一种改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构及靶盘制造技术

本实用新型专利技术涉及旋转阳极靶技术领域，特别涉及一种改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构及靶盘。该改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构包括基体层以及轨道层；所述基体层上表面覆盖有过渡层，所述过渡层上表面覆盖有轨道层；所述过渡层的热膨胀系数介于基体层的热膨胀系数和轨道层的热膨胀系数之间。该改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构能够有效改善轨道层和基体层之间界面的热应力，减少轨道层龟裂和开裂等现象的发生，从而提升靶盘质量。从而提升靶盘质量。从而提升靶盘质量。

【技术实现步骤摘要】
一种改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构及靶盘


[0001]本技术涉及旋转阳极靶
，特别涉及一种改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构及靶盘。

技术介绍

[0002]CT(Computed Tomography)，即电子计算机断层扫描成像，可以对人体进行非侵入性高解析度成像，清晰显示人体内部的病灶信息，已成为现代医学诊断和现代社会卫生保健不可或缺的重要手段。CT球管是CT整机中X射线源的产生装置，堪称CT之"芯"，而旋转阳极靶作为CT球管X射线的产生源，可谓是CT球管的“心脏”。
[0003]常见的CT球管用旋转阳极靶的靶盘的结构为：最上面设置一层较薄的钨铼合金作为轨道层，轨道层下方和TZM钼合金基体层复合在一起，而钼合金靶面层背面又焊接有石墨作为储热层。在工作时，阳极靶在高能电子束轰击下产生X射线，但是能量转换的效率非常低，多余能量则转化为热能在靶面上积蓄下来，轨道层(WRe层)焦斑温度达到2300℃以上，靶体温度达到 1300℃以上。而持续的热循环和如此高的工作温度作用下，由于轨道层(WRe 层)和TZM钼合金基体层的热膨胀系数不同，使轨道层(WRe层)和TZM钼合金基体层之间存在较大的热应力，导致轨道层(WRe层)容易发生龟裂以及开裂,甚至剥落等缺陷，进而导致阳极靶盘失效。

