样品辐射探测装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种样品辐射探测装置，样品辐射探测装置包括：辐射探测部件(1)，包括用于将辐射的射线的粒子能转变为光能的碘化钠晶体(11)和用于将光能转变为电信号的硅光电倍增管(12)；样品承载部件(2)，设在辐射探测部件(1)的下方，样品承载部件(2)被配置成以竖直的转动轴线转动，样品承载部件(2)包括沿转动轴线的周向布置的多个样品安置部(21)，多个样品安置部(21)被配置成随样品承载部件(2)转动至辐射探测部件(1)的检测位置，辐射探测部件(1)采用硅光电倍增管(12)和碘化钠晶体(11)相结合有效地增大了探测精度，可以实现对微量样品进行辐射检测。进行辐射检测。进行辐射检测。

【技术实现步骤摘要】
样品辐射探测装置


[0001]本专利技术涉及辐射检测
，具体而言，涉及一种样品辐射探测装置。

技术介绍

[0002]目前进口矿石辐射探测需要在堆场通过5m
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5m的网格法进行辐射检测，测试人员完全暴露在矿石堆场上，如果采样后再进行检测，传统的辐射仪表无法对几十克微量矿石样品进行探测，探测精度达不到要求，通过对辐射矿石样品能谱分析，辐射矿石能量主要集中在中低能，接近于本底的能谱分布，传统的剂量率测量对微量样品辐射探测形成挑战，传统方式测量精度不够，测量结果不稳定，亟需针对微量样品的高灵敏度辐射探测方案来解决这个问题，通过高灵敏度辐射探测先针对微量样品进行辐射初筛，如辐射异常再使用传统堆场网格法对进口矿石样品辐射进行筛查，形成多层次筛查。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在提供一种样品辐射探测装置，以改善现有技术中针对少量样品测量的方式精度低的问题。
[0004]根据本专利技术实施例的一个方面，本专利技术提供了一种样品辐射探测装置，样品辐射探测装置包括：
[0005]辐射探测部件，包括用于将辐射的射线的粒子能转变为光能的碘化钠晶体和用于将光能转变为电信号的硅光电倍增管；
[0006]样品承载部件，设在辐射探测部件的下方，样品承载部件被配置成以竖直的转动轴线转动，样品承载部件包括沿转动轴线的周向布置的多个样品安置部，多个样品安置部被配置成随样品承载部件转动至辐射探测部件的检测位置。
[0007]在一些实施例中，样品辐射探测装置还包括：
[0008]温度传感器，被配置成检测样品安置部处的温度；
[0009]处理器，与温度传感器和辐射探测部件分别信号连接，以根据样品辐射计数率随温度变化的曲线将辐射探测部件检测到的样品辐射计数率转化为预定温度时的样品辐射计数率、根据本底辐射计数率随温度变化的曲线将辐射探测部件检测到的本底辐射计数率转化为预定温度时的本底辐射计数率以及将预定温度的样品辐射计数率减去预定温度的本底辐射计数率得到数值作为样品的净计数率。
[0010]在一些实施例中，样品承载部件被配置成为高度可调，以调整样品安置部内的样品与辐射探测部件之间的距离。
[0011]在一些实施例中，样品辐射探测装置还包括：
[0012]高度检测部件，被配置成检测样品承载部件的高度；
[0013]驱动部件，被配置成驱动样品承载部件升降；
[0014]处理器，与驱动部件和高度检测部件分别信号连接，以根据高度检测部件反馈的信号调整样品承载部件的高度。
[0015]在一些实施例中，驱动部件包括电机和与电机传动连接的螺纹传动机构。
[0016]在一些实施例中，样品承载部包括样品杯，样品杯为轴向两端均为敞口的环状部件。
[0017]在一些实施例中，样品承载部还包括用于承载样品杯的托盘。
[0018]在一些实施例中，托盘设有朝外凸出的把手。
[0019]应用本申请的技术方案，辐射探测部件采用硅光电倍增管和碘化钠晶体相结合有效地增大了探测精度，可以实现对微量样品进行辐射检测。
[0020]通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的立体结构示意图；
[0023]图2示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的主视结构示意图；
[0024]图3示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的侧视结构示意图；
[0025]图4示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的俯视结构示意图；
[0026]图5示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的辐射探测部件的结构示意图；
[0027]图6示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的样品杯的结构示意图；
