【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的设备和方法
技术介绍
[0001]本文描述的本专利技术构思的实施例涉及一种基板处理设备和一种基板处理方法。
[0002]随着半导体器件变得高度集成，有源区的大小也在减小。因此，在有源区中形成的MOS晶体管的沟道长度也减小。当MOS晶体管的沟道长度减小时，晶体管的操作性能会因短沟道效应而降低。因此，已经进行了各种研究以在减小形成于基板上的器件的大小的同时使器件的性能最大化。
[0003]在器件当中，代表性示例是具有鳍式结构的鳍式FET器件。这种鳍式FET器件可以通过蚀刻基板(诸如包括硅(Si)的晶片)来形成。在这种情况下，在蚀刻过程期间产生的基板表面的粗糙度可以导致晶体管的性能退化。因此，一般来说，通过向基板表面施加自由基的退火处理来改善基板表面的损坏和粗糙度。作为用于修复这种损坏的方法，已经提出了使用氢等离子体的退火方法。已知这种方法通过向工艺腔室中注入氢并形成等离子体从而使沟道的表面上的硅原子可通过自由基氢移动来修复这种损坏。然而，为了实际上将这应用于等离子体处理设备，需要解决若干问题，诸如粒子生成。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：工艺腔室，所述工艺腔室设置有反应空间并且具有暴露于所述反应空间的至少一个绝缘构件；基板支撑构件，所述基板支撑构件用于将基板支撑在所述反应空间处；气体供应构件，所述气体供应构件用于选择性地将钝化气体或工艺气体供应到所述反应空间；等离子体源，所述等离子体源用于将所述钝化气体或所述工艺气体激发为等离子体；以及控制器，所述控制器用于控制所述气体供应构件和所述等离子体源，并且其中所述控制器控制所述气体供应构件和所述等离子体源，使得在所述基板未被放入所述反应空间中的状态下，所述钝化气体被供应到所述反应空间并且供应的钝化气体被激发为所述等离子体。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中在所述工艺腔室处设置用于使所述反应空间排气的排气管线和安装在所述排气管线处的减压构件，并且其中所述控制器控制所述减压构件，使得所述反应空间的压力变成150毫托至1000毫托的压力。3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述控制器控制所述气体供应构件，使得所述钝化气体以10sccm至1000sccm供应10秒至60秒。4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中绝缘构件由石英、A12O3、A1N和/或Y2O3中的至少一种材料形成。5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述钝化气体包括氮气。6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中所述钝化气体还包括氢气或惰性气体。7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中所述氢气或所述惰性气体以10sccm至1000sccm的流速供应10秒至60秒。8.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中从所述钝化气体激发的等离子体与绝缘构件进行反应以使所述绝缘构件的表面钝化。9.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述控制器控制所述基板处理设备，使得在绝缘构件的表面被钝化之后，所述基板被放入所述反应空间中。10.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中所述气体供应构件包括：第一气体供应构件，所述第一气体供应构件用于将所述工艺气体供应到所述反应空间；以及第二气体供应构件，所述第二气体供应构件用于将所述钝化气体供应到所述反应空间，并且其中所述控制器控制所述第二气体供应构件，使得在所述基板被放入所述反应空间中之后，所述工艺气体被供应到所述反应空间。11.根据权利要求10所述的基板处理设备，其中所述工艺气体包括氢气。12.根据权利要求11所述的基板处理设备，其中所述控制器控制所述气体供应构...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔镇雨，李章熙，朴永鹤，吴承俊，徐安娜，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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