显示装置制造方法及图纸

一种显示装置，包括：第一遮光层，配置在基板之上；第二遮光层，配置在基板之上，并从第一遮光层向第一方向隔开；有源层，包括配置在第一遮光层之上的第一区域、在第一遮光层和第二遮光层之间配置在基板之上的第二区域以及配置在第一区域和第二区域之间的台阶区域；栅极电极，配置在有源层之上，并与第一区域的一部分重叠；第一电极，配置在栅极电极之上，并至少一部分与第一遮光层重叠；以及第二电极，配置在栅极电极之上，并至少一部分与第二遮光层重叠，并且至少另一部分与有源层的台阶区域重叠。叠。叠。

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]本专利技术涉及显示装置。更详细地，本专利技术涉及包括半导体元件的显示装置。

技术介绍

[0002]显示装置包括多个像素结构物。像素结构物可以包括至少一个包括半导体元件的晶体管。半导体元件可以包括有源层、栅极电极、与有源层接触的第一以及第二电极、绝缘物质等。
[0003]有源层可以包含氧化物半导体。氧化物半导体可以非常易受杂质的影响。例如，氧化物半导体可以被杂质侵蚀或者断线。在该情况下，可能降低显示装置的显示质量。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供显示质量提高的显示装置。
[0005]然而，本专利技术的目的不限于上述的目的，可以在不脱离本专利技术的构思以及领域的范围内进行各种扩展。
[0006]为了达成前述的本专利技术的目的，可以是，根据本专利技术的一实施例的显示装置包括：第一遮光层，配置在基板之上；第二遮光层，配置在所述基板之上，并从所述第一遮光层向第一方向隔开；有源层，包括配置在所述第一遮光层之上的第一区域、在所述第一遮光层和所述第二遮光层之间配置在所述基板之上的第二区域以及配置在所述第一区域和所述第二区域之间的台阶区域；栅极电极，配置在所述有源层之上，并与所述第一区域的一部分重叠；第一电极，配置在所述栅极电极之上，并至少一部分与所述第一遮光层重叠；以及第二电极，配置在所述栅极电极之上，并至少一部分与所述第二遮光层重叠，并且至少另一部分与所述有源层的所述台阶区域重叠。
[0007]在一实施例中，可以是，所述有源层在所述台阶区域中具有台阶，所述台阶与所述基板和所述第一遮光层之间的边界重叠。
[0008]在一实施例中，可以是，显示装置还包括：第一绝缘层，配置在所述第一遮光层和所述有源层之间，并覆盖所述第一遮光层以及所述第二遮光层；栅极绝缘层，配置在所述有源层和所述栅极电极之间；以及第二绝缘层，配置在所述栅极电极和所述第一电极之间，并覆盖所述栅极电极、所述栅极绝缘层以及所述有源层。
[0009]在一实施例中，可以是，所述第一电极通过贯穿所述第二绝缘层并使所述第一区域的上面暴露的第一贯通孔与所述第一区域接触，所述第二电极通过贯穿所述第二绝缘层并使所述第二区域的上面暴露的第二贯通孔与所述第二区域接触，并通过贯穿所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层并使所述第二遮光层的上面暴露的第三贯通孔与所述第二遮光层接触。
[0010]在一实施例中，可以是，所述有源层包含氧化物半导体。
[0011]在一实施例中，可以是，所述氧化物半导体包括IGZO(铟镓锌氧化物，indium gallium zinc oxide)。
[0012]在一实施例中，可以是，所述第一遮光层包括向所述第一方向凸出的凸出部，所述第二遮光层包括对应于所述凸出部而向所述第一方向凹陷的插入部。
[0013]在一实施例中，可以是，所述第一区域的至少一部分配置在所述凸出部之上。
[0014]在一实施例中，可以是，所述第一区域包括：第一延伸区域，与所述台阶区域相邻，并向所述第一方向延伸；第二延伸区域，与所述第一延伸区域相邻，并向与所述第一方向垂直的第二方向延伸；以及重叠区域，与所述第二延伸区域相邻，并至少一部分与所述栅极电极重叠。
[0015]在一实施例中，可以是，所述第一区域包括：第一延伸区域，与所述台阶区域相邻，并向与所述第一方向垂直的第二方向延伸；第二延伸区域，与所述第一延伸区域相邻，并向所述第一方向延伸；第三延伸区域，与所述第二延伸区域相邻，并从所述第一延伸区域向与所述第一方向相反的方向隔开，并且向所述第二方向延伸；第四延伸区域，与所述第三延伸区域相邻，并向所述第一方向延伸；以及重叠区域，与所述第四延伸区域相邻，并至少一部分与所述栅极电极重叠。
[0016]为了达成前述的本专利技术的目的，可以是，根据本专利技术的另一实施例的显示装置包括：第一遮光层，配置在基板之上，并包括贯通槽；第二遮光层，配置在所述基板之上，并从所述第一遮光层向第一方向隔开；有源层，配置在所述第一遮光层之上，并包括与所述贯通槽重叠的第一区域以及与所述第一区域相邻的第二区域；栅极电极，配置在所述有源层之上，并与所述第二区域的一部分重叠；第一电极，配置在所述栅极电极之上，并至少一部分与所述第一遮光层重叠；以及第二电极，配置在所述栅极电极之上，并至少一部分与所述第二遮光层重叠，并且至少另一部分与所述贯通槽重叠。
[0017]在一实施例中，可以是，所述有源层在所述第一区域中具有台阶，所述台阶与所述贯通槽和所述基板之间的边界重叠。
[0018]在一实施例中，可以是，显示装置还包括：第一绝缘层，配置在所述第一遮光层和所述有源层之间，并覆盖所述第一遮光层以及所述第二遮光层；栅极绝缘层，配置在所述有源层和所述栅极电极之间；以及第二绝缘层，配置在所述栅极电极和所述第一电极之间，并覆盖所述栅极电极、所述栅极绝缘层以及所述有源层。
