一种真空灭弧室的主屏蔽罩制造技术

本发明专利技术涉及一种真空灭弧室的主屏蔽罩，主屏蔽罩和真空灭弧室的绝缘外壳连接，主屏蔽罩包括主屏蔽罩主体和端部屏蔽，端部屏蔽的数量为两个，两个端部屏蔽分别和主屏蔽罩主体的两端固定连接，两个端部屏蔽罩分别和真空灭弧室的两个绝缘外壳固定连接；主屏蔽罩主体内壁设有若干等间距分布的凹槽；凹槽在竖直方向的投影为圆环结构，凹槽的横截面为圆弧。本发明专利技术提高了主屏蔽罩冷凝金属蒸汽能力，促进真空灭弧室内部热量的消散，提高触头间的介质恢复强度，属于真空灭弧室技术领域。属于真空灭弧室技术领域。属于真空灭弧室技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种真空灭弧室的主屏蔽罩


[0001]本专利技术涉及真空灭弧室
，具体涉及一种真空灭弧室的主屏蔽罩。

技术介绍

[0002]随着电力工业的不断发展及社会对环保要求的提高，真空灭弧室正在向高电压的输配电方向发展，电压等级的提高对真空灭弧室的开断能力提出了更高的要求。现有的真空灭弧室结构设有主屏蔽罩，主屏蔽罩一方面防止触头在燃弧过程中产生大量的金属蒸汽和液滴喷溅，污染绝缘外壳的内壁，避免造成真空灭弧室外壳的绝缘强度下降或产生闪络。另一方面，主屏蔽罩能吸收一部分电弧能量，冷凝电弧生成物，提高了触头间的介质恢复强度。现有的主屏蔽罩其内表面多为平面结构，燃弧过程中产生的金属蒸汽会沉积在主屏蔽罩内壁，进而在内壁形成金属突起，过多的金属突起不利于真空灭弧室的内部绝缘，影响弧后介质恢复过程，不利于真空电弧的开断。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的是提供一种真空灭弧室的主屏蔽罩，其在于解决现有真空灭弧室主屏蔽罩冷凝大量金属蒸汽后形成过多金属突起，造成内部绝缘强度下降的问题。
[0004]为了达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]一种真空灭弧室的主屏蔽罩，主屏蔽罩和真空灭弧室的绝缘外壳连接，主屏蔽罩包括主屏蔽罩主体和端部屏蔽，端部屏蔽的数量为两个，两个端部屏蔽分别和主屏蔽罩主体的两端固定连接，两个端部屏蔽罩分别和真空灭弧室的两个绝缘外壳固定连接；主屏蔽罩主体内壁设有若干等间距分布的凹槽；凹槽在竖直方向的投影为圆环结构，凹槽的横截面为圆弧。r/>[0006]作为一种优选，相邻的两个凹槽之间的连接部分为平面结构。
[0007]作为一种优选，主屏蔽罩主体的外壁设有若干等间距分布的凸条。
[0008]作为一种优选，凸条在竖直方向的投影为圆环结构，凸条的横截面为圆弧。
[0009]作为一种优选，相邻的两个凸条之间的连接部分为向内凹陷的弧形连接部，以凸条和弧形连接部的衔接处为水平轴，凸条和弧形连接部的横截面构成一段正弦波。
[0010]作为一种优选，若干凸条和若干凹槽位置一一对应设置。
[0011]作为一种优选，端部屏蔽包括圆筒和环形衔接部，圆筒的一端和环形衔接部的一端固定连接，环形衔接部的另一端和主屏蔽罩主体的一端固定连接，圆筒和环形衔接部相互垂直，圆筒的另一端沿着绝缘外壳的轴向延伸，两个端部屏蔽的环形衔接部分别和真空灭弧室的两个绝缘外壳固定连接。
[0012]作为一种优选，圆筒的轴线和主屏蔽罩主体的轴线重合。
[0013]作为一种优选，主屏蔽罩主体和端部屏蔽均采用铜制成。
[0014]作为一种优选，主屏蔽罩主体的边沿、圆筒和环形衔接部的边沿均设置倒角。
[0015]总的说来，本专利技术具有如下优点：
[0016]本专利技术提供的真空灭弧室的主屏蔽罩，主屏蔽罩主体的内壁设有凹槽，相比于传统的平面形式，本专利技术提供的真空灭弧室主屏蔽罩更易吸收燃弧过程中产生的金属蒸汽，具有较强的冷凝金属蒸汽的能力；主屏蔽罩主体的外壁呈正弦波的波浪状，具有若干波峰和波谷，增大了主屏蔽罩与空气的接触面积，并且采用散热效果好的铜材料制成，增强了整个真空灭弧室的散热性能；此外，端部屏蔽沿着轴向延伸至绝缘外壳内部，确保主屏蔽罩主体与绝缘外壳的连接处被所述端部屏蔽保护，降低了真空
‑
金属
‑
绝缘介质三结点处的电场强度。
附图说明
[0017]图1是主屏蔽罩和其他真空灭弧室零部件装配成真空灭弧室的剖面图；
