一种压力传感器芯片及其制备方法和压力传感器技术

本发明专利技术公开了压力传感器芯片，通过衬底上表面形成缓冲层、缓冲层上两次外延形成第一外延层和第二外延层，缓冲层防止衬底被刻蚀的发生。第一外延层和第二外延层形成PN结即阻条，缓冲层上形成第一钝化层、第二外延层之间形成第二钝化层，第一钝化层和第二钝化层隔离PN结的漏电流，金属层与第二外延层形成欧姆接触，使压力传感器芯片具有低阻抗，阻条与金属欧姆接触，提高了压力传感器芯片的工作可靠性。本发明专利技术还提供压力传感器，对纹波片施加压力时，硅油不被压缩，波纹片的位移是线性的，波纹板的位移通过硅油转换成直接影响压力传感器芯片的相同压力以完成压力传递，而传感器的敏感膜片也减少了应力和变形，使线性度和响应灵敏度大大提高。度大大提高。度大大提高。

【技术实现步骤摘要】
一种压力传感器芯片及其制备方法和压力传感器


[0001]本专利技术涉及压力传感器
，具体涉及一种压力传感器芯片及其制备方法和压力传感器。

技术介绍

[0002]传感器是被公众高度认可的最有潜力的先进技术之一，具有广阔的市场空间和强烈的社会需求。硅作为一种半导体材料，得到了广泛应用，在MEMS压力传感器的应用中占据了巨大的市场。然而，市面上基于硅的MEMS压力传感器采用PN结隔离的方式制备，大多工作在室温至125℃，当温度超过125℃时，PN结反向漏电流剧增，导致芯片功能减退甚至失效。目前，压力传感器在特殊环境有潜在应用，如高温、辐射和其他特殊环境，这些工作环境要求通常都超出了成熟的硅技术能力。半导体材料的禁带宽度越宽，适用于制作高温MEMS压力传感器，但由于Si带隙为1.12eV，Si器件的工作温度和辐射容限受到限制，耐腐蚀性和抗侵蚀性有限，使得压力传感器在高温环境下大幅下降，从而影响了压力传感器的检测灵敏度。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供了一种提高PN结漏电的隔离作用、传感器的使用温度范围和灵敏度的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压力传感器芯片，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底，所述衬底下表面设置有开口和位于所述开口下方的玻璃基板；形成在所述衬底上表面的缓冲层，间隔形成在所述缓冲层上的第一导电类型的第一外延层、对应形成在所述第一外延层上的第二导电类型的第二外延层；形成在所述缓冲层上位于所述第二外延层上间隔排列的第一钝化层、形成在所述缓冲层上并位于所述第一钝化层之间的第二钝化层，部分所述第一钝化层和部分所述第二钝化层分别位于所述第二外延层上；形成在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间并位于第二外延层上的第一接触孔、位于所述第二钝化层上的第二接触孔；位于所述第一钝化层上并填充所述第一接触孔的金属层。2.根据权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，所述缓冲层为二氧化硅。3.根据权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于，所述第一外延层和所述第二外延层的厚度相同，所述钝化层为氮化硅。4.一种压力传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上表面形成缓冲层，并在所述缓冲层上形成第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上形成第二导电类型的第二外延层，在所述衬底上表面、下表面形成氧化层并在所述第二外延层上间隔涂覆光刻胶，在未覆盖所述光刻胶的氧化层自所述第二外延层延伸至所述第一外延层进行光刻，去除所述光刻胶和所述衬底上表面的氧化层形成间隔排列的第一外延层和第二外延层；向所述第二外延层和所述缓冲层上沉积一层钝化层，对所述钝化层进行光刻形成间隔排列的第一钝化层和位于所述第一钝化层之间的第二钝化层，沿所述第二外延层对应位置对所述第一钝化层进行光刻形成第一接触孔；向所述第一接触孔内、所述第一钝化层和所述第二钝化层上沉积金属，刻蚀去除所述第二钝化层上的金属形成金属层，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维，廖磊，朱博，唐卫龙，
申请(专利权)人：深圳市希立仪器设备有限公司，
类型：发明
国别省市：