[0019]在一实施例中，可以是，所述第一电极通过贯穿所述第二绝缘层并使所述第二区域的上面暴露的第一贯通孔与所述第二区域接触，所述第二电极通过贯穿所述第二绝缘层并使所述第一区域的上面暴露并与所述贯通槽重叠的第二贯通孔与所述第一区域接触，并通过贯穿所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层并使所述第二遮光层的上面暴露的第三贯通孔与所述第二遮光层接触。
[0020]在一实施例中，可以是，所述有源层包含氧化物半导体。
[0021]在一实施例中，可以是，所述氧化物半导体包括IGZO(铟镓锌氧化物，indium gallium zinc oxide)。
[0022]在一实施例中，可以是，所述第一遮光层包括向所述第一方向凸出的凸出部，所述第二遮光层包括对应于所述凸出部而向所述第一方向凹陷的插入部。
[0023]在一实施例中，可以是，所述贯通槽与所述凸出部重叠。
[0024]在一实施例中，可以是，所述第二区域包括：第一延伸区域，与所述第一区域相邻，并向所述第一方向延伸；第二延伸区域，与所述第一延伸区域相邻，并向与所述第一方向垂
直的第二方向延伸；以及重叠区域，与所述第二延伸区域相邻，并至少一部分与所述栅极电极重叠。
[0025]在一实施例中，可以是，所述第二区域包括：第一延伸区域，与所述第一区域相邻，并向与所述第一方向垂直的第二方向延伸；第二延伸区域，与所述第一延伸区域相邻，并向所述第一方向延伸；第三延伸区域，与所述第二延伸区域相邻，并从所述第一延伸区域向与所述第一方向相反的方向隔开，并且向所述第二方向延伸；第四延伸区域，与所述第三延伸区域相邻，并向所述第一方向延伸；以及重叠区域，与所述第四延伸区域相邻，并至少一部分与所述栅极电极重叠。
[0026]根据本专利技术的实施例的显示装置的第二电极可以与有源层的台阶重叠。由此，第二电极可以保护有源层的台阶免受杂质的影响。
[0027]然而，本专利技术的效果不限于上述的效果，可以在不脱离本专利技术的构思以及领域的范围内进行各种扩展。
附图说明
[0028]图1是用于说明根据本专利技术的一实施例的显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：第一遮光层，配置在基板之上；第二遮光层，配置在所述基板之上，并从所述第一遮光层向第一方向隔开；有源层，包括配置在所述第一遮光层之上的第一区域、在所述第一遮光层和所述第二遮光层之间配置在所述基板之上的第二区域以及配置在所述第一区域和所述第二区域之间的台阶区域；栅极电极，配置在所述有源层之上，并与所述第一区域的一部分重叠；第一电极，配置在所述栅极电极之上，并至少一部分与所述第一遮光层重叠；以及第二电极，配置在所述栅极电极之上，并至少一部分与所述第二遮光层重叠，并且至少另一部分与所述有源层的所述台阶区域重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述有源层在所述台阶区域中具有台阶，所述台阶与所述基板和所述第一遮光层之间的边界重叠。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：第一绝缘层，配置在所述第一遮光层和所述有源层之间，并覆盖所述第一遮光层以及所述第二遮光层；栅极绝缘层，配置在所述有源层和所述栅极电极之间；以及第二绝缘层，配置在所述栅极电极和所述第一电极之间，并覆盖所述栅极电极、所述栅极绝缘层以及所述有源层。4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极通过贯穿所述第二绝缘层并使所述第一区域的上面暴露的第一贯通孔与所述第一区域接触，所述第二电极通过贯穿所述第二绝缘层并使所述第二区域的上面暴露的第二贯通孔与所述第二区域接触，并通过贯穿所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层并使所述第二遮光层的上面暴露的第三贯通孔与所述第二遮光层接触。5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述有源层包含氧化物半导体。6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体包括IGZO。7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一遮光层包括向所述第一方向凸出的凸出部，所述第二遮光层包括对应于所述凸出部而向所述第一方向凹陷的插入部。8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第一区域的至少一部分配置在所述凸出部之上。9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一区域包括：第一延伸区域，与所述台阶区域相邻，并向所述第一方向延伸；第二延伸区域，与所述第一延伸区域相邻，并向与所述第一方向垂直的第二方向延伸；
以及重叠区域，与所述第二延伸区域相邻，并至少一部分与所述栅极电极重叠。10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一区域包括：第一延伸区域，与所述台阶区域相邻，并向与所述第一方向垂直的第二方向延伸；第二延伸区域，与所述第一延伸区域相邻，并向所述第一方向延伸；第三延伸区域，与所述第二延伸区域相邻，并从所述第一延伸区域向与所述第一方向相反的方向隔开，并且向所述第二方向延伸；第四延伸区域，与所述第三延伸区域相邻，并向所述第一方向延伸；以及重叠区域，与所述第四延伸区域相邻，并至少一部分与所述栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙榕德，金正桓，金泰希，朴俊辉，李多斌，李裕镇，张源豪，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：