一种具有改良势垒的高温红外探测器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种具有改良势垒的高温红外探测器，包括：在衬底上依次外延生长的缓冲层、第一N型欧姆接触层，N型长波吸收层、改良超晶格势垒层、第二N型欧姆接触层；改良超晶格势垒层覆盖了N型长波吸收层和第二N型欧姆接触层所形成的异质结的空间电荷区。本发明专利技术公开的结构通过器件结构的设计实现了可在高温下保持较低暗电流水平的红外探测器，结构简单；通过改良超晶格势垒层的设计和优化，大幅度抑制了器件中的产生

【技术实现步骤摘要】
一种具有改良势垒的高温红外探测器及其制作方法


[0001]本专利技术属于半导体光电器件
，尤其涉及一种具有改良势垒的高温红外探测器 。

技术介绍

[0002]新一代红外焦平面探测器的核心竞争力将聚焦于“SWaP
3”，也就是更小尺寸（Size）、更小重量（Weight）、更低功耗（Power consumption）、更高性能（performance）和更低成本（Price），其中，提高红外探测器的工作温度成为关键。当前光伏型高性能红外探测器的体积、重量和功耗主要来自于机械制冷机，实现高工作温度（High Operation Temperature，HOT）红外探测器可以大大减少制冷机尺寸、减小整机重要和功耗，进而降低红外探测系统成本并提高了系统稳定性。不过，随着红外探测器工作温度的提升，由于热激发载流子造成的扩散电流及产生
‑
复合电流指数增加，因此，如何在提高红外探测器工作温度的同时保持较高的探测性能已成为SWaP3发展的核心科学技术问题。
[0003]红外探测技术在空间对地探测、载人航天、目标搜索跟踪本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有改良势垒的高温红外探测器，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、N型长波吸收层、改良超晶格势垒层、N型欧姆接触层；所述缓冲层外延生长于所述衬底之上，所述N型长波吸收层外延生长于所述缓冲层上，所述改良超晶格势垒层外延生长于所述N型长波吸收层上，所述N型欧姆接触层外延生长于所述改良超晶格势垒层上；所述改良超晶格势垒层应覆盖所述N型长波吸收层和所述N型欧姆接触层所形成的异质结的空间电荷区。2.根据权利要求1所述的一种具有改良势垒的高温红外探测器，其特征在于，所述衬底为GaSb。3.根据权利要求1所述的一种具有改良势垒的高温红外探测器，其特征在于，所述缓冲层厚度为500nm
‑
1000nm，由Si掺杂的InAsSb构成，Si的掺杂浓度为1
×
10
17
cm
‑3～1
×
10
18
cm
‑3。4.根据权利要求1所述的一种具有改良势垒的高温红外探测器，其特征在于，所述N型长波吸收层厚度为3~6μm，由Si掺杂的InAs/InAsSb超晶格组成，每周期由25
‑
30ML InAs和5
‑
7ML InAsSb构成，Si的掺杂浓度为1
×
10
16
cm
‑3～1
×
10
17
cm
‑3。5.根据权利要求1所述的一种具有改良势垒的高温红外探测器，其特征在于，所述改良超晶格势...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐志成，李光昊，
申请(专利权)人：中科爱毕赛思常州光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：