一种超高层建筑磁流变阻尼调谐阻尼器制造技术

本发明专利技术公开了一种超高层建筑磁流变阻尼调谐阻尼器，涉及建筑阻尼器领域，包括磁流调谐主体和顶部固定架，所述安装架组件的顶部边缘等间距连接有钢绳，所述钢绳的上端与顶部固定架连接，所述磁流调谐主体的下方设置有底部支撑架组件，所述底部支撑架组件包括底环，所述底环的上侧边缘等间距活动连接有大型油缸粘滞性阻尼器，所述大型油缸粘滞性阻尼器远离底环的一端与安装架组件连接，所述底环的侧壁等间距固定有底板，所述底板远离底环的一侧上端固定有缓冲限位组件。本发明专利技术通过设置有大型油缸粘滞性阻尼器、防撞缓冲阻尼器、第一缓冲弹簧和第二缓冲弹簧，能够有效地降低建筑的震动和晃动，能够对高层建筑起到很好的保护作用。用。用。

【技术实现步骤摘要】
一种超高层建筑磁流变阻尼调谐阻尼器


[0001]本专利技术涉及建筑阻尼器领域，具体涉及一种超高层建筑磁流变阻尼调谐 阻尼器。

技术介绍

[0002]地震是一种严重威胁人类生命及财产安全的自然灾害。特别是近年来， 随着现代社会的发展，城市的数量和规模不断扩大，城市变成了人口高度密 集、财富高度集中的地区。
[0003]随着经济的发展和社会的进步，人们在物质文化生活水平提高的同时，对 于生活条件提出了越来越高的要求，特别是超高层建筑的兴起，对建筑抗震设 计的安全性和适用性提出了更为严格的要求。采用传统的工程抗震设计方法有 时不能适应工程的实际需要，因此研究更加安全，经济，可靠的结构抗震新方 法是目前工程结构抗震领域所面临的主要课题，而近三十几年来发展起来的结 构振动控制理论是解决这一问题的一种很好的抗震新方法，它对有效地减轻地 震灾害具有重要的现实意义。
[0004]目前，现有的高层建筑阻尼器通常是通过多个小阻尼器的组合进行支撑与 缓冲，小阻尼器的支撑与缓冲效果有限，不能够对配重系统进行高效的缓冲与 减振，且磁流调谐质量块的晃动幅度大，安全性低。
[0005]因此，专利技术一种超高层建筑磁流变阻尼调谐阻尼器来解决上述问题很有必 要。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是提供一种超高层建筑磁流变阻尼调谐阻尼器，以解决上述
技术介绍
中提出的小阻尼器的支撑与缓冲效果有限，不能够对配重系统进行高 效的缓冲与减振，且磁流调谐质量块的晃动幅度大，安全性低的问题。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种超高层建筑磁流变阻 尼调谐阻尼器，包括磁流调谐主体和顶部固定架，所述顶部固定架位于磁流 调谐主体的上方，所述磁流调谐主体的外侧套接有安装架组件，所述安装 架组件的顶部边缘等间距连接有钢绳，所述钢绳的上端与顶部固定架连接， 所述磁流调谐主体的下方设置有底部支撑架组件，所述底部支撑架组件包 括底环，所述底环的上侧边缘等间距活动连接有大型油缸粘滞性阻尼器， 所述大型油缸粘滞性阻尼器远离底环的一端与安装架组件连接，所述底环 的侧壁等间距固定有底板，所述底板远离底环的一侧上端固定有缓冲限位 组件，所述缓冲限位组件包括限位座，所述限位座靠近流调谐主体的一侧 的上下两端均固定有支座，上下两个所述支座之间设置有固定座，所述固 定座与支座之间连接有支撑滑杆，所述支撑滑杆上滑动套接有移动环座， 所述移动环座上活动连接有防撞缓冲阻尼器，所述防撞缓冲阻尼器远离移 动环座的一端与安装架组件之间活动连接，所述移动环座与支座之间设置 有第一缓冲弹簧，所述移动环座与固定座之间设置有第二缓冲弹簧。
[0008]优选的，所述第一缓冲弹簧和第二缓冲弹簧均套接在支撑滑杆上，所 述固定座固定安装在限位座上，通过支撑滑杆对第一缓冲弹簧和第二缓冲 弹簧进行限位支撑，避免第
一缓冲弹簧和第二缓冲弹簧受到挤压时弯曲。
[0009]优选的，所述移动环座上开设有通道，所述移动环座通过通道套接在 支撑滑杆上，所述通道的上下上端及中部内壁均等间距活动镶嵌有滚珠， 所述滚珠与支撑滑杆的表面相抵触，通过滚珠降低了移动环座与支撑滑杆 之间的摩擦力，降低了移动环座与支撑滑杆之间的摩擦损耗。
[0010]优选的，所述磁流调谐主体设置为球型，所述安装架组件包括上固定 环和下固定环，所述上固定环固定套接在磁流调谐主体的上部，所述下固 定环固定套接在磁流调谐主体的下部，所述上固定环与下固定环之间固定 有连接块，所述连接块的数量设置有多个，多个所述连接块呈环形阵列分 布在磁流调谐主体的周围，所述下固定环的底部固定有弧形网架，所述弧 形网架套接在磁流调谐主体的底部外侧，通过安装架组件能够有效地固定 磁流调谐主体，使得磁流调谐主体在安装架组件内放置稳定牢靠。
[0011]优选的，所述钢绳的下端与上固定环连接，所述防撞缓冲阻尼器远离 移动环座的一端与连接块活动连接，所述大型油缸粘滞性阻尼器远离底环 的一端与下固定环的底部连接，通过大型油缸粘滞性阻尼器对安装架组件 进行支撑，从而对磁流调谐主体进行支撑，有效降低钢绳所收到的拉力。
[0012]优选的，上下两个所述防撞缓冲阻尼器呈“八”字结构设置，能够有 效地对磁流调谐主体的运动进行缓冲，避免磁流调谐主体晃动幅度过大。
