低压大电流的整流电路及电器设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种低压大电流的整流电路及电器设备，通过采用PMOS管和NMOS管来构成整流电路，并采用驱动单片机来驱动对应的PMOS管和NMOS管，由于PMOS管和NMOS管的导通阻抗比较小，相对于二极管来说，压降会减少很多，进而在PMOS管和NMOS管上消耗的功率比二极管要小的多，因此，在低电压大电流情况下，能够有效的实现整流，且能够提高产品的转换效率以及降低产品的温度，避免现有的封装式整流电路存在的极其容易引发电器设备燃烧的情况。极其容易引发电器设备燃烧的情况。极其容易引发电器设备燃烧的情况。

【技术实现步骤摘要】
低压大电流的整流电路及电器设备


[0001]本技术涉及整流电路
，特别涉及一种低压大电流的整流电路及电器设备。

技术介绍

[0002]目前市面上与电器设备连接的封装式整流电路都是通过二极管来实现的，但在低压大电流的整流时，由于二极管自身的压降较大，不能够有效实现低压大电流的整流，且低压大电流的整流会使得加剧二极管所消耗的功率，降低转换效率，同时会使得封装式整流电路的温度升高，极其容易引发电器设备燃烧的危险。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的是提出一种低压大电流的整流电路及电器设备，旨在解决现有的封装式整流电路内部所采用的二极管不能够有效实现低压大电流的整流的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提出一种低压大电流的整流电路，所述低压大电流的整流电路包括第一驱动单片机、第二驱动单片机、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；
[0005]所述第一驱动单片机的第一引脚接至所述第一PMOS管的栅极，所述第一驱动单片机的第二引脚接在所述第一PMOS管的漏极与第一交流输入端的连接点上，所述第一驱动单片机的第三引脚接至所述第一NMOS管的栅极，所述第一驱动单片机的第四引脚接在所述第一NMOS管的漏极与所述第一交流输入端的连接点上；
[0006]所述第二驱动单片机的第一引脚接至所述第二PMOS管的栅极，所述第二驱动单片机的第二引脚接在所述第二PMOS管的漏极与第二交流输入端的连接点上，所述第二驱动单片机的第三引脚接至所述第二NMOS管的栅极，所述第二驱动单片机的第四引脚接在所述第二NMOS管的漏极与所述第二交流输入端的连接点上；
[0007]所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极接第一直流输出端；
[0008]所述第一驱动单片机的第五引脚经由第一NMOS管的源极和第二NMOS 管的源极接至所述第二驱动单片机的第五引脚上，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极接第二直流输出端。
[0009]可选地，所述第一驱动单片机、第二驱动单片机、第一PMOS管、第二 PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管组成整流模块，两个轨对轨的驱动单片机分别驱动两个PMOS管和两个NMOS管进行相应通断以实现整流。
[0010]可选地，所述低压大电流的整流电路还包括保护模块。
[0011]可选地，所述保护模块包括第一电容、第一二极管、第二二极管和第一电阻；
[0012]所述第一驱动单片机的第六引脚连接至所述第二二极管的正极，所述第二二极管的负极连接至所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端接地；
[0013]所述第一驱动单片机的第七引脚经由第一电容接在所述第一驱动单片机的第六引脚和第二二极管的连接点上，所述第一二极管接在所述第一电容的两端上；
[0014]所述第二驱动单片机的第六引脚接在所述第二二极管的正极上，所述第二驱动单片机的第七引脚与所述第一电容相接。
[0015]可选地，所述低压大电流的整流电路还包括负载模块。
[0016]可选地，所述负载模块包括第三PMOS管、第三NMOS管和第二电阻；
[0017]所述第三PMOS管的源极与所述第一直流输出端相接，所述第三PMOS 管的漏极与所述第二直流输出端相接，所述第三PMOS管的栅极连接至所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端与所述第三NMOS管的漏极相接，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的栅极接入开关信号。
[0018]可选地，所述低压大电流的整流电流还包括第三电阻；
[0019]所述第三电阻的一端经由第一驱动单片机的第八引脚和第二驱动单片机的第八引脚与所述第一直流输出端相连接。
[0020]可选地，所述低压大电流的整流电路还包括第三二极管；
[0021]所述第三二极管和所述第三电阻串联；
[0022]所述第三二极管的正极与所述第三电阻的另一端相接，所述第三二极管的负极与所述保护模块相接。
[0023]可选地，所述低压大电流的整流电路为工艺封装。
[0024]本实施例还提出一种电器设备，所述电器设备包括如上所述低压大电流的整流电路，所述低压大电流的整流电路包括第一驱动单片机、第二驱动单片机、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；
