一种半导体双面抛光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体双面抛光装置，其包括上磨盘、下磨盘、起片部件、第一升降机构、第二升降机构以及控制器，上磨盘和下磨盘相对设置，当需要对晶圆片进行抛光时，起片部件处于第一状态，第一支撑条位于第一容纳槽内并随下磨盘转动，不会影响晶圆片的下表面抛光，当需要对晶圆片进行抬升清洗时，第二升降机构驱动多个第一支撑条同步上升，从而带动位于支撑位上的晶圆片上升至清洗位置，此时由于多个第一支撑条之间存在间隙，不会影响晶圆片下表面的冲洗，从而无需再单独对晶圆片下表面进行冲洗，可同时对晶圆片的上表面和下表面进行冲洗，冲洗效率高，避免机械类损伤，提高了晶圆的成品率。提高了晶圆的成品率。提高了晶圆的成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体双面抛光装置


[0001]本技术涉及半导体加工
，特别是涉及一种半导体双面抛光装置。

技术介绍

[0002]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。抛光是指利用机械、化学或电化学的作用，使工件表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面的加工方法。是利用抛光工具和磨料颗粒或其他抛光介质对工件表面进行的修饰加工。在半导体技术突飞猛进的当下，人们对晶圆的质量要求越来越高，通常需要对晶圆的两面均进行抛光，在完成抛光加工后，通常需要对晶圆的两个表面进行冲水，以防止任何一面出现药水药引缺陷。
[0003]现有的半导体双面抛光装置在对晶圆的双面进行抛光后，晶圆由于平整度较高，通常会与下磨盘紧密贴合，难以取出，导致晶圆的下表面容易出现药水药引，需要单独再进行下表面的抛光，更容易造成机械类损伤，晶圆的成品率低。部分作业人员会采用起子撬起晶圆后再用真空吸笔取出，但该种方法容易对晶圆的边缘造成损坏。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种半导体双面抛光装置。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供了一种半导体双面抛光装置，其包括：
[0006]上磨盘；
[0007]下磨盘，所述上磨盘和所述下磨盘相对设置，所述下磨盘的顶面设置有多个槽口朝上的第一容纳槽，多个所述第一容纳槽间隔设置；
[0008]起片部件，所述起片部件包括与所述第一容纳槽数量相对且一一对应的第一支撑条，多个所述第一支撑条共同形成有支撑位，用于放置晶圆；
[0009]第一升降机构，与所述上磨盘相连接，用于升降所述上磨盘；
[0010]第二升降机构，与所述起片部件相连接，用于升降所述起片部件；
[0011]控制器，与所述上磨盘、所述下磨盘、所述第一升降机构以及所述第二升降机构均电连接；
[0012]其中，所述起片部件可达到第一状态和第二状态，当所述起片部件处于所述第一状态时，所述第一支撑条位于所述第一容纳槽内，当所述起片部件处于所述第二状态时，所述第一支撑条位于所述第一容纳槽外，所述支撑位位于所述下磨盘的顶面上方。
[0013]在本申请的一些实施例中，任意相邻的两个所述第一容纳槽之间的距离为8
‑
14mm。
[0014]在本申请的一些实施例中，多个所述第一容纳槽沿第一方向均匀排列。
[0015]在本申请的一些实施例中，所述第一容纳槽呈环形，且所述第一容纳槽与所述下磨盘同轴心设置，自所述下磨盘的轴心至其边缘排列的布置的所述第一容纳槽的内径依次
增大。
[0016]在本申请的一些实施例中，所述下磨盘的顶面设置有多个槽口朝上的第二容纳槽，多个所述第二容纳槽间隔设置并沿第二方向均匀排列，所述第二容纳槽与所述第一容纳槽相互交错设置，且二者相连通；
[0017]所述起片部件包括与所述第二容纳槽数量相对且一一对应的第二支撑条，所述第二支撑条与所述第一支撑条交错设置且互相连接，多个所述第一支撑条和所述第二支撑条共同形成有所述支撑位；
[0018]当所述起片部件处于所述第一状态时，所述第二支撑条位于所述第二容纳槽内，当所述起片部件处于所述第二状态时，所述第二支撑条位于所述第二容纳槽外。
[0019]在本申请的一些实施例中，所述起片部件还包括支撑环，所述第一支撑条和所述第二支撑条均设置于所述支撑环上，所述支撑环套设于所述下磨盘外。
[0020]在本申请的一些实施例中，还包括晶圆旋转机构，所述晶圆旋转机构包括旋转驱动装置、齿轮轴、转动架和齿轮环，所述齿轮轴设于所述下磨盘的中心轴线处，所述齿轮环的内壁具有内齿部，所述齿轮环与所述下磨盘的外周壁之间形成有避空位，所述避空位内设有所述支撑环和所述第二升降机构；
[0021]所述转动架设于所述第一容纳槽的上方，所述转动架具有外齿部，所述转动架与所述齿轮轴、所述齿轮环均啮合，所述转动架具有若干个放置孔，所述放置孔用于放置所述晶圆；
[0022]所述旋转驱动装置用于驱动所述齿轮轴转动，所述齿轮轴的转动方向与所述下磨盘的转动方向相反，或，