[0013]优选的，所述顶部固定架包括固定顶环，所述固定顶环的侧壁等间距 固定有顶板，所述钢绳的上端与固定顶环连接，通过固定顶环和顶板与高 层建筑的顶部壁连接，能够提高本磁流变阻尼调谐阻尼器安装的稳定性。
[0014]优选的，所述限位座的顶部固定有支撑板，所述支撑板的上端与顶板 的底部固定连接，通过支撑板对顶板进行支撑，提高了顶板安装的稳定性。
[0015]优选的，所述限位座的底部与底板的上侧固定连接，位于下方的所述 支座的底部与底板的上侧固定连接，位于上方的所述支座与支撑板之间固 定有第一加强板，通过第一加强板对支撑板进行支撑，使得支撑板与支座 之间连接稳定牢靠。
[0016]优选的，所述支撑板与顶环的底部边缘之间固定有第二加强板，通过 第二加强板提高了对顶环的支撑效果，使得顶环安装稳定。
[0017]在上述技术方案中，本专利技术提供的技术效果和优点：
[0018]1、通过设置有大型油缸粘滞性阻尼器、防撞缓冲阻尼器、第一缓冲弹 簧和第二缓冲弹簧，当磁流调谐主体晃动时，大型油缸粘滞性阻尼器能够 有效地对磁流调谐主体进行支撑缓冲，同时防撞缓冲阻尼器、第一缓冲弹 簧和第二缓冲弹簧能够进一步对磁流调谐主体进行缓冲，降低磁流调谐主 体晃动的幅度，同时能够有效地降低建筑的震动和晃动，能够对高层建筑起 到很好的保护作用；
[0019]2、通过大型油缸粘滞性阻尼器和钢绳配合使用，能够在磁流调谐主体 静止时对磁流调谐主体进行有效地支撑，使得磁流调谐主体在静止放置稳 定；
[0020]3、本装置结构简单，通过设置有支撑板、第一加强板和第二加强板， 使得限位座能够有效地对顶部固定架进行支撑，使得顶部固定架安装稳定。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施 例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是 本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些 附图获得其他的附图。
[0022]图1为本专利技术的整体结构示意图；
[0023]图2为本专利技术的磁流调谐主体与安装架组件连接图；
[0024]图3为本专利技术的安装架组件结构示意图；
[0025]图4为本专利技术的底部支撑架组件示意图；
[0026]图5为本专利技术的缓冲限位组件示意图；
[0027]图6为本专利技术的缓冲限位组件去除缓冲弹簧后示意图；
[0028]图7为本专利技术的缓冲限位组件与顶部固定架连接图；
[0029]图8为本专利技术的顶部固定架图；
[0030]图9为本专利技术的移动环座示意图。
[0031]附图标记说明：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超高层建筑磁流变阻尼调谐阻尼器，包括磁流调谐主体(1)和顶部固定架(2)，其特征在于：所述顶部固定架(2)位于磁流调谐主体(1)的上方，所述磁流调谐主体(1)的外侧套接有安装架组件(3)，所述安装架组件(3)的顶部边缘等间距连接有钢绳(4)，所述钢绳(4)的上端与顶部固定架(2)连接，所述磁流调谐主体(1)的下方设置有底部支撑架组件(5)，所述底部支撑架组件(5)包括底环(6)，所述底环(6)的上侧边缘等间距活动连接有大型油缸粘滞性阻尼器(7)，所述大型油缸粘滞性阻尼器(7)远离底环(6)的一端与安装架组件(3)连接，所述底环(6)的侧壁等间距固定有底板(8)，所述底板(8)远离底环(6)的一侧上端固定有缓冲限位组件，所述缓冲限位组件包括限位座(9)，所述限位座(9)靠近流调谐主体(1)的一侧的上下两端均固定有支座(10)，上下两个所述支座(10)之间设置有固定座(11)，所述固定座(11)与支座(10)之间连接有支撑滑杆(12)，所述支撑滑杆(12)上滑动套接有移动环座(13)，所述移动环座(13)上活动连接有防撞缓冲阻尼器(14)，所述防撞缓冲阻尼器(14)远离移动环座(13)的一端与安装架组件(3)之间活动连接，所述移动环座(13)与支座(10)之间设置有第一缓冲弹簧(15)，所述移动环座(13)与固定座(11)之间设置有第二缓冲弹簧(16)。2.根据权利要求1所述的一种超高层建筑磁流变阻尼调谐阻尼器，其特征在于：所述第一缓冲弹簧(15)和第二缓冲弹簧(16)均套接在支撑滑杆(12)上，所述固定座(11)固定安装在限位座(9)上。3.根据权利要求1所述的一种超高层建筑磁流变阻尼调谐阻尼器，其特征在于：所述移动环座(13)上开设有通道(17)，所述移动环座(13)通过通道(17)套接在支撑滑杆(12)上，所述通道(17)的上下上端及中部内壁均等间距活动镶嵌有滚珠(18)，所述滚珠(18)与支撑滑杆(12)的表面相抵触。4.根据权利要求1所述的一种超高层建筑磁流变阻尼...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建国，肖三霞，蒋国平，郑国琛，
申请(专利权)人：福建江夏学院，
类型：发明
国别省市：