[0028]图7示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的样品杯的主视结构示意图；
[0029]图8示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的样品杯的俯视结构示意图；
[0030]图9示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的托盘的立体结构示意图；
[0031]图10示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的托盘的主视结构示意图；
[0032]图11示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的托盘的侧视结构示意图；
[0033]图12示出了本专利技术的实施例的样品辐射探测装置的托盘的俯视结构示意图；以及
[0034]图13示出了实施例的样品辐射探测装置的系统框图。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]结合图1至5所示，本实施例的样品辐射探测装置包括辐射探测部件1和样品承载部件2。
[0037]辐射探测部件1包括用于将辐射的射线的粒子能转变为光能的碘化钠晶体11和用于将光能转变为电信号的硅光电倍增管12。
[0038]样品承载部件2设在辐射探测部件1的下方，样品承载部件2被配置成以竖直的转动轴线转动，样品承载部件2包括沿转动轴线的周向布置的多个样品安置部21，多个样品安置部21被配置成随样品承载部件2转动至辐射探测部件1的检测位置。
[0039]本实施例中，辐射探测部件1采用硅光电倍增管12和碘化钠晶体11相结合有效地增大了探测精度，可以实现对微量样品进行辐射检测。
[0040]在温度
‑
40℃～50℃下，高灵敏度辐射探测部件1测量本底的计数率变化，经测试，温度在
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20℃～40℃之间本底值基本恒定，低于
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20℃或高于40℃，本底值偏差变大，
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40℃～50℃下本底值变化数据作为高灵敏度辐射探测部件1的固有参数。
[0041]在温度
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40℃～50℃下，高灵敏度辐射探测部件1测量辐射矿石样品计数率变化，
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40℃～40℃辐射矿石样品计数率误差基本恒定，高于40℃误差变大，从测试数据看，高温下极低能量射线探测效率下降；
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40℃～50℃下辐射矿石的变化数据作为高灵敏度辐射探测部件1的固有参数。
[0042]样品辐射探测装置还包括温度传感器4和处理器5。温度传感器4被配置成检测样品安本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种样品辐射探测装置，其特征在于，包括：辐射探测部件(1)，包括用于将辐射的射线的粒子能转变为光能的碘化钠晶体(11)和用于将所述光能转变为电信号的硅光电倍增管(12)；样品承载部件(2)，设在所述辐射探测部件(1)的下方，所述样品承载部件(2)被配置成以竖直的转动轴线转动，所述样品承载部件(2)包括沿所述转动轴线的周向布置的多个样品安置部(21)，多个所述样品安置部(21)被配置成随所述样品承载部件(2)转动至所述辐射探测部件(1)的检测位置。2.根据权利要求1所述的样品辐射探测装置，其特征在于，还包括：温度传感器(4)，被配置成检测所述样品安置部(21)处的温度；处理器(5)，与所述温度传感器(4)和所述辐射探测部件(1)分别信号连接，以根据样品辐射计数率随温度变化的曲线将所述辐射探测部件(1)检测到的样品辐射计数率转化为预定温度时的样品辐射计数率、根据本底辐射计数率随温度变化的曲线将辐射探测部件(1)检测到的本底辐射计数率转化为预定温度时的本底辐射计数率以及将预定温度的样品辐射计数率减去预定温度的本底辐射计数率得到数值作为样品的净计数率。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡煜，方凤利，齐飞，孙瑞昌，陈哲，杨博锋，宋铎，
申请(专利权)人：津海威视技术天津有限公司，
类型：新型
国别省市：