晶圆的缺陷模式识别方法、设备及存储介质技术

本公开提供一种晶圆的缺陷模式识别方法、设备及存储介质。其方法包括：读取目标晶圆上缺陷晶片的坐标数据，坐标数据为用于绘制目标晶圆的晶圆图的数据；根据坐标数据的相邻关系确定多个连续缺陷晶片坐标集合，每个连续缺陷晶片坐标集合中的坐标数据与本连续缺陷晶片坐标集合中的至少一个坐标数据相邻，且与其他连续缺陷晶片坐标集合中的其他坐标数据均不相邻；读取目标晶圆上目标区域的坐标数据构成的目标区域坐标集合；获取指定数量的连续缺陷晶片坐标集合分别与目标区域集合的交集；在最大交集中的坐标数据的达到预设标准的情况下，生成缺陷模式识别结果，缺陷模式识别结果用于指示在目标区域存在空间关联的缺陷模式。指示在目标区域存在空间关联的缺陷模式。指示在目标区域存在空间关联的缺陷模式。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的缺陷模式识别方法、设备及存储介质


[0001]本公开涉及芯片测试
，尤其涉及一种晶圆的缺陷模式识别方法、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]晶圆测试（CP测试）是半导体芯片测试的重要测试环节，其测试结果往往以晶圆图（Wafer Map）的形式呈现。晶圆图上的各个DIE（晶片）按颜色标记其测试结果，因此，通过晶圆图可视化呈现了缺陷晶片在晶圆上的位置。
[0003]通常，缺陷晶片在晶圆上呈现出空间位置的依赖性，预示着一些潜在的制程问题和晶圆良率品质问题。缺陷模式（Fail pattern）是缺陷晶片空间位置依赖性的表显，识别晶圆的缺陷模式是良率工程师的重要工作。
[0004]传统的缺陷模式识别方式是人工辨识晶圆图的图片信息，存在识别效率低且识别可靠性较差的问题。另外，传统的缺陷模式识别发生在利用工具生成晶圆图之后，生成的缺陷模式信息难以录入数据库，为测试数据的管理和维护增加了难度。

