本申请提供的一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置，所述制作方法包括：在衬底一侧表面上的非显示区域形成多个未晶化的半导体块；于一结晶温度下，在所述衬底一侧表面上的显示区域形成多个发光元件；在每个半导体块远离所述衬底的一侧表面上形成开关结构，且在每个发光元件远离所述衬底的一侧表面上形成像素介质，本申请借助于发光元件形成过程中的结晶温度，使得半导体块结晶化，从而制备形成显示面板，本申请相较于现有技术避免了巨量转移的过程，结晶化的TFT迁移率高，稳定性好，搭配像素介质，可以实现色域更高的显示效果。果。果。
【技术实现步骤摘要】
显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置
[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置。
技术介绍
[0002]现有有源阵列显示技术多以薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）背板为驱动，其中非晶硅和非晶金属氧化物半导体具有成本低，工艺简单，适合各个世代面板的应用等特点，被广泛运用，存在于人们显示生活中的方方面面。
[0003]但非晶半导体（包括非晶硅，非晶金属氧化物半导体）TFT由于其非晶结构不稳定的特性，导致其TFT电性对光、电、热等环境敏感，不够稳定，从而影响面板显示。而TFT半导体层结晶化后迁移率和稳定性会显著提升，但其往往需要高温（600℃以上）环境才能开始结晶，这无疑会极大增加TFT面板制作成本和生产周期。
[0004]近年来有源Mini & Micro LED显示大力发展，其对TFT背板技术要求越来越严苛，同时，LED转移技术和转移良率也是Mini & Micro LED显示产业化的主要难点。因此尽量减小甚至避免转移量，搭配高稳定性的TFT成为Mini & Micro LED显示快速发展的关键，常规有源Mini & Micro LED显示面板是将制作完成的Mini & Micro LED三原色灯珠转移到TFT基板上，其巨量转移良率和后续检测修复更是Micro/Mini LED发展的极大难题。
技术实现思路
[0005]本申请提供一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置，旨在解决通常采用LED转移技术进行TFT的制备，将制作完成的Mini & Micro LED三原色灯珠转移到TFT基板，即将结晶后的半导体块和发光元件“拼接”，此时巨量转移良率和后续检测修复是最大的难点，巨量转移对应良品率较低，导致成本大幅度提升的问题。
[0006]本申请第一方面实施例提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区域和非显示区域，所述制作方法包括：在衬底一侧表面上的非显示区域形成多个未晶化的半导体块；于一结晶温度下，在所述衬底一侧表面上的显示区域形成多个发光元件；其中所述半导体块在所述结晶温度下结晶化；在每个半导体块远离所述衬底的一侧表面上形成开关结构，且在每个发光元件远离所述衬底的一侧表面上形成像素介质，以形成所述显示面板。
[0007]在可选的实施例中，所述在所述衬底一侧表面上的显示区域形成多个发光元件，包括：在所述结晶温度下，在所述衬底靠近所述半导体块的一侧表面上通过气相外延生长出覆盖所述衬底的半导体晶片；对所述半导体晶片进行刻蚀工艺，在所述显示区域形成多个相互绝缘的所述发光元件，并去除所述非显示区域上的所述半导体晶片。
[0008]在可选的实施例中，所述半导体晶片包括第一掺杂层、第二掺杂层，以及位于第一掺杂层和第二掺杂层之间的发光层；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层各自为P型掺杂层和N型掺杂层中的一个；所述在所述衬底靠近所述半导体块的一侧表面上形成覆盖所述整个衬底的半导体晶片，包括：所述衬底靠近所述半导体块的一侧上，在所述半导体块和所述衬底暴露的表面上通过外延生长出第一掺杂层；在所述第一掺杂层远离所述衬底的一侧表面上外延生长出发光层；在所述发光层远离所述第一掺杂层的一侧表面上外延生长出第二掺杂层。
[0009]在可选的实施例中，所述对所述半导体晶片进行刻蚀工艺，在所述显示区域形成多个发光元件，包括：对所述半导体晶片进行第一刻蚀，去除所述非显示区域中的第二掺杂层以及发光层，并在所述显示区域图案化所述第二掺杂层以及发光层，形成多个柱状单元，每个柱状单元之间形成刻蚀间隙；所述刻蚀间隙和所述非显示区域暴露所述第一掺杂层；对所述非显示区域未形成所述半导体块的区域以及所述刻蚀间隙处的第一掺杂层进行减薄处理；对所述间隙处的所述第一掺杂层进行第二刻蚀，将每个间隙处的第一掺杂层隔断，所述第一掺杂层在所述间隙内形成用于放置第一焊盘的表面。
[0010]在可选的实施例中，所述开关结构包括：栅极金属件、源极金属件和漏极金属件，所述在每个半导体块上形成开关结构，包括：在所述半导体块远离所述衬底的一侧表面上形成绝缘块；在所述绝缘块远离所述衬底的一侧表面上形成栅极金属件；在所述半导体块的两侧各自形成源极金属件和漏极金属件，所述源极金属件和漏极金属件与所述半导体块接触；在所述栅极金属件、源极金属件和漏极金属件之间的空间内形成层间电介质；其中所述源极金属件和漏极金属件部分露出所述层间电介质，以形成接触电极。
