制备菌影的方法及其应用技术

本发明专利技术涉及制备细菌菌影的方法，包括通过气体放电形成非热等离子体，以及使用所述非热等离子体处理细菌，其中所述气体为氮气。本发明专利技术还涉及细菌菌影及包含细菌菌影的组合物。明还涉及细菌菌影及包含细菌菌影的组合物。

【技术实现步骤摘要】
制备菌影的方法及其应用


[0001]本专利技术涉及细菌菌影的制备与应用领域。

技术介绍

[0002]细菌菌影指不包含核酸及细胞质等细菌细胞内容物的的细菌空壳，可以通过生物、物理或者化学等方法在细菌的内外膜形成孔道，使其内容物流失来制备。由于细菌菌影含有许多天然免疫刺激因子，可有效激活先天性免疫和适应性免疫。同时，菌影也可作为免疫佐剂和载体协助不同的抗原产生免疫保护作用。因此，通过制备具有完整的细菌细胞膜表面抗原特性的菌影，诱导机体的体液、细胞免疫应答及增强黏膜免疫反应，具有重要意义。
[0003]由于菌影是通过在细菌表面形成跨膜通道将胞质内容物排出来制备的，因此细胞膜和细胞壁的组成直接影响跨膜通道的形成。目前制备菌影的方法主要为基因工程方法和化学方法。其中基因工程方法制备菌影是通过将裂解基因E克隆至表达调控系统，实现裂解基因的调控表达，E蛋白可诱导革兰阴性菌内外膜的融合，从而形成一个特异性跨膜孔道结构，细胞内含物包括核酸和核糖体会从该孔道流失，只剩下一个没有任何内含物的细菌空壳，从而形成革兰氏阴性菌菌影。然而，很多细菌存在显著的限制性遗传屏障，例如，裂解基因E的表达调控系统无法导入菌体或者无法被识别并启动表达，因此难以通过基因工程手段制备菌影。此外，使用化学方法制备菌影将产生试剂残留等问题，不利于医药学领域的应用。因此本领域亟需一种能克服上述现有技术中的不足的制备菌影的方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种利用非热等离子体制备细菌菌影的物理制备方法。具体地，专利技术人发现通过调控气体放电系统的气体种类、气体流量、电压、频率等条件产生具有合适能量的非热等离子体，并将其用于处理处于合适的生长阶段的细菌一段合适的时间，能生成菌影。具体地，非热等离子体的处理能使细菌在其外壳上形成孔道，细菌内容物通过这些孔道流出，从而生成菌影。菌影的生成和/或制备菌影的效率受上述制备条件的影响。例如，能量过低的非热等离子体无法使细菌在其外壳上形成孔道，而能量过高的非热等离子体直接将细菌击碎、无法保有细菌外壳的基本形态。专利技术人通过测试不同条件(例如放电系统的气体种类、气体流速、电压、频率、处理时间、细菌的生长阶段等)的组合，首次发现了通过非热等离子体制备细菌菌影尤其是革兰氏阳性菌菌影的有效方法。
[0005]本专利技术的有益效果包括(1)对细菌具有广泛应用性，不受细菌限制性遗传屏障的影响；(2)没有化学试剂残留的问题，由本专利技术制备的菌影安全无毒，适于医药学领域的应用；(3)操作简单、处理时间短等。进一步地，本专利技术首次实现了乳酸菌菌影的物理方法制备。乳酸菌为益生菌，作为革兰氏阳性菌不含内毒素，能进行兼性厌氧培养，因此尤其适合医药学领域尤其是人体或动物体上的应用。
[0006]本专利技术的制备细菌菌影的方法包括通过气体放电形成非热等离子体，以及使用所
述非热等离子体处理细菌，所述气体优选地为氮气。在一些实施方式中，用于形成非热等离子体的电压为约3500
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约12000伏，优选地为约5000
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约12000伏，更优选地为约6000
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约12000伏，更优选地为约6500
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约12000伏，更优选地为约7000
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约12000伏，更优选地为约7500
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约12000伏，更优选地为约7500
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约11500伏，更优选地为约7500
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约11000伏，更优选地为约7500
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约10500伏，更优选地为约7500
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约10000伏，更优选地为约8000
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约10000伏，更优选地为约8000
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约9500伏。
[0007]在一些实施方式中，用于形成非热等离子体的电流频率为约10000
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约25000赫兹，优选地为约11000
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约25000赫兹，更优选地为约12000
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约25000赫兹，更优选地为约13000
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约25000赫兹，更优选地为约14000
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约25000赫兹，更优选地为约15000
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约25000赫兹，更优选地为约16000
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约25000赫兹，更优选地为约17000