[0023]所述旋转驱动装置用于驱动所述齿轮环转动，所述齿轮环的转动方向与所述下磨盘的转动方向相反。
[0024]在本申请的一些实施例中，所述第二升降机构包括升降气缸和升降杆，所述升降气缸用于驱动所述升降杆伸入所述避空位内，并顶推所述支撑环。
[0025]在本申请的一些实施例中，还包括喷淋部件，所述喷淋部件包括喷淋管和用于控制所述喷淋管开闭的控制阀，所述喷淋管具有第一喷淋口和第二喷淋口，所述第一喷淋口和所述第二喷淋口上下设置，二者均位于所述下磨盘的顶面上方，所述第一喷淋口朝向下方倾斜设置，所述第二喷淋口朝向上方倾斜设置；
[0026]所述控制阀与所述控制器电连接。
[0027]本技术提供一种半导体双面抛光装置，与现有技术相比，其有益效果在于：
[0028]本技术提供的半导体双面抛光装置包括上磨盘、下磨盘、起片部件、第一升降机构、第二升降机构以及控制器，上磨盘和下磨盘相对设置，下磨盘的顶面设置有多个槽口朝上的第一容纳槽，多个第一容纳槽间隔设置，起片部件包括与第一容纳槽数量相对且一一对应的第一支撑条，多个第一支撑条共同形成有支撑位，用于放置晶圆，第一升降机构与上磨盘相连接，用于升降上磨盘，第二升降机构与起片部件相连接，用于升降起片部件，控制器与上磨盘、下磨盘、第一升降机构以及第二升降机构均电连接；其中，起片部件可达到第一状态和第二状态，当起片部件处于第一状态时，第一支撑条位于第一容纳槽内，当起片部件处于第二状态时，第一支撑条位于第一容纳槽外，支撑位位于下磨盘的顶面上方。基于上述结构，当需要对晶圆片进行抛光时，起片部件处于第一状态，第一支撑条位于第一容纳
槽内并随下磨盘转动，不会影响晶圆片的下表面抛光，当需要对晶圆片进行抬升清洗时，第二升降机构驱动多个第一支撑条同步上升，从而带动位于支撑位上的晶圆片上升至清洗位置，此时由于多个第一支撑条之间存在间隙，不会影响晶圆片下表面的冲洗，从而无需再单独对晶圆片下表面进行冲洗，可同时对晶圆片的上表面和下表面进行冲洗，冲洗效率高，避免机械类损伤，提高了晶圆的成品率。
附图说明
[0029]图1为本技术实施例的半导体双面抛光装置的分体结构示意图；
[0030]图2为图1中A区域的局部示意图；
[0031]图3为本技术实施例的半导体双面抛光装置的俯视示意图；
[0032]图4为图3沿A
‑
A方向的局部剖视示意图；
[0033]图5为本技术实施例的起片部件的俯视示意图；
[0034]图6为本技术另一实施例的起片部件的俯视示意图；
[0035]图7为本技术实施例的半导体双面抛光装置的结构示意图。
[0036]图中：1、上磨盘；2、下磨盘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体双面抛光装置，其特征在于，包括：上磨盘；下磨盘，所述上磨盘和所述下磨盘相对设置，所述下磨盘的顶面设置有多个槽口朝上的第一容纳槽，多个所述第一容纳槽间隔设置；起片部件，所述起片部件包括与所述第一容纳槽数量相对且一一对应的第一支撑条，多个所述第一支撑条共同形成有支撑位，用于放置晶圆；第一升降机构，与所述上磨盘相连接，用于升降所述上磨盘；第二升降机构，与所述起片部件相连接，用于升降所述起片部件；控制器，与所述上磨盘、所述下磨盘、所述第一升降机构以及所述第二升降机构均电连接；其中，所述起片部件可达到第一状态和第二状态，当所述起片部件处于所述第一状态时，所述第一支撑条位于所述第一容纳槽内，当所述起片部件处于所述第二状态时，所述第一支撑条位于所述第一容纳槽外，所述支撑位位于所述下磨盘的顶面上方。2.如权利要求1所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：任意相邻的两个所述第一容纳槽之间的距离为8
‑
14mm。3.如权利要求2所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：多个所述第一容纳槽沿第一方向排列。4.如权利要求2所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：所述第一容纳槽呈环形，且所述第一容纳槽与所述下磨盘同轴心设置，自所述下磨盘的轴心至其边缘排列的布置的所述第一容纳槽的内径逐渐增大。5.如权利要求3或4所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：所述下磨盘的顶面设置有多个槽口朝上的第二容纳槽，多个所述第二容纳槽间隔设置并沿第二方向，所述第二容纳槽与所述第一容纳槽相互交错设置，且二者相连通；所述起片部件包括与所述第二容纳槽数量相对且一一对应的第二支撑条，所述第二支撑条与所述第一支撑条交错设置且互相连接，多个所述第一支撑条和所述第二支撑条共同形成有所述支撑位；当所述起片部件处于所述第一状态时，所述第二支撑条位于所述第二容纳槽内，当所述起片部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭炳熙，王国超，孙美玉，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：