[0011]在可选的实施例中，还包括：在所述层间电介质远离所述衬底的一侧表面上形成覆盖所述接触电极的第一保护层；在所述第一保护层和每个所述发光元件的第二掺杂层远离所述衬底的一侧表面上形成电连接件；其中每个所述接触电极与一电连接件通过在所述第一保护层上沉积的过孔金属耦接；在所述第二掺杂层上的电连接件远离所述衬底的一侧表面上形成第二焊盘。
[0012]在可选的实施例中，还包括：将遮光胶或者光阻填充每个所述发光元件之间的空隙内；或者，还包括：将遮光胶或者光阻填充每个所述发光元件之间的空隙内；以及，在所述填充空隙之后的衬底上形成覆盖每个所述发光元件和每个所述半导体块的第二保护层。
[0013]本申请第二方面实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区域和非显示区域，所述显示面板包括：
衬底；多个半导体块，所述多个半导体块形成在所述衬底一侧表面上的非显示区域，且每个半导体块上远离所述衬底的一侧表面上形成开关结构；多个发光元件，形成在所述衬底一侧表面上的显示区域，且在每个发光元件远离所述衬底的一侧表面上形成像素介质；其中，所述半导体块在所述发光元件形成之前处于未晶化状态，并在所述发光元件形成过程中结晶化。
[0014]在可选的实施例中，所述像素介质包括量子点发光材料或者荧光粉发光材料。
[0015]本申请第三方面实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
[0016]由上述技术方案可知，本申请提供的一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置，通过在制备过程中，先形成未晶化的半导体块，之后在结晶温度下形成发光元件，借助于发光元件形成过程中的结晶温度，使得半导体块结晶化，从而制备形成显示面板，本申请相较于现有技术避免了巨量转移的过程，结晶化的TFT迁移率高，稳定性好，搭配像素介质，可以实现色域更高的显示效果。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本申请实施例中制作显示面板的步骤之一形成的结构示意图。
[0019]图2是本申请实施例中制作显示面板的步骤之二形成的结构示意图。
[0020]图3是本申请本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区域和非显示区域，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底一侧表面上的非显示区域形成多个未晶化的半导体块；于一结晶温度下，在所述衬底一侧表面上的显示区域形成多个发光元件；其中所述半导体块在所述结晶温度下结晶化；在每个半导体块远离所述衬底的一侧表面上形成开关结构，且在每个发光元件远离所述衬底的一侧表面上形成像素介质，以形成所述显示面板。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底一侧表面上的显示区域形成多个发光元件，包括：在所述结晶温度下，在所述衬底靠近所述半导体块的一侧表面上通过气相外延生长出覆盖所述衬底的半导体晶片；对所述半导体晶片进行刻蚀工艺，在所述显示区域形成多个相互绝缘的所述发光元件，并去除所述非显示区域上的所述半导体晶片。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述半导体晶片包括第一掺杂层、第二掺杂层，以及位于第一掺杂层和第二掺杂层之间的发光层；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层各自为P型掺杂层和N型掺杂层中的一个；所述在所述衬底靠近所述半导体块的一侧表面上形成覆盖整个衬底的半导体晶片，包括：所述衬底靠近所述半导体块的一侧上，在所述半导体块和所述衬底暴露的表面上通过外延生长出第一掺杂层；在所述第一掺杂层远离所述衬底的一侧表面上外延生长出发光层；在所述发光层远离所述第一掺杂层的一侧表面上外延生长出第二掺杂层。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述对所述半导体晶片进行刻蚀工艺，在所述显示区域形成多个发光元件，包括：对所述半导体晶片进行第一刻蚀，去除所述非显示区域中的第二掺杂层以及发光层，并在所述显示区域图案化所述第二掺杂层以及发光层，形成多个柱状单元，每个柱状单元之间形成刻蚀间隙；所述刻蚀间隙和所述非显示区域暴露所述第一掺杂层；对所述非显示区域未形成所述半导体块的区域以及所述刻蚀间隙处的第一掺杂层进行减薄处理；对所述间隙处的所述第一掺杂层进行第二刻蚀，将每个间隙处的第一掺杂层隔断，所述第一掺杂层在所述间...
【专利技术属性】
技术研发人员：张合静，林春燕，张捷，许哲豪，郑浩旋，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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