阵列基板及其控制方法、制造方法和电子纸显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种阵列基板及其控制方法、制造方法和电子纸显示装置，其中，阵列基板包括衬底基板、多个薄膜晶体管以及多个像素电极结构，多个薄膜晶体管设于衬底基板，薄膜晶体管包括有源层、源极以及漏极，对应源极和漏极之间，在有源层上形成导电沟道，多个像素电极结构设于薄膜晶体管背离衬底基板的一侧，各像素电极结构包括相互间隔设置的第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极对应导电沟道设置，且连接设置有电压提供线，第二像素电极通过导电通孔连接漏极，通过同层设置且相互分离的第一像素电极与第二像素电极，以便控制第一像素电极遮挡导电沟道，避免外界光照射导电沟道而引起薄膜体管的漏电流变大。道而引起薄膜体管的漏电流变大。道而引起薄膜体管的漏电流变大。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其控制方法、制造方法和电子纸显示装置


[0001]本申请涉及电子纸
，特别涉及一种阵列基板及其控制方法、制造方法和电子纸显示装置。

技术介绍

[0002]目前电子纸显示器主要包括对置基板、电子墨水层(显示介质)和下基板(阵列基板)，通常采用底栅反交叠结构，由涂覆电泳粒子的对置基板与阵列基板直接粘接构成，主要通过电子墨水层中反射能力佳的白色颜料粒子来显示亮态，通过电子墨水层中吸收能力佳的黑色粒子来显示暗态来完成图像的显示。由于有源电子纸显示器不需要背光源，驱动有源电子纸显示器的阵列基板可以采用反射型设计。现有阵列基板的典型结构包括衬底基板；衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线；数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor；简称为：TFT)开关和像素电极；其中，TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极，有源层形成在源电极和漏电极与栅电极之间。但由于阵列基板上的TFT区域内的沟道无法被遮挡，受到透过电泳层的外界环境光的照射，会产生较大的漏电流，造成显示时的交叉串扰和电子纸显示器对比度降低。为解决上述问题，现有技术有提出在阵列基板上增加增设挡光层用来遮挡TFT区域的沟道，并吸收从电泳层透射过来的环境光，以避免沟道中产生漏电流。然而，这种方案需要额外增设遮光层，既会增加制作工艺的难度，又会增加增加阵列基板的成本。

