分析模型的准确性变得至关重要。
[0003]现有的芯片质量分析模型结果各不相同，其准确率之间具有差异，现有技术缺乏一种定量的评估方法去评估这个质量分析模型的准确性。

技术实现思路

[0004]鉴于上述的分析，本专利技术实施例旨在提供一种评估芯片质量分析模型准确率的方法和系统，用以解决现有缺乏定量的评估质量分析模型的准确性的方法问题。
[0005]一方面，本专利技术实施例提供了一种评估芯片质量分析模型准确率的方法，包括以下步骤：
[0006]对芯片性能参数对应的电路模块进行热仿真，根据热仿真结果对所述性能参数进行排序得到标准参数序列；
[0007]根据芯片质量分析模型分析得到的性能参数评分结果生成模型计算序列；
[0008]计算标准参数序列和模型计算序列的相似度，基于所述相似度评估芯片质量分析模型的准确率。
[0009]进一步地，所述根据热仿真结果对所述性能参数进行排序得到标准参数序列，包括：
[0010]根据所有电路模块的热仿真最高温度确定温度划分范围,将温度划分范围分为按温度值顺序排列的多个温度区间；
[0011]根据每个电路模块的热仿真最高温度所属的温度区间计算每个电路模块的热仿真面积；
[0012]根据每个电路模块的热仿真最高温度和热仿真面积对电路模块对应的性能参数进行排序得到标准参数序列。
[0013]进一步地，计算温度在所述最高温度所属的温度区间内的电路面积作为所述电路模块的热仿真面积。
[0014]进一步地，根据每个电路模块的热仿真最高温度和热仿真面积对电路模块对应的性能参数进行排序得到标准参数序列，包括：
[0015]根据各电路模块的热仿真最高温度所属温度区间对各电路模块对应的性能参数进行分组；
[0016]根据所述性能参数对应的电路模块的热仿真面积对同一分组内的性能参数进行排序，得到标准参数序列。
[0017]进一步地，采用以下方式计算标准参数序列和模型计算序列的相似度：
[0018]若所述标准参数序列的长度小于等于第一阈值，则根据公式计算标准参数序列和模型计算序列的相似度sim(S,P)，其中n表示序列长度，S
1:i
∩P
1:i
表示标准参数序列和模型计算序列相同元素的个数；
[0019]若所述标准参数序列的长度大于第一阈值，则基于序列权重取标准参数序列和模型计算序列的前d个元素，根据公式计算标准参数序列和模型计算序列的相似度；其中，S表示标准参数序列，P表示模型计算序列，d表示序列深度，p表示权重参数，A
i
表示深度为i时标准参数序列和模型计算序列的一致度。
[0020]进一步地，根据以下方式确定序列深度d和权重参数p：
[0021]计算根据公式计算深度为d时的序列权重W
SIM
(1:d)；
[0022]选取权重参数p大于第二阈值，并且序列权重大于第三阈值时的d值作为权重参数和序列深度，计算标准参数序列和模型计算序列的相似度。
[0023]进一步地，根据芯片质量分析模型分析得到的性能参数评分结果生成模型计算序列，包括：
[0024]获取芯片质量分析模型对性能参数的评分结果，按照故障得分从高到低的顺序进行性能参数排序，得到模型计算序列。
[0025]另一方面，本专利技术实施例提供了一种评估芯片质量分析模型准确率的系统，包括以下模块：
[0026]标准参数序列生成模块，用于对芯片性能参数对应的电路模块进行热仿真，根据热仿真结果对所述性能参数进行排序得到标准参数序列；
[0027]模型计算序列生成模块，用于根据芯片质量分析模型分析得到的性能参数评分结果生成模型计算序列；
[0028]准确率评估模块，用于计算标准参数序列和模型计算序列的相似度，基于所述相似度评估芯片质量分析模型的准确率。
[0029]进一步地，所述标准参数序列生成模块，包括：
[0030]温度区间划分模块，用于根据所有电路模块的热仿真最高温度确定温度划分范围,将温度划分范围分为按温度值顺序排列的多个温度区间；
[0031]热仿真面积计算模块，用于根据每个电路模块的热仿真最高温度所属的温度区间计算每个电路模块的热仿真面积；
[0032]参数排序模块，用于根据每个电路模块的热仿真最高温度和热仿真面积对电路模
块对应的性能参数进行排序得到标准参数序列。
[0033]进一步地，所述准确率评估模块采用以下方式计算标准参数序列和模型计算序列的相似度：
[0034]若所述标准参数序列的长度小于等于第一阈值，则根据公式计算标准参数序列和模型计算序列的相似度sim(S,P)，其中n表示序列长度，S