[0025]所述第一驱动单片机的第一引脚接至所述第一PMOS管的栅极，所述第一驱动单片机的第二引脚接在所述第一PMOS管的漏极与第一交流输入端的连接点上，所述第一驱动单片机的第三引脚接至所述第一NMOS管的栅极，所述第一驱动单片机的第四引脚接在所述第一NMOS管的漏极与所述第一交流输入端的连接点上；
[0026]所述第二驱动单片机的第一引脚接至所述第二PMOS管的栅极，所述第二驱动单片机的第二引脚接在所述第二PMOS管的漏极与第二交流输入端的连接点上，所述第二驱动单片机的第三引脚接至所述第二NMOS管的栅极，所述第二驱动单片机的第四引脚接在所述第二NMOS管的漏极与所述第二交流输入端的连接点上；
[0027]所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极接第一直流输出端；
[0028]所述第一驱动单片机的第五引脚经由第一NMOS管的源极和第二NMOS 管的源极接至所述第二驱动单片机的第五引脚上，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极接第二直流输出端。
[0029]本技术技术方案主要通过采用PMOS管和NMOS管来构成整流电路，并采用驱动单片机来驱动对应的PMOS管和NMOS管，由于PMOS管和NMOS 管的导通阻抗比较小，相对于二极管来说，压降会减少很多，进而在PMOS 管和NMOS管上消耗的功率比二极管要小的多，因此，在低电压大电流情况下，能够有效的实现整流，且能够提高产品的转换效率以及降低产品的温度，避免现有的封装式整流电路存在的极其容易引发电器设备燃烧的情况。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0031]图1为本技术低压大电流的整流电路的内部元器件连接示意图；
[0032]图2为本技术低压大电流的整流电路的电流流经路线示意图。
[0033]附图标号说明：
[0034]标号名称U1
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U2驱动单片机PQ1
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PQ3PMOS管NQ1
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NQ3NMOS管C1电容D1
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D3二极管R1
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R3电阻J1
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J2交流输入端J3
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J4直流输出端
[0035]本技术目的的实现、功能特点及可点将结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压大电流的整流电路，其特征在于，所述低压大电流的整流电路包括第一驱动单片机、第二驱动单片机、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一驱动单片机的第一引脚接至所述第一PMOS管的栅极，所述第一驱动单片机的第二引脚接在所述第一PMOS管的漏极与第一交流输入端的连接点上，所述第一驱动单片机的第三引脚接至所述第一NMOS管的栅极，所述第一驱动单片机的第四引脚接在所述第一NMOS管的漏极与所述第一交流输入端的连接点上；所述第二驱动单片机的第一引脚接至所述第二PMOS管的栅极，所述第二驱动单片机的第二引脚接在所述第二PMOS管的漏极与第二交流输入端的连接点上，所述第二驱动单片机的第三引脚接至所述第二NMOS管的栅极，所述第二驱动单片机的第四引脚接在所述第二NMOS管的漏极与所述第二交流输入端的连接点上；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极接第一直流输出端；所述第一驱动单片机的第五引脚经由第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极接至所述第二驱动单片机的第五引脚上，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极接第二直流输出端。2.如权利要求1所述的低压大电流的整流电路，其特征在于，所述第一驱动单片机、第二驱动单片机、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管组成整流模块，两个轨对轨的驱动单片机分别驱动两个PMOS管和两个NMOS管进行相应通断以实现整流。3.如权利要求2所述的低压大电流的整流电路，其特征在于，所述低压大电流的整流电路还包括保护模块。4.如权利要求3所述的低压大电流的整流电路，其特征在于，所述保护模块包括第一电容、第一二极管、第二二极管和第一电阻；所述第一驱动单片...

【专利技术属性】
技术研发人员：周战波，曾学辉，
申请(专利权)人：广东历博智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：