【技术实现步骤摘要】
一种制备精细线路的绝缘胶膜材料及其制备方法
[0001]本专利技术属于电子封装材料
,更具体地,本专利技术涉及一种应用于半导体系统级封装用的绝缘胶膜材料。
技术背景
[0002]随着电子信息技术的发展,特别是近年来以可穿戴电子、智能手机、超薄电脑、无人驾驶、物联网技术和5G通讯技术为主的快速发展,对电子系统的小型化、轻薄化、多功能、高性能等方面提出了越来越高的要求。为此,集成电路的层数越来越多,线路线宽越来越小以增加布线密度。随着芯片制程能力的提升与之相匹配的基板也向着多层,高线路密度的趋势发展。要求绝缘胶膜具有更好的线路填充能力和可靠性。
技术实现思路
[0003]为了克服现有技术的缺陷,本专利技术提供一种可用于本导体封装的、适用于加成法或半加成法制备精细线路的积层绝缘胶膜材料。
[0004]为了实现上述专利技术目的,本专利技术采取了以下技术方案。
[0005]本专利技术一个方面提供了一种绝缘胶膜材料,由胶膜层和载体膜组成的聚合物复合物和通过热压或辊压覆盖于胶膜层表面的聚合物保护膜两部分组成;所述聚合物保护膜表面经过离型处理;所述胶膜层由包含树脂组合物、填料粒子、树脂固化剂、其他助剂以及溶剂的浆料制成;
[0006]所述聚合物保护膜的粗糙度Ra为5nm~1μm;
[0007]所述聚合物保护膜的热膨胀系数(CTE)为10ppm/K~300ppm/K;
[0008]所述聚合物保护膜软化温度点为40℃~350℃;
[0009]所述聚合物保护膜断裂伸长率 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种绝缘胶膜材料,其由胶膜层和载体膜组成的聚合物复合物和通过热压或辊压覆盖于胶膜层表面的聚合物保护膜两部分组成;所述聚合物保护膜表面经过离型处理;所述胶膜层由包含树脂组合物、填料粒子、树脂固化剂、其他助剂以及溶剂的浆料制成;其特征在于,所述聚合物保护膜的粗糙度Ra为5nm~1μm;所述聚合物保护膜的热膨胀系数(CTE)为10ppm/K~300ppm/K;所述聚合物保护膜软化温度点为40℃~350℃;所述聚合物保护膜断裂伸长率为10%~1000%;优选,所述聚合物保护膜的其分子结构中包含优选,所述聚合物保护膜的其分子结构中包含优选,所述聚合物保护膜的其分子结构中包含中的一种或多种结构。2.权利要求1所述的绝缘胶膜材料,其特征在于,聚合物保护膜的热膨胀系数为15ppm/K~200ppm/K,所述聚合物保护膜软化温度点为50℃~250℃,所述聚合物保护膜的粗糙度Ra为10nm~0.8μm,所述聚合物保护膜的拉伸强度为50MPa
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150MPa,所述聚合物保护膜的断裂伸长率为大于断裂伸长率为120%~1000%;优选地,聚合物保护膜的热膨胀系数为35ppm/K~160ppm/K,所述聚合物保护膜软化温度点为60℃~200℃,所述聚合物保护膜的粗糙度Ra为10nm~200nm,所述聚合物保护膜的拉伸强度为70MPa
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130MPa,所述聚合物保护膜的的断裂伸长率为150%
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500%。3.权利要求1所述的绝缘胶膜材料,其特征在于,所述聚合物复合物的热膨胀系数为5ppm/K~200ppm/K,所述聚合物复合物的固化前断裂伸长率为1%
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300%;优选地,所述聚合物复合物的热膨胀系数为30ppm/k
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150ppm/k,所述聚合物复合物的固化前断裂伸长率为30%
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200%;更优选地,所述聚合物复合物的热膨胀系数为40ppm/k
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100ppm/k,所述聚合物复合物的固化前断裂伸长率为50%
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160%。4.权利要求1所述的绝缘胶膜材料,其特征在于,聚合物保护膜厚度为5μm~200μm,优选为20μm~100μm,更优选为20μm~40μm。5.权利要求1所述的绝缘胶膜材料,其特征在于,所述树脂组合物选自环氧树脂、橡胶树脂、酚醛树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、脲醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂、呋喃树脂、有机硅树脂、聚酯树脂、丙烯酸树脂、氰酸酯树脂、乙烯基树脂、烃类树脂、聚醚类树脂中的一种或多种组合;所述树脂固化剂选自脂肪多元胺型固化剂、脂环多元胺型固化剂、潜伏固化剂、酸酐类固化剂、芳香胺类固化剂、聚酰胺固化剂、合成树脂类固化剂;所述无机填料为二氧化硅、氧化铝、氮化硼、二氧化钛、氧化锌、氧化锆、氧化镁、碳酸钙、钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡、锆钛酸铅、钛酸铜钙等中的一种或多种混合物。
所述溶剂选自可挥发溶剂,包括芳香类溶剂、卤化烃类溶剂、脂肪烃类溶剂、脂环烃类溶剂、醇类溶剂、酯类溶剂、酮类溶剂、酰胺类溶剂中的一种或多种;所述助剂选自环氧树脂固化促进剂、分散剂、消泡剂、流平剂、偶联剂中的一种或多种组合;优选地,所述环氧树脂固化促进剂选自苯酚、双酚A、间苯二酚、2,4,6
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三(二甲氨基亚甲基)苯酚、卞基二甲...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙蓉,于均益,罗遂斌,于淑会,
申请(专利权)人:深圳先进电子材料国际创新研究院,
类型:发明
国别省市:
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