1:i
∩P
1:i
表示标准参数序列和模型计算序列相同元素的个数；
[0035]若所述标准参数序列的长度大于第一阈值，则基于序列权重取标准参数序列和模型计算序列的前d个元素，根据公式计算标准参数序列和模型计算序列的相似度；其中，S表示标准参数序列，P表示模型计算序列，d表示序列深度，p表示权重参数，A
i
表示深度为i时标准参数序列和模型计算序列的一致度。
[0036]与现有技术相比本专利技术通过采用热仿真构建芯片模型的标准参数序列，根据芯片质量分析模型的分析结果构建模型计算序列，通过标准参数序列和模型计算序列的相似度计算，可定量的、准确客观的评估芯片质量分析模型的准确度。使用序列重叠度对比方法对标准参数序列和实际模型计算序列进行相似度计算，并在对比过程中引入评估深度与权重赋值，在权重赋值过程中可以选取顶部参数长度并赋予较大的权重部分。该序列重叠度对比方法可根据实际序列内容选取序列长度、序列权重，进而计算标准参数序列与模型计算序列的相似度，从而实现快速合理评价芯片质量分析模型的准确性。
[0037]本专利技术中，上述各技术方案之间还可以相互组合，以实现更多的优选组合方案。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分优点可从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过说明书以及附图中所特别指出的内容中来实现和获得。
附图说明
[0038]附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本专利技术的限制，在整个附图中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种评估芯片质量分析模型准确率的方法，其特征在于，包括以下步骤：对芯片性能参数对应的电路模块进行热仿真，根据热仿真结果对所述性能参数进行排序得到标准参数序列；根据芯片质量分析模型分析得到的性能参数评分结果生成模型计算序列；计算标准参数序列和模型计算序列的相似度，基于所述相似度评估芯片质量分析模型的准确率。2.根据权利要求1所述的评估芯片质量分析模型准确率的方法，其特征在于，所述根据热仿真结果对所述性能参数进行排序得到标准参数序列，包括：根据所有电路模块的热仿真最高温度确定温度划分范围,将温度划分范围分为按温度值顺序排列的多个温度区间；根据每个电路模块的热仿真最高温度所属的温度区间计算每个电路模块的热仿真面积；根据每个电路模块的热仿真最高温度和热仿真面积对电路模块对应的性能参数进行排序得到标准参数序列。3.根据权利要求2所述的评估芯片质量分析模型准确率的方法，其特征在于，计算温度在所述最高温度所属的温度区间内的电路面积作为所述电路模块的热仿真面积。4.根据权利要求2所述的评估芯片质量分析模型准确率的方法，其特征在于，根据每个电路模块的热仿真最高温度和热仿真面积对电路模块对应的性能参数进行排序得到标准参数序列，包括：根据各电路模块的热仿真最高温度所属温度区间对各电路模块对应的性能参数进行分组；根据所述性能参数对应的电路模块的热仿真面积对同一分组内的性能参数进行排序，得到标准参数序列。5.根据权利要求1所述的评估芯片质量分析模型准确率的方法，其特征在于，采用以下方式计算标准参数序列和模型计算序列的相似度：若所述标准参数序列的长度小于等于第一阈值，则根据公式计算标准参数序列和模型计算序列的相似度sim(S,P)，其中n表示序列长度，S
1:i
∩P
1:i
表示标准参数序列和模型计算序列相同元素的个数；若所述标准参数序列的长度大于第一阈值，则基于序列权重取标准参数序列和模型计算序列的前d个元素，根据公式计算标准参数序列和模型计算序列的相似度；其中，S表示标准参数序列，P表示模型计算序列，d表示序列深度，p表示权重参数，A
i
表示深度为i时标准参数序列和模型计算序列的一致度。6.根据权利要求5所述的评估芯片质量分析模型准确率的方法，其特征在于，根据以下方式确定序列深度d和权重参数p：计...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盼盼，孙锴，付洁，梁超越，吴旦昱，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：