平面电感器制造技术

本申请实施例提供一种平面电感器。平面电感器包括EE型磁芯和单层绕组。EE型磁芯，包括磁芯中柱、磁芯边柱，及形成于所述磁芯中柱与所述磁芯边柱之间的绕组槽，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度不小于所述磁芯边柱的长度。单层绕组，由导线围绕所述磁芯中柱绕制而成，所述单层绕组的部分位于所述绕组槽内，其中靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，位于所述绕组槽的外部，且弯折伸出所述单层绕组所在的平面。如此缩小平面电感器的体积，及提高平面电感器的扁平化程度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
平面电感器


[0001]本申请涉及开关电源
，尤其涉及一种平面电感器。

技术介绍

[0002]随着开关电源的应用场景的不断增加，对开关电源的扁平化要求更高。传统的电感器由于体积较大，无法满足扁平化要求。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的目的在于提供一种体积较小、能满足电感器的扁平化要求的平面电感器。
[0004]本申请实施例提供一种平面电感器，包括：
[0005]EE型磁芯，包括磁芯中柱、磁芯边柱，及形成于所述磁芯中柱与所述磁芯边柱之间的绕组槽，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度不小于所述磁芯边柱的长度；
[0006]单层绕组，由导线围绕所述磁芯中柱绕制而成，所述单层绕组的部分位于所述绕组槽内，其中靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，位于所述绕组槽的外部，且弯折伸出所述单层绕组所在的平面。
[0007]可选的，所述靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，垂直伸出所述单层绕组所在平面，并沿平行于所述单层绕组所在平面的方向延伸。
[0008]可选的，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度等于所述磁芯边柱的长度。
[0009]可选的，在垂直于所述单层绕组所在平面的方向上，所述绕组槽的高度大于所述导线的直径，且小于所述导线的直径的2倍。
[0010]可选的，所述导线包括利兹线、单股铜线及多股铜线中的一者。
[0011]可选的，所述导线包括利兹线，所述利兹线的绝缘方式包括漆包线、膜包线、铁氟龙线及三层绝缘线中的一者。
[0012]可选的，所述EE型磁芯的制造工艺包括粉末冶金，所述EE型磁芯的材料包括Mn
‑
Zn铁氧体、Cu
‑
Zn铁氧体及Ni
‑
Zn铁氧体中的一者。
[0013]可选的，所述EE型磁芯还包括连接盖，所述连接盖沿平行于所述单层绕组所在平面的方向延伸，所述连接盖连接所述磁芯边柱与所述磁芯中柱的端部。
[0014]可选的，所述单层绕组的两个端部从所述EE型磁芯的相对两侧伸出。
[0015]可选的，所述单层绕组的两个端部从所述EE型磁芯的同侧伸出。
[0016]本申请实施例提供的平面电感器，采用EE型磁芯，单层绕组围绕磁芯中柱绕制而成，单层绕组的部分位于绕组槽内，又磁芯中柱的长度不小于磁芯边柱的长度，使靠近磁芯中柱的单层绕组的端部位于绕组槽的外部，且弯折伸出单层绕组所在的平面，如此可以在EE型磁芯内部设置单层绕组，不需要在磁芯内部留有高度以引出绕组的端部，进而缩小平
面电感器的体积，及提高平面电感器的扁平化程度。
附图说明
[0017]图1所示为本申请平面电感器的一个实施例的结构示意图；
[0018]图2所示为本申请平面电感器的一个实施例的分解示意图。
具体实施方式
[0019]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。
[0020]在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0021]本申请实施例的平面电感器包括EE型磁芯和单层绕组。EE型磁芯，包括磁芯中柱、磁芯边柱，及形成于所述磁芯中柱与所述磁芯边柱之间的绕组槽，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度不小于所述磁芯边柱的长度。单层绕组，由导线围绕所述磁芯中柱绕制而成，所述单层绕组的部分位于所述绕组槽内，其中靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，位于所述绕组槽的外部，且弯折伸出所述单层绕组所在的平面。
[0022]本申请实施例平面电感器，采用EE型磁芯，单层绕组围绕磁芯中柱绕制而成，单层绕组的部分位于绕组槽内，又磁芯中柱的长度不小于磁芯边柱的长度，使靠近磁芯中柱的单层绕组的端部位于绕组槽的外部，且弯折伸出单层绕组所在的平面，如此可以在EE型磁芯内部设置单层绕组，不需要在磁芯内部留有高度以引出绕组的端部，进而缩小平面电感器的体积，及提高平面电感器的扁平化程度。
[0023]本申请实施例提供一种平面电感器。下面结合附图，对本申请进行详细说明。
[0024]图1所示是本申请一实施例的平面电感器100的结构示意图。平面电感器100包括EE型磁芯110和单层绕组120。
[0025]EE型磁芯110包括磁芯中柱111、磁芯边柱112、及形成于磁芯中柱111与磁芯边柱112的绕组槽113，在绕组槽113贯通EE型磁芯的方向上，磁芯中柱111的长度不小于磁芯边柱112的长度。在本实施例中，EE型磁芯包括两个磁芯边柱112，磁芯中柱111位于两磁芯边
柱112之间，在磁芯中柱111与磁芯边柱112之间分别形成绕组槽113。绕组槽113包括分别设置在两端的开口114，开口114可供单层绕组120穿过绕组槽113。
[0026]单层绕组120，由导线121围绕磁芯中柱111绕制而成。导线121围绕磁芯中柱111缠绕，且导线121之间并列排布，以形成单层绕组120。单层绕组120的部分位于绕组槽113内。导线121围绕磁芯中柱111绕制过程中，单层绕组120的一部分位于绕组槽113内，另一部分位于绕组槽113外。其中靠近磁芯中柱111的单层绕组120的端部122，位于绕组槽113的外部，且弯折伸出单层绕组120所在的平面。靠近磁芯中柱111的单层绕组120的端部122，可以是位于单层绕组120内侧的端部122。在本实施例中，单层绕组120内侧的端部122可以位于磁芯中柱111的端部外侧，进而位于绕组槽113的外部。靠近磁芯中柱111的单层绕组120的端部122，可以弯折伸出单层绕组120所在的平面，使位于单层绕组120内侧的端部可以在绕组槽113的外部引出。靠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平面电感器，其特征在于，包括：EE型磁芯，包括磁芯中柱、磁芯边柱，及形成于所述磁芯中柱与所述磁芯边柱之间的绕组槽，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度不小于所述磁芯边柱的长度；单层绕组，由导线围绕所述磁芯中柱绕制而成，所述单层绕组的部分位于所述绕组槽内，其中靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，位于所述绕组槽的外部，且弯折伸出所述单层绕组所在的平面。2.根据权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，所述靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，垂直伸出所述单层绕组所在平面，并沿平行于所述单层绕组所在平面的方向延伸。3.根据权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度等于所述磁芯边柱的长度。4.根据权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，在垂直于所述单层绕组所在平面的方向上，所述绕组槽的高度大于所述导线的直径，且小于所述导线的直径的2倍。5.根据权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，所述导线包括利兹线...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱彦博，
申请(专利权)人：北京泰科斯德技术有限公司，
类型：新型
国别省市：