技术实现思路

[0003]本申请的主要目的是提出一种阵列基板及其控制方法、制造方法和电子纸显示装置，旨在解决如何在不额外增加遮光结构的前提下，防止外界光线照射到薄膜晶体管导电沟道的问题。
[0004]为实现上述目的，本申请提出一种阵列基板，用于电子纸显示装置，所述阵列基板包括衬底基板、设于所述衬底基板的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、源极以及漏极，对应所述源极和所述漏极之间，在所述有源层上形成导电沟道，所述阵列基板还包括设于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板的一侧的多个像素电极结构，各所述像素电极结构包括相互间隔设置的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极对应所述导电沟道设置，且连接设置有讯号线，所述第二像素电极通过导电通孔连接所述漏极。
[0005]可选地，所述第一像素电极的材质包括者透明导电材质。
[0006]可选地，所述第一像素电极与所述第二像素电极的间距为L，其中，4μm≤L≤6μm。
[0007]可选地，相邻两个所述薄膜晶体管呈邻近设置；
[0008]对应地，两个所述第一像素电极合并成一体设置。
[0009]可选地，所述阵列基板还包括保护层以及平坦层，所述保护层设于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板的一侧，所述平坦层设于所述保护层背离所述衬底基板的一侧。
[0010]本申请还提供一种阵列基板的控制方法，所述阵列基板的控制方法包括如下步骤：
[0011]获取所述阵列基板所处的环境的光照强度参数；
[0012]根据所述光照强度参数，确定所述像素电极结构的驱动策略。
[0013]可选地，所述漏极通过所述有源层连接数据线，所述根据所述光照强度参数，确定所述像素电极结构的驱动策略包括如下步骤：
[0014]当所述光照强度参数大于或者等于预设值时，以独立的两个驱动信号参数输入至所述讯号线和所述数据线，用以使得所述第一像素电极驱动上方的电子墨水处于黑态，所述第二像素电极驱动上方的电子墨水显示图像；
[0015]当所述光照强度参数小于预设值时，以相同的两个驱动信号参数输入至所述讯号线和所述数据线，以同步驱动所述第一像素电极与所述第二像素电极，用以使得所述第一像素电极与所述第二像素电极同时驱动上方的电子墨水显示图像。
[0016]可选地，所述漏极通过所述有源层连接数据线，所述根据所述光照强度参数，确定所述像素电极结构的驱动策略包括如下步骤：
[0017]当所述光照强度参数大于或者等于预设值时，以独立的两个驱动信号参数输入至所述讯号线和所述数据线，用以使得所述第一像素电极驱动上方的电子墨水处于黑态，所述第二像素电极驱动上方的电子墨水显示图像；
[0018]当所述光照强度参数小于预设值时，在所述讯号线上不加载驱动信号。
[0019]本申请还提供一种上述的阵列基板的制造方法，所述阵列基板的制造方法包括：
[0020]在衬底基板上沉积薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、以及设于所述源极与所述漏极之间的所述有源层；
[0021]在所述衬底基板上依次沉积覆盖所述薄膜晶体管的保护层和绝缘层，并在所述保护层与所述绝缘层上开孔，以暴露部分所述漏极；
[0022]在所述绝缘层上沉积像素电极结构，所述像素电极包括对应所述薄膜晶体管的导电沟道设置的第一像素电极与第二像素电极，所述像素电极通过所述开孔与所述漏极电连接，且所述第一像素电极覆盖所述有源层。
[0023]此外，本申请还提供一种电子纸显示装置，所述电子纸显示装置包括上述的阵列基板。
[0024]本申请的技术方案中，同层设置的所述第一像素电极与所述第二像素电极相互隔离，并分别连接不同的讯号线，以便分别控制所述第一像素电极与所述第二像素电极，避免所述第一像素与所述第二像素电极相互影响，从而有助于分别控制所述阵列基板上方电泳层中带电粒子的电泳，同时所述第一像素电极对应设置于所述导电沟道的上方，用以遮挡所述导电沟道，防止电泳层中的透过的外部光线照射导电沟道，如此，通过同层设置且相互分离的所述第一像素电极与所述第二像素电极，能够避免所述第一像素电极与所述第二像素电极相互影响，以便单独控制所述第一像素电极遮挡所述导电沟道，使得所述阵列基板既能够驱动电泳层，也能够遮盖所述薄膜晶体管的导电沟道，避免外界光照射导电沟道而引起薄膜体管的漏电流变大，以使所述阵列基板能够在不额外增加遮挡结构的前提下，阻力外部关线照射所述导电沟道，从而有助于简化制造工艺，节约制造成本。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0026]图1为本申请提供的阵列基板的一实施例的剖视结构示意图；
[0027]图2为图1中的第一像素电极的一实施例的俯视结构示意图；
[0028]图3为图1中的第一像素电极的另一实施例的俯视结构示意图
[0029]图4为本申请提供的电子纸显示装置的一实施例的结构示意图；
[0030]图5为本申请提供的阵列基板的制造方法的第一实施例的流程示意图；；
[0031]图6为图1中实施例方案涉及的硬件运行环境的控制器的结构示意图；
[0032]图7为本专利技术提供的阵列基板的控制方法的第一实施例的流程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，用于电子纸显示装置，所述阵列基板包括衬底基板、设于所述衬底基板的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、源极以及漏极，对应所述源极和所述漏极之间，在所述有源层上形成导电沟道，其特征在于，所述阵列基板还包括设于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板的一侧的多个像素电极结构，各所述像素电极结构包括相互间隔设置的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极对应所述导电沟道设置，且连接设置有讯号线，所述第二像素电极通过导电通孔连接所述漏极。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极的材质包括透明导电材质。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极与所述第二像素电极的间距为L，其中，4μm≤L≤6μm。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个所述薄膜晶体管呈邻近设置；对应地，相邻两个所述第一像素电极合并成一体设置。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括保护层以及平坦层，所述保护层设于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板的一侧，所述平坦层设于所述保护层背离所述衬底基板的一侧。6.一种基于权利要求1至4任意一项所述的阵列基板的控制方法，其特征在于，所述阵列基板的控制方法包括如下步骤：获取所述阵列基板所处的环境的光照强度参数；根据所述光照强度参数，确定所述像素电极结构的驱动策略。7.如权利要求6所述的阵列基板的控制方法，其特征在于，所述漏极通过所述有源层连接数据线，所述根据所述光照强度参数，确定所述像素电极结构的驱动策略包括如下步骤：当所述光照强度参数大于或者等于预设值时，以独立的两个驱动信号参数输入至所述讯号线和所述数据线，用以...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹军红，郑浩旋，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：