【技术实现步骤摘要】
激光发射装置和激光雷达
[0001]本申请涉及激光雷达领域,具体而言,涉及一种激光发射装置和激光雷达。
技术介绍
[0002]大多数激光雷达应用需要满足的外在环境温度比较苛刻,通常要求做到工业级,即在额定工作温度为
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40℃~85℃范围内稳定工作。雷达发射装置工作时需保持输出光功率和消光比不变或变化幅度不超过设计时所要求的指标范围。激光雷达的发射组件易受温度影响低温工况下,发射组件有时无法启动,导致不发光或启动时间无法满足设计需求,从而影响光传输;高温工况下,发射组件功耗高,产生热量较多,如果不及时散出容易造成烧坏电路,影响雷达测量精度与使用寿命。因此,激光雷达的发射组件在工作时需要将温度控制在合理范围内,既不可太高也不可太低。现有的激光发射装置通常使用两套装置来分别进行散热和加热,以控制激光发射装置的温度。但这样难以在保证散热、加热的效果的情况下兼顾产品的集成度。
技术实现思路
[0003]本申请的目的在于提供一种激光发射装置和激光雷达,其能够对发射组件的温度进行良好的控制,避免出现过热或过冷 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光发射装置,其特征在于,包括基座、半导体制冷器以及发射组件,所述半导体制冷器设置于所述基座,所述发射组件包括电路板和激光器芯片,所述激光器芯片设置于所述电路板的一面,所述电路板的另一面抵接所述半导体制冷器。2.根据权利要求1所述的激光发射装置,其特征在于,所述基座上开设有安装槽,所述半导体制冷器嵌入所述安装槽。3.根据权利要求2所述的激光发射装置,其特征在于,所述半导体制冷器的表面与所述安装槽的开口齐平,所述电路板覆盖所述安装槽并固定连接于所述基座。4.根据权利要求1所述的激光发射装置,其特征在于,所述电路板与所述半导体制冷器之间设置有第一填充介质。5.根据权利要求4所述的激光发射装置,其特征在于,所述第一填充介质为铟片。6.根据权利要求1所述的激光发射装置,其特征在于,所述基座的材质为铜或铜合金。7....
【专利技术属性】
技术研发人员:王亮,疏达,
申请(专利权)人:北醒北京光子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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