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约25000赫兹，更优选地为约18000
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约25000赫兹，更优选地为约18500
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约25000赫兹，更优选地为约19000
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约25000赫兹，更优选地为约19000
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约24500赫兹，更优选地为约19500
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约24500赫兹，更优选地为约20000
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约24500赫兹，更优选地为约20500
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约24500赫兹，更优选地为约21000
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约24500赫兹，更优选地为约21000
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约24000赫兹，更优选地为约21000
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约23500赫兹，更优选地为约21000
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约23000赫兹。
[0008]在一些实施方式中，用于形成非热等离子体的气体流速为约1
‑
约10升/每分钟，更优选地为约1
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约8升/每分钟，更优选地为约1
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约7升/每分钟，更优选地为约1
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约6升/每分钟，更优选地为约2
‑
约6升/每分钟，更优选地为约2
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约5.5升/每分钟，更优选地为约2
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约5升/每分钟，更优选地为约2
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约4.5升/每分钟，更优选地为约2
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约4升/每分钟，更优选地为约2.5
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约3.5升/每分钟，更优选地为约2.75
‑
约3.25升/每分钟，更优选地为约3升/每分钟。
[0009]在一些实施方式中，待处理的细菌存在于细菌悬浮液中。在一些实施方式中，所述细菌悬浮液的浓度为约1
×
106‑
约1
×
107CFU/ml。
[0010]在一些实施方式中，使用非热等离子体处理细菌的时间为约15
‑
约30秒，更优选地为约15
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约28秒，更优选地为约15
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约25秒，更优选地为约16
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约24秒，更优选地为约17
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约23秒，更优选地为约18
‑
约22秒，更优选地为约19
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约21秒，更优选地为约20秒。
[0011]在一些实施方式中，用于生成菌影的细菌为革兰氏阴性菌或革兰氏阳性菌。在一些实施方式中，用于生成菌影的细菌为革兰氏阳性菌。在一些实施方式中，用于生成菌影的细菌为乳酸菌(Lactobacillales)。在一些实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.制备细菌菌影的方法，包括通过气体放电形成非热等离子体，以及使用所述非热等离子体处理细菌，其中所述气体为氮气。2.权利要求1所述的方法，其中用于形成非热等离子的电压为3500
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12000伏。3.权利要求1或2所述的方法，其中用于形成非热等离子体的电压为8000
‑
10000伏。4.权利要求1
‑
3中任一项所述的方法，其中用于形成非热等离子体的电源频率为12000
‑
25000赫兹。5.权利要求1
‑
4中任一项所述的方法，其中用于形成非热等离子体的电源频率为21000
‑
23000赫兹。6.权利要求1
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5中任一项所述的方法，其中用于形成非热等离子体的气体流速为1
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10升/每分钟。7.权利要求1
‑
6中任一项所述的方法，其中用于形成非热等离子体的气体流速为2
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6升/每分钟。8.权利要求1
‑
7中任一项所述的方法，其中所述细菌存在于细菌悬浮液中，所述细菌悬浮液的浓度为1
×
106‑1...

【专利技术属性】
技术研发人员：于仙忠，程艳玲，华威，祝歆，王晚晴，武双，郑宝，杨晓天，
申请(专利权)人：于仙忠，
类型：发明
国别省市：