一种埋容材料内层加工方法技术

本发明专利技术涉及一种埋容材料内层加工方法，包括：步骤S1.将两张埋容材料通过双面粘贴层贴合成层叠结构，所述埋容材料至少包括两层铜箔以及夹设于两层所述铜箔之间的电介质层；步骤S2.分别对两张所述埋容材料的外侧铜箔进行图像转移；步骤S3.分别对图像转移后的两层铜箔进行第一次压合；步骤S4.拆分两张所述埋容材料；步骤S5.对每张所述埋容材料的另一面铜箔进行图像转移后进行第二次压合。本发明专利技术的加工方法可以使埋容材料内层蚀刻不需要辅助引导板，实现直接蚀刻。实现直接蚀刻。实现直接蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
一种埋容材料内层加工方法


[0001]本专利技术涉及一种埋容材料内层加工方法。

技术介绍

[0002]埋容技术是电子元件越发小型化集成化发展下的产物，属于随SOP技术发展出现的一种技术，主要用于将电容材料(又称埋容材料)面蚀刻和层压的方式埋入到印制电路板内部，其中，电容作为存储电荷的元器件，由两层铜箔之间夹一层电介质材料所组成。
[0003]目前，高常规的埋容材料的内层厚度仅38um厚度，内层蚀刻时需要采用辅助引导板才能蚀刻，生产操作复杂。

技术实现思路

[0004]本专利技术目的在于使埋容材料内层蚀刻不需要辅助引导板，实现直接蚀刻。
[0005]为此，提供一种埋容材料内层加工方法，包括：
[0006]步骤S1.将两张埋容材料通过双面粘贴层贴合成层叠结构，所述埋容材料至少包括两层铜箔以及夹设于两层所述铜箔之间的电介质层；
[0007]步骤S2.分别对两张所述埋容材料的外侧铜箔进行图像转移；
[0008]步骤S3.分别对图像转移后的两层铜箔进行第一次压合；
[0009]步骤S4.拆分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种埋容材料内层加工方法，其特征在于，包括：步骤S1.将两张埋容材料通过双面粘贴层贴合成层叠结构，所述埋容材料至少包括两层铜箔以及夹设于两层所述铜箔之间的电介质层；步骤S2.分别对两张所述埋容材料的外侧铜箔进行图像转移；步骤S3.分别对图像转移后的两层铜箔进行第一次压合；步骤S4.拆分两张所述埋容材料；步骤S5.对每张所述埋容材料的另一面铜箔进行图像转移后进行第二次压合。2.根据权利要求1所述的一种埋容材料内层加工方法，其特征在于：步骤S1中的所述粘贴层被裁切为至少包裹与之贴合的所述埋容材料的铜箔。3.根据权利要求2所述的一种埋容材料内层加工方法，其特征在于，所述步骤S3进一步包括：同时对图像转移后的两层铜箔进行压合。4.根据权利要求2所述的一种埋容材料内层加工方法，其特征在于，所述粘贴层被配置为低粘膜，所述步骤S1进一步包括使用所述低粘膜将两张所述埋容材料压合在一起从而形成所述层叠结构。5.根据权利要求4所述的一种埋容材料内层加工方法，其特征在于，所述低粘膜具有横向伸出两张埋容...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜军，林乐红，肖建光，
申请(专利权)人：东莞康源电子有限公司，
类型：发明
国别省市：