一种用于单晶生产中降低单晶隐裂的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于单晶生产中降低单晶隐裂的装置，包括一个单晶下方的缓冲装置（1），缓冲装置（1）包括相互配合的上圆盘（11）、下圆盘（12）和缓冲弹簧（13），上圆盘（11）的中部设有一个圆孔（11a），上圆盘（11）与下圆盘（12）相互平行，缓冲弹簧（13）竖直连接在上圆盘（11）的下表面与下圆盘（12）的上表面之间。本实用新型专利技术的优点是可以降低反切效率，减少单晶隐裂数量，提高单晶品质和产量。提高单晶品质和产量。提高单晶品质和产量。

【技术实现步骤摘要】
一种用于单晶生产中降低单晶隐裂的装置


[0001]本技术涉及单晶硅生产制造
，尤其涉及一种用于单晶生产中降低单晶隐裂的装置。

技术介绍

[0002]目前，在单晶拉制过程中，单晶断棱后会产生晶裂，单晶表面的晶裂可以用肉眼直接看到，但是晶体中潜在的隐裂仍然会存在于单晶内部，当单晶切断后，即会出现裂纹，导致单晶反切重量损失。

技术实现思路

[0003]本技术目的就是为了解决现有单晶生产中隐裂较多且无法避免的问题，提供了一种用于单晶生产中降低单晶隐裂的装置，可以降低反切效率，减少单晶隐裂数量，提高单晶品质和产量。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0005]一种用于单晶生产中降低单晶隐裂的装置，包括一个单晶下方的缓冲装置，缓冲装置包括相互配合的上圆盘、下圆盘和缓冲弹簧，上圆盘的中部设有一个圆孔，上圆盘与下圆盘相互平行，缓冲弹簧竖直连接在上圆盘的下表面与下圆盘的上表面之间，以用于作为晶体落下时的缓冲。
[0006]进一步地，所述上圆盘的外径和下圆盘的外径相同且二者处于同一轴线上。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于单晶生产中降低单晶隐裂的装置，其特征在于：包括一个单晶下方的缓冲装置（1），缓冲装置（1）包括相互配合的上圆盘（11）、下圆盘（12）和缓冲弹簧（13），上圆盘（11）的中部设有一个圆孔（11a），上圆盘（11）与下圆盘（12）相互平行，缓冲弹簧（13）竖直连接在上圆盘（11）的下表面与下圆盘（12）的上表面之间。2.根据权利要求1所述的用于单晶生产中降低单晶隐裂的装置，其特征在于：所述上圆盘（11）的外径和下圆盘（12）的外径相同且二者处于同一轴线上。3.根据权利要求1或2所述的用于单晶生产中降低单晶隐裂的装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建宇，王军磊，王艺澄，
申请(专利权)人：包头美科硅能源有限公司，
类型：新型
国别省市：