技术实现思路

[0005]本公开的目的是提供一种晶圆的缺陷模式识别方法、设备及存储介质，以提高缺陷模式的识别效率及可靠性、简化测试数据管理和维护难度。
[0006]根据本公开的一个方面，提供一种晶圆的缺陷模式识别方法，该方法包括：读取目标晶圆上缺陷晶片的坐标数据，该坐标数据为用于绘制目标晶圆的晶圆图的数据；根据坐标数据的相邻关系确定多个连续缺陷晶片坐标集合，每个连续缺陷晶片坐标集合中的坐标数据与本连续缺陷晶片坐标集合中的至少一个坐标数据相邻，且与其他连续缺陷晶片坐标集合中的其他坐标数据均不相邻；读取目标晶圆上目标区域的坐标数据构成的目标区域坐标集合；获取指定数量的连续缺陷晶片坐标集合分别与目标区域集合的交集；在最大交集中的坐标数据的达到预设标准的情况下，生成缺陷模式识别结果，该缺陷模式识别结果用于指示在目标区域存在空间关联的缺陷模式。
[0007]其中，根据坐标数据的相邻关系确定多个连续缺陷晶片坐标集合的一种实现方式可以包括：将每个坐标数据确定为初始连续缺陷晶片坐标集合；计算每两个坐标数据之间的距离，并根据距离判断坐标数据的相邻关系；从初始连续缺陷晶片坐标集合开始，根据坐标数据的相邻关系进行坐标集合合并，直至每个连续缺陷晶片坐标集合中的坐标数据与本连续缺陷晶片坐标集合中的至少一个坐标数据相邻，且与其他连续缺陷晶片坐标集合中的其他坐标数据均不相邻。
[0008]在上述任一方法实施例的基础上，获取指定数量的连续缺陷晶片坐标集合分别与所述目标区域集合的交集的一种可行的实现方式包括：按照集合所包含的坐标数据数量降
序选择N个连续缺陷晶片坐标集合；获取N个连续缺陷晶片坐标集合分别与目标区域集合的交集。
[0009]在上述任一方法实施例的基础上，目标区域可以根据目标制程机台的目标特性确定。
[0010]在上述任一方法实施例的基础上，缺陷晶片的坐标数据可以包括解析CP测试结果获得的坐标数据。
[0011]根据本公开的第二方面，提供一种晶圆的缺陷模式识别方法，该方法包括：读取目标晶圆上缺陷晶片的坐标数据，该坐标数据为用于绘制目标晶圆的晶圆图的数据；根据坐标数据的相邻关系确定多个连续缺陷晶片坐标集合，每个连续缺陷晶片坐标集合中的坐标数据与本连续缺陷晶片坐标集合中的至少一个坐标数据相邻，且与其他连续缺陷晶片坐标集合中的其他坐标数据均不相邻；将部分或全部连续缺陷晶片坐标集合在目标晶圆上的分布识别为连续缺陷模式。
[0012]其中，根据坐标数据的相邻关系确定多个连续缺陷晶片坐标集合的一种实现方式可以包括：将每个坐标数据确定为初始连续缺陷晶片坐标集合；计算每两个坐标数据之间的距离，并根据距离判断坐标数据的相邻关系；从初始连续缺陷晶片坐标集合开始，根据坐标数据的相邻关系进行坐标集合合并，直至每个连续缺陷晶片坐标集合中的坐标数据与本连续缺陷晶片坐标集合中的至少一个坐标数据相邻，且与其他连续缺陷晶片坐标集合中的其他坐标数据均不相邻。
[0013]在第二方面任一实施例的基础上，缺陷晶片的坐标数据可以包括解析CP测试结果获得的坐标数据。
[0014]根据本公开的第三方面，提供一种电子设备，该电子设备包括处理器以及与处理器连接的存储器，在存储器上存储有可被处理器运行的程序，该程序被处理器运行时，实现如下任一方法：读取目标晶圆上缺陷晶片的坐标数据，该坐标数据为用于绘制目标晶圆的晶圆图的数据；根据坐标数据的相邻关系确定多个连续缺陷晶片坐标集合，每个连续缺陷晶片坐标集合中的坐标数据与本连续缺陷晶片坐标集合中的至少一个坐标数据相邻，且与其他连续缺陷晶片坐标集合中的其他坐标数据均不相邻；读取目标晶圆上目标区域的坐标数据构成的目标区域坐标集合；获取指定数量的连续缺陷晶片坐标集合分别与目标区域集合的交集；在最大交集中的坐标数据的达到预设标准的情况下，生成缺陷模式识别结果，该缺陷模式识别结果用于指示在目标区域存在空间关联的缺陷模式；或者，读取目标晶圆上缺陷晶片的坐标数据，该坐标数据为用于绘制目标晶圆的晶圆图的数据；根据坐标数据的相邻关系确定多个连续缺陷晶片坐标集合，每个连续缺陷晶片坐标集合中的坐标数据与本连续缺陷晶片坐标集合中的至少一个坐标数据相邻，且与其他连续缺陷晶片坐标集合中的其他坐标数据均不相邻；将部分或全部连续缺陷晶片坐标集合在目标晶圆上的分布识别为连续缺陷模式。
[0015]其中，根据坐标数据的相邻关系确定多个连续缺陷晶片坐标集合的一种实现方式可以包括：将每个坐标数据确定为初始连续缺陷晶片坐标集合；计算每两个坐标数据之间
的距离，并根据距离判断坐标数据的相邻关系；从初始连续缺陷晶片坐标集合开始，根据坐标数据的相邻关系进行坐标集合合并，直至每个连续缺陷晶片坐标集合中的坐标数据与本连续缺陷晶片坐标集合中的至少一个坐标数据相邻，且与其他连续缺陷晶片坐标集合中的其他坐标数据均不相邻。
[0016]在上述任一电子设备实施例的基础上，获取指定数量的连续缺陷晶片坐标集合分别与所述目标区域集合的交集的一种可行的实现方式包括：按照集合所包含的坐标数据数量降序选择N个连续缺陷晶片坐标集合；获取N个连续缺陷晶片坐标集合分别与目标区域集合的交集。
[0017]在上述任一电子设备实施例的基础上，目标区域可以根据目标制程机台的目标特性确定。
[0018]在上述任一电子设备实施例的基础上，缺陷晶片的坐标数据可以包括解析CP测试结果获得的坐标数据。
[0019]根据本公开的第四方面，提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有第一晶圆的缺陷模式识别程序和/或第二晶圆的缺陷模式识别程序。
[0020]第一晶圆的缺陷模式识别程序被执行时实现如下方法：读取目标晶圆上缺陷晶片的坐标数据，该坐标数据为用于绘制目标晶圆的晶圆图的数据；根据坐标数据的相邻关系确定多个连续缺陷晶片坐标集合，每个连续缺陷晶片坐标集合中的坐标数据与本连续缺陷晶片坐标集合中的至少一个坐标数据相邻，且与其他连续缺陷晶片坐标集合中的其他坐标数据均不相邻；读取目标晶圆上目标区域的坐标数据构成的目标区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的缺陷模式识别方法，包括：读取目标晶圆上缺陷晶片的坐标数据，所述坐标数据为用于绘制所述目标晶圆的晶圆图的数据；根据所述坐标数据的相邻关系确定多个连续缺陷晶片坐标集合，每个连续缺陷晶片坐标集合中的坐标数据与本连续缺陷晶片坐标集合中的至少一个坐标数据相邻，且与其他连续缺陷晶片坐标集合中的其他坐标数据均不相邻；读取所述目标晶圆上目标区域的坐标数据构成的目标区域坐标集合；获取指定数量的连续缺陷晶片坐标集合分别与所述目标区域集合的交集；在最大交集中的坐标数据的达到预设标准的情况下，生成缺陷模式识别结果，所述缺陷模式识别结果用于指示在所述目标区域存在空间关联的缺陷模式。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述根据所述坐标数据的相邻关系确定多个连续缺陷晶片坐标集合，包括：将每个坐标数据确定为初始连续缺陷晶片坐标集合；计算每两个坐标数据之间的距离，并根据距离判断坐标数据的相邻关系；从初始连续缺陷晶片坐标集合开始，根据所述坐标数据的相邻关系进行坐标集合合并，直至每个连续缺陷晶片坐标集合中的坐标数据与本连续缺陷晶片坐标集合中的至少一个坐标数据相邻，且与其他连续缺陷晶片坐标集合中的其他坐标数据均不相邻。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述获取指定数量的连续缺陷晶片坐标集合分别与所述目标区域集合的交集，包括：按照集合所包含的坐标数据数量降序选择N个连续缺陷晶片坐标集合；获取所述N个连续缺陷晶片坐标集合分别与所述目标区域集合的交集。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标区域根据目标制程机台的目标特性确定。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缺陷晶片的坐标数据包括解...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈帅功，
申请(专利权)人：北京象帝先计算技术有限公司，
类型：发明
国别省市：