技术实现思路

[0004]为解决上述
技术介绍
中提到的旋转阳极靶的轨道层容易发生龟裂以及开裂等缺陷的问题，本技术提供一种改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构，其包括基体层以及轨道层；
[0005]所述基体层上表面覆盖有过渡层，所述过渡层上表面覆盖有轨道层；所述过渡层的热膨胀系数介于基体层的热膨胀系数和轨道层的热膨胀系数之间。
[0006]在一实施例中，所述过渡层的厚度为(0.2～1.2)mm。
[0007]在一实施例中，所述轨道层材质为钨铼合金，所述基体层的材质为钼合金。
[0008]在一实施例中，所述基体层上表面设有第一凹凸状表面，第一凹凸状表面与过渡层下表面连接，且过渡层下表面嵌入第一凹凸状表面上的第一凹陷槽中，以使过渡层与基体层之间形成凹凸状的连接界面；和/或，所述过渡层上表面设有第二凹凸状表面，第二凹凸状表面与轨道层下表面连接，且轨道层下表面嵌入第二凹凸状表面上的第二凹陷槽中，以使轨道层与过渡层之间形成凹凸状的连接界面。
[0009]在一实施例中，所述基体层的上表面的外周部由外边缘向中心方向延伸有环形的斜面，所述斜面的内环的高度大于斜面外环的高度；所述斜面上表面设为所述第一凹凸状表面，所述第一凹凸状表面与过渡层下表面连接，以使过渡层覆盖于斜面上表面。
[0010]在一实施例中，所述基体层上表面设有若干第一凸起和第一凹陷槽，以使其形成第一凹凸状表面；和/或，所述过渡层的上表面设有若干第二凸起和第二凹陷槽，以使其形
成第二凹凸状表面；
[0011]所述第一凸起和第二凸起为圆凸弧结构凸起、圆锥柱结构凸起、角锥柱结构凸起、方形柱结构凸起、梯形柱结构凸起中的一种或多种组合；
[0012]所述第一凹陷槽和第二凹陷槽为圆凸弧结构凹陷槽、圆锥柱结构凹陷槽、角锥柱结构凹陷槽、方形柱结构凹陷槽、梯形柱结构凹陷槽中的一种或多种组合。
[0013]在一实施例中，所述基体层上表面呈圆形结构，所述斜面为圆环形斜面；
[0014]所述斜面上表面设有若干个与圆环形斜面同心的呈圆环状分布的第一凸起，以使斜面上形成第一凹凸状表面；或，所述斜面上表面设有呈圆环螺旋状分布的第一凸起，以使斜面上形成第一凹凸状表面。
[0015]在一实施例中，所述过渡层的上表面设有若干个与圆环形斜面同心的呈圆环状分布的第二凸起，以使过渡层的上表面形成第二凹凸状表面；或，所述过渡层的上表面设有呈圆环螺旋状分布的第二凸起，以使过渡层的上表面形成第二凹凸状表面。
[0016]在一实施例中，所述第一凹凸状表面呈连续锯齿状、连续波浪状或连续梯形状；和/或，所述第二凹凸状表面呈连续锯齿状、连续波浪状或连续梯形状。
[0017]本技术还提供一种靶盘，所述靶盘的储热层上方设置有如上所述的改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构。
[0018]基于上述，与现有技术相比，本技术提供的一种改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构，其能够有效改善轨道层和基体层之间界面的热应力，减少轨道层龟裂和开裂等现象的发生，从而提升靶盘质量。
[0019]本技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
[0021]图1为本技术提供的实施例1的正视方向的结构示意图；
[0022]图2为本技术提供的实施例1的俯视方向的结构示意图；
[0023]图3为图2的A
‑
A剖面图；
[0024]图4为图3的B处局部放大图；
[0025]图5为本技术提供的实施例2中过渡层与基体层和轨道层间连接界面的剖面图；
[0026]图6为本技术提供的实施例2中基体层的俯视方向的结构示意图；
[0027]图7为图6中C处的剖面图；
[0028]图8为本技术提供的实施例3中过渡层与基体层和轨道层间连接界面的剖面图；
[0029]图9为本技术提供的实施例3中覆盖有过渡层的基体层的俯视方向的结构示意图；
[0030]图10为图9中D处的剖面图；
[0031]图11为本技术提供的实施例4中过渡层与基体层和轨道层间连接界面的剖面图；
[0032]图12为图11的局部放大图；
[0033]图13为本技术提供的实施例5中过渡层与基体层和轨道层间连接界面的剖面图；
[0034]图14为图13的局部放大图；
[0035]图15为本技术提供的实施例6中过渡层与基体层和轨道层间连接界面的剖面图；
[0036]图16为本技术提供的实施例7中过渡层与基体层和轨道层间连接界面的剖面图；
[0037]图17为图16的局部放大图；
[0038]图18为本技术提供的实施例8中基体层的俯视方向的结构示意图。
[0039]图19为本技术提供的实施例8中覆盖有过渡层的基体层的俯视方向的结构示意图；
[0040]图20为图19中E处的剖面图。
[0041]附图标记：
[0042]100过渡层
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构，其包括基体层(200)以及轨道层(400)；其特征在于：所述基体层(200)上表面覆盖有过渡层(100)，所述过渡层(100)上表面覆盖有轨道层(400)；所述过渡层(100)的热膨胀系数介于基体层(200)的热膨胀系数和轨道层(400)的热膨胀系数之间。2.根据权利要求1所述的改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构，其特征在于：所述过渡层(100)的厚度为(0.2～1.2)mm。3.根据权利要求1所述的改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构，其特征在于：所述轨道层(400)材质为钨铼合金，所述基体层(200)的材质为钼合金。4.根据权利要求1所述的改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构，其特征在于：所述基体层(200)上表面设有第一凹凸状表面(220)，第一凹凸状表面(220)与过渡层(100)下表面连接，且过渡层(100)下表面嵌入第一凹凸状表面(220)上的第一凹陷槽(222)中，以使过渡层(100)与基体层(200)之间形成凹凸状的连接界面；和/或，所述过渡层(100)上表面设有第二凹凸状表面(110)，第二凹凸状表面(110)与轨道层(400)下表面连接，且轨道层(400)下表面嵌入第二凹凸状表面(110)上的第二凹陷槽(112)中，以使轨道层(400)与过渡层(100)之间形成凹凸状的连接界面。5.根据权利要求4所述的改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构，其特征在于：所述基体层(200)的上表面的外周部由外边缘向中心方向延伸有环形的斜面(210)，所述斜面(210)的内环(211)的高度大于斜面(210) 外环(212)的高度；所述斜面(210)上表面设为所述第一凹凸状表面(220)，所述第一凹凸状表面(220)与过渡层(100)下表面连接，以使过渡层(100)覆盖于斜面(210)上表面。6.根据权利要求4所述的改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构，其特征在于：所述基体层(200)上表面设有若干第一凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯海涛，陈会培，余宸旭，薛鼎文，黄志民，
申请(专利权)人：厦门虹鹭钨钼工业有限公司，
类型：新型
国别省市：