隔离双向buck-boost型谐振变换器及其控制方法技术

本发明专利技术提供一种隔离双向buck

【技术实现步骤摘要】
隔离双向buck
‑
boost型谐振变换器及其控制方法


[0001]本专利技术属于谐振变换器
，具体涉及到一种隔离双向buck
‑
boost型谐振变换器及其控制方法。

技术介绍

[0002]在能源危机的影响下，电力电子变换器有着高转换效率和高功率密度的需求，谐振变换器因其软开关的能力被广泛应用。然而传统的谐振变换器工作在脉冲频率调制模式，当调压范围较宽时，开关频率也需要宽范围调节，这会增加磁性元件和驱动电路的设计难度。此外，当开关频率等于谐振频率时，变换器会产生较高的环流，并且谐振电流含有较多高次谐波，从而增加绕组损耗降低转换效率。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种隔离双向buck
‑
boost型谐振变换器及其控制方法，以解决现有的谐振变换器转换效率不高的问题。
[0004]基于上述目的，本专利技术实施例提供了一种隔离双向buck
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boost型谐振变换器，包括：输入电容、第一MOS管、第二MOS管、原边母线电容、第三MOS管、第四本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种隔离双向buck
‑
boost型谐振变换器，其特征是，所述隔离双向buck
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boost型谐振变换器包括：输入电容、第一MOS管、第二MOS管、原边母线电容、第三MOS管、第四MOS管、副边母线电容、耦合电感、谐振电容以及输出电容；所述输入电容的第一端与所述第一MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的源极与所述耦合电感的第一端以及所述第二MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的源极与所述原边母线电容的第一端连接，所述耦合电感的第二端与所述输入电容的第二端以及所述原边母线电容的第二端连接，所述耦合电感的第三端通过所述谐振电容与所述第三MOS管的源极以及所述第四MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的漏极通过所述副边母线电容与所述耦合电感的第四端连接，所述输出电容连接在所述第四MOS管的源极与所述耦合电感的第四端之间；所述第一MOS管的栅极和所述第三MOS管的栅极接第一PWM信号，所述第二MOS管的栅极和第四MOS管的栅极接第二PWM信号。2.如权利要求1所述的隔离双向buck
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boost型谐振变换器，其特征是，所述耦合电感包括原边绕组与副边绕组，所述原边绕组的第一端为所述耦合电感的第一端，与所述第一MOS管的源极以及所述第二MOS管的漏极连接，所述原边绕组的第二端为所述耦合电感的第二端，与所述输入电容的第二端连接；所述副边绕组的第一端为耦合电感的第三端，与所述第三MOS管的源极以及所述第四MOS管的漏极连接，所述副边绕组的第二端为耦合电感的第四端，与所述副边母线电容以及所述输出电容连接。3.如权利要求1所述的隔离双向buck
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boost型谐振变换器，其特征是，所述隔离双向buck
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boost型谐振变换器还包括：辅助电感，所述辅助电感的一端与所述第三MOS管的源极以及所述第四MOS管的漏极连接，所述辅助电感的另一端与所述耦合电感的第四端连接。4.如权利要求3所述的隔离双向buck
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boost型谐振变换器，其特征是，所述耦合电感等效为励磁电感、漏感以及理想变压器，所述励磁电感的第一端与所述第一MOS管的源极以及所述第二MOS管的漏极连接，所述励磁电感的第二端与所述输入电容的第二端以及所述原边母线电容的第二端连接，所述理想变压器的第一端与所述励磁电感的第一端连接，所述理想变压器的第二端与所述励磁电感的第二端连接，所述理想变压器的第三端通过所述漏感与所述第三MOS管的源极以及所述第四MOS管的漏极连接，所述理想变压器的第四端通过所述谐振电容与所述副边母线电容以及所述输出电容连接。5.如权利要求4所述的隔离双向buck
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boost型谐振变换器，其特征是，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述输入电容、所述原边母线电容以及所述励磁电感组成...

【专利技术属性】
技术研发人员：席赫，徐菁涛，许国，粟梅，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
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