一种近紫外-可见光高灵敏响应的光探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种近紫外

【技术实现步骤摘要】
一种近紫外
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可见光高灵敏响应的光探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种近紫外
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可见光高灵敏响应的光探测器，还涉及上述近紫外
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可见光高灵敏响应的光探测器的制备方法。

技术介绍

[0002]将光信号转换为电信号的光探测器是各种光电检测设备的关键组成部分之一。迄今为止，光探测器已被广泛的应用到医疗诊断、光学成像、光纤通信等领域之中。因此下一代光探测器应具有宽光谱响应、超灵敏、低功耗、超多维光学信息检测等特点。
[0003]对于光电探测器这种将光子转化为电能的人工设备而言，将光转化为电的材料是其核心部件。无机半导体ZnO具有合适的电子能带结构和稳定的物理特性，已经被用作光探测器的光电转换部件。在ZnO纳米结构上建立的光电探测器具有良好的光导性能，但受光电转化效率和光吸收能力的制约，这些光传感器的光谱响应范围较窄，瞬态响应较差，极大地限制了其实际应用。此外，由于人们对宽带光通信或成像传感的需求日益增长，因此需要具有更宽光响应范围的高性能光敏材料，特别是通过使用单个探测元件进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近紫外
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可见光高灵敏响应的光探测器，其特征在于：所述光探测器以ZnO/Se核壳纳米棒阵列作为光电转换结构，每根所述ZnO纳米棒外均包裹有Se壳层。2.根据权利要求1所述的近紫外
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可见光高灵敏响应的光探测器，其特征在于：所述光探测器还包括蓝宝石衬底以及沉积在蓝宝石衬底上的ZnO种子层，在ZnO种子层上刻蚀出生长区，ZnO纳米棒在生长区上生长形成ZnO纳米棒阵列。3.根据权利要求1所述的近紫外
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可见光高灵敏响应的光探测器，其特征在于：还包括分别焊接在ZnO/Se核壳纳米棒阵列两端的金属电极。4.根据权利要求3所述的近紫外
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可见光高灵敏响应的光探测器，其特征在于：焊接在ZnO/Se核壳纳米棒阵列两端的电极分别是Ag电极和In电极。5.根据权利要求1所述的近紫外
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可见光高灵敏响应的光探测器，其特征在于：所述ZnO/Se核壳纳米棒的直径为500～1000nm，纳米棒的长度为30～50μm。6.根据权利要求1所述的近紫外
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可见光高灵敏响应的光探测器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐春祥，谢小雨，王茹，石增良，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：