反溶剂法制备钙钛矿层的方法及钙钛矿光电器件技术

本发明专利技术公开了一种反溶剂法制备钙钛矿层的方法及钙钛矿光电器件。所述方法包括：提供衬底以及钙钛矿前驱体溶液；在所述衬底表面涂覆反溶剂，形成液膜；在所述液膜上涂覆所述钙钛矿前驱体溶液，并进行退火处理，形成钙钛矿层。所述钙钛矿光电器件包括依次层叠设置的空穴传输层、钙钛矿层以及电子传输层，所述钙钛矿层采用上述方法制得。本发明专利技术所提供的反溶剂法制备钙钛矿层的方法使钙钛矿的结晶先从下表面开始再逐步过渡到上表面，从而避免在钙钛矿层底部形成孔洞，提高了钙钛矿薄膜与衬底的接触性，进而提高了钙钛矿器件的效率及稳定性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
反溶剂法制备钙钛矿层的方法及钙钛矿光电器件


[0001]本专利技术涉及钙钛矿光电器件
，尤其涉及一种反溶剂法制备钙钛矿层的方法及钙钛矿光电器件。

技术介绍

[0002]近些年来，随着研究的不断深入，钙钛矿太阳能电池取得突飞猛进的发展，其实验室中测得的光电转换效率由最初的3.8％增长到25％以上，被誉为“光伏领域的新希望”。
[0003]常见钙钛矿电池结构分为介观结构、介观超结构、平面n
‑
i
‑
p型及平面p
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i
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n型结构等。目前小器件常用的钙钛矿层制备方法分为两步法、一步旋涂法。
[0004]如图1所示，现有技术中的一步旋涂法是指将钙钛矿前驱体溶液旋涂在基片上，后续通过反溶剂或者抽气去除大部分溶剂，钙钛矿晶体析出结晶形成钙钛矿层的制备方法。其中，钙钛矿前驱体溶液常用的溶剂例如可以为N，N
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二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的混合溶剂。
[0005]但本专利技术人发现，采用传统的处理工艺，在去除溶剂过程中，无论是用反溶剂法还是抽气法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反溶剂法制备钙钛矿层的方法，其特征在于，包括：提供衬底以及钙钛矿前驱体溶液；在所述衬底表面涂覆反溶剂，形成液膜；在所述液膜上涂覆所述钙钛矿前驱体溶液，并进行退火处理，形成钙钛矿层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿前驱体溶液的溶剂包括N,N
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二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的任意一种或两种的组合；和/或，所述反溶剂包括氯苯、乙酸乙酯以及乙醚中的任意一种或两种以上的组合。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液膜的厚度为1
‑
2μm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，具体包括：采用旋涂的方法形成液膜后，继续滴加旋涂所述钙钛矿前驱体溶液。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿前驱体包括MAPbI3、FAPbI3、FA
x1
Cs
y1
PbI3、FA
x2
MA
y2
Cs
z
PbI3以及FA
x3
Cs
y3
PbI
m
Br
n
中的任意一种或两种以上的组合，其中，x1+y1＝1，x2+y2+z＝1，x3+y3＝1，m+n＝1。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述旋涂的转速为1500
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35...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱桂，陈加坡，李骏，安扬，袁晨辰，陈伟中，范利生，田清勇，范斌，
申请(专利权)人：昆山协鑫光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：