【技术实现步骤摘要】
旋钮及其控制方法、装置、计算机设备以及存储介质
[0001]本申请涉及旋钮
,尤其涉及一种旋钮及其控制方法、装置、计算机设备以及存储介质。
技术介绍
[0002]目前市场上大部分的旋钮编码器都是通过输出两组A、B相位差90
°
的脉冲,通过测量脉冲确定转速和旋转方向,编码器的手感和档位间隔由编码器的机械特性决定,无法适应不同使用场景以及不同使用者的个性化需求。
技术实现思路
[0003]有鉴于此,本申请提供了一种旋钮及其控制方法、装置、计算机设备以及存储介质,用于解决现有技术中的编码器的手感和档位间隔由其机械特性决定固定,导致无法适应不同使用场景以及不同使用者的个性化需求的问题。
[0004]为达上述之一或部分或全部目的或是其他目的,本申请提出一种旋钮,该旋钮包括:
[0005]定子电枢,其由至少三组线圈构成;
[0006]外转子,其具有环绕于所述定子电枢的圆环,该圆环上设有至少两对永磁体;
[0007]径向充磁磁铁,其连接至所述外转子上,形成外转子与径向充磁磁铁可同轴旋转结构;
[0008]磁编码器,其设置于所述径向充磁磁铁一侧;以及,
[0009]控制系统,其设有三相逆变器,该三相逆变器电连接所述至少三组线圈;所述控制系统电连接所述磁编码器;
[0010]所述控制系统用于控制所述三相逆变器,使所述定子电枢产生预设大小的磁场矢量,并根据所述外转子旋转角度调整三相逆变器,使所述定子电枢针对不同的外转子旋转角度产生不同的磁场矢 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种旋钮,其特征在于:该旋钮包括:定子电枢,其由至少三组线圈构成;外转子,其具有环绕于所述定子电枢的圆环,该圆环上设有至少两对永磁体;径向充磁磁铁,其连接至所述外转子上,形成外转子与径向充磁磁铁可同轴旋转结构;磁编码器,其设置于所述径向充磁磁铁一侧;以及,控制系统,其设有三相逆变器,该三相逆变器电连接所述至少三组线圈;所述控制系统电连接所述磁编码器;所述控制系统用于控制所述三相逆变器,使所述定子电枢产生预设大小的磁场矢量,并根据所述外转子旋转角度调整三相逆变器,使所述定子电枢针对不同的外转子旋转角度产生不同的磁场矢量方向,进而使旋钮形成不同的档位。2.一种控制电路,其特征在于,所述控制电路基于权利要求1所述的旋钮,所述控制电路包括:MOS管VT1、MOS管VT2、MOS管VT3、MOS管VT4、MOS管VT5、MOS管VT6、电阻Ra、电阻Rb、电阻Rc、定子电枢Ea、定子电枢Eb、定子电枢Ec、控制器和磁编码器;其中,所述控制器具有信号接收端和信号输出端,所述信号接收端连接所述磁编码器,所述信号输出端具有第一输出引脚和第二输出引脚;所述第一输出引脚连接MOS管VT1的漏极D、MOS管VT3的漏极D和MOS管VT5的漏极D,MOS管VT1的源极S连接电阻Ra的一端和MOS管VT2的漏极D,MOS管VT3的源极S连接电阻Rb的一端和MOS管VT4的漏极D,MOS管VT5的源极S连接电阻Rc的一端和MOS管VT6的漏极D,电阻Ra的另一端连接定子电枢Ea的一端,电阻Rb的另一端连接定子电枢Eb的一端,电阻Rc的另一端连接定子电枢Ec的一端,定子电枢Ea的另一端、定子电枢Eb的另一端和定子电枢Ec的另一端依次连接,MOS管VT2的源极S、MOS管VT4的源极S和MOS管VT6的源极S均连接所述第二输出引脚,MOS管VT1的栅极G、MOS管VT2的栅极G、MOS管VT3的栅极G、MOS管VT4的栅极G、MOS管VT5的栅极G和MOS管VT6的栅极G均连接电源正极。3.一种旋钮的控制方法,其特征在于:所述控制方法包括步骤:获取旋钮在一个旋转周期下所设置档位数量的信息N,将所述旋转周期分成N个档位,并计算旋钮在各个档位对应的临界角;生成定子电枢所需的电压矢量合成角度γ针对各个档位对应的临界角变化的控制程序,其中,该控制程序中电压矢量合成角度γ限制在0
°‑
360
°
之间。4.根据权利要求3所述的旋钮的控制方法,其特征在于:所述获取旋钮在一个旋转周期下所设置档位数量的信息N,将所述旋转周期分成N个档位,并计算旋钮在各个档位对应的临界角的步骤之前,包括步骤:获取调制系数m,根据所述调制系数m调整定子电枢的合成电压矢量大小。5.根据权利要求3所述的旋钮的控制方法,其特征在于:所述生成定子电枢所需的电压矢量合成角度γ针对各个档位对应的临界角变化的控制程序的步骤,包括:...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨华,何明强,张涛,樊光民,
申请(专利权)人:广东纯米电器科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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