[0018]图2是图1中主屏蔽罩A的示意图。
[0019]图中：1、端盖；2、绝缘外壳；3、凸条；4、主屏蔽罩主体；5、端部屏蔽；6、静导电杆；7、静触头；8、动触头；9、动导电杆；10、波纹管；A、主屏蔽罩；11、凹槽；12、弧形连接部。
具体实施方式
[0020]下面将结合具体实施方式来对本专利技术做进一步详细的说明。
[0021]如图1和图2所示，一种真空灭弧室的主屏蔽罩，主屏蔽罩和真空灭弧室的绝缘外壳连接，主屏蔽罩包括主屏蔽罩主体和端部屏蔽，端部屏蔽的数量为两个，两个端部屏蔽分别和主屏蔽罩主体的两端固定连接，两个端部屏蔽罩分别和真空灭弧室的两个绝缘外壳固定连接；主屏蔽罩主体内壁设有若干等间距分布的凹槽；凹槽在竖直方向的投影为圆环结构，凹槽的横截面为圆弧。燃弧过程中会产生大量金属蒸汽，从动触头和静触头之间外扩散，扩散到主屏蔽罩主体的内壁冷凝后形成金属突起，主屏蔽罩主体的内壁凹槽的设置增强了其沉积冷凝的金属颗粒的能力，相比于内壁为平面的现有主屏蔽罩主体结构，内壁设置凹槽的主屏蔽罩主体可以沉积更多金属颗粒。相邻的两个凹槽之间的连接部分为平面结构。
[0022]主屏蔽罩主体的外壁设有若干等间距分布的凸条。
[0023]凸条在竖直方向的投影为圆环结构，凸条的横截面为圆弧。
[0024]相邻的两个凸条之间的连接部分为向内凹陷的弧形连接部，以凸条和弧形连接部的衔接处为水平轴，凸条和弧形连接部的横截面构成一段正弦波。
[0025]若干凸条和若干凹槽位置一一对应设置。
[0026]端部屏蔽包括圆筒和环形衔接部，圆筒的一端和环形衔接部的一端固定连接，环形衔接部的另一端和主屏蔽罩主体的一端固定连接，圆筒和环形衔接部相互垂直，圆筒的另一端沿着绝缘外壳的轴向延伸，两个端部屏蔽的环形衔接部分别和真空灭弧室的两个绝缘外壳固定连接。主屏蔽罩主体与绝缘外壳的连接处被端部屏蔽保护。
[0027]圆筒的轴线和主屏蔽罩主体的轴线重合。
[0028]主屏蔽罩主体和端部屏蔽均采用铜制成。
[0029]主屏蔽罩主体的边沿、圆筒和环形衔接部的边沿均设置倒角。本实施例中，倒角为倒圆角，圆角半径为5mm，用于减小主屏蔽罩主体、圆筒和环形衔接部的各个折弯、边沿的电
场强度。
[0030]本实施例中，真空灭弧室包括端盖、绝缘外壳、静导电杆、静触头、动触头、动导电杆和波纹管，绝缘外壳的数量为两个，两个绝缘外壳分别和本实施例的主屏蔽罩固定连接，端盖的数量为两个，两个端盖分别和两个绝缘外壳的外端固定连接，动导电杆依次穿过端盖和绝缘外壳并延伸到主屏蔽罩，动导电杆和端盖滑移连接，静导电杆依次穿过端盖和绝缘外壳并延伸到主屏蔽罩，静导电杆和端盖固定连接，波纹管套在动导电杆的外侧，波纹管和动导电杆滑移连接，静触头和静导电杆固定连接，动触头和动导电杆固定连接。
[0031]上述实施例为本专利技术较佳的实施方式，但本专利技术的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本专利技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空灭弧室的主屏蔽罩，主屏蔽罩和真空灭弧室的绝缘外壳连接，其特征在于：主屏蔽罩包括主屏蔽罩主体和端部屏蔽，端部屏蔽的数量为两个，两个端部屏蔽分别和主屏蔽罩主体的两端固定连接，两个端部屏蔽罩分别和真空灭弧室的两个绝缘外壳固定连接；主屏蔽罩主体内壁设有若干等间距分布的凹槽；凹槽在竖直方向的投影为圆环结构，凹槽的横截面为圆弧。2.按照权利要求1所述的一种真空灭弧室的主屏蔽罩，其特征在于：相邻的两个凹槽之间的连接部分为平面结构。3.按照权利要求2所述的一种真空灭弧室的主屏蔽罩，其特征在于：主屏蔽罩主体的外壁设有若干等间距分布的凸条。4.按照权利要求3所述的一种真空灭弧室的主屏蔽罩，其特征在于：凸条在竖直方向的投影为圆环结构，凸条的横截面为圆弧。5.按照权利要求4所述的一种真空灭弧室的主屏蔽罩，其特征在于：相邻的两个凸条之间的连接部分为向内凹陷的弧形连接部，以凸条和弧形连接部的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊翔，孔令明，苏海博，余霖，黄敬侠，陈俊，
申请(专利权)人：广东电网有限责任公司广州供电局，
类型：发明
国别省市：