本实用新型专利技术涉及伺服驱动器技术领域，尤其是指直流伺服驱动器的并联驱动电路，将MOS管M1与MOS管M2并联，MOS管M3与MOS管M4并联，MOS管M5与MOS管M6并联，MOS管M7与MOS管M8并联，即采用两个同样的MOS管并联的方式，通过第一MOS管驱动模块和第二MOS管驱动模块的同步驱动的方式，获取较大的驱动电流，降低MOS管的温度，使系统具有更大的冗余量，提高驱动器的稳定性。性。性。
【技术实现步骤摘要】
直流伺服驱动器的并联驱动电路
[0001]本技术涉及伺服驱动器
，尤其是指直流伺服驱动器的并联驱动电路。
技术介绍
[0002]在低压直流伺服驱动器中，由于电机的驱动电流比较大，如果采用单颗大功率的驱动MOS管，会因为大电流而导致MOS管发热过大，降低了系统的稳定性，而且大功率的驱动MOS管价格比较高，不利于产品成本优化。
技术实现思路
[0003]本技术针对现有技术的问题提供直流伺服驱动器的并联驱动电路，采用两个同样的MOS管并联的方式，通过一路驱动器信号同步驱动的方式，最终得到较大的驱动电流，使系统具有更大的冗余量，提高驱动器的稳定性。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：直流伺服驱动器的并联驱动电路，包括控制器、第一MOS管驱动模块、第二MOS管驱动模块以及MOS管并联模块，所述第一MOS管驱动模块设置有两个第一输出单元，所述第二MOS管驱动模块设置两个第二输出单元，所述MOS管并联模块包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7以及MOS管M8；
[0005]所述控制器输出控制信号到所述第一MOS管驱动模块和第二MOS管驱动模块；
[0006]MOS管M1的栅极和MOS管M2的栅极均与一所述第一输出单元连接，MOS管M1的源极与MOS管M2的源极连接，MOS管M1的漏极与MOS管M2的漏极连接；
[0007]MOS管M5的栅极和MOS管M6的栅极均与另一所述第一输出单元连接，MOS管M5的源极与MOS管M6的源极连接，MOS管M5的漏极与MOS管M6的漏极连接，MOS管M1的源极与MOS管M5的漏极连接，MOS管M5的源极接地，MOS管M1的漏极与外部电机连接；
[0008]MOS管M3的栅极和MOS管M4的栅极均与一所述第二输出单元连接，MOS管M3的源极与MOS管M4的源极连接，MOS管M3的漏极与MOS管M4的漏极连接；
[0009]MOS管M7的栅极和MOS管M8的栅极均与另一所述第二输出单元连接，MOS管M7的源极与MOS管M8的源极连接，MOS管M7的漏极与MOS管M8的漏极连接，MOS管M3的源极与MOS管M7的漏极连接，MOS管M7的源极接地，MOS管M3的漏极与外部电机连接。
[0010]优选的，所述第一MOS管驱动模块包括第一驱动器U1以及电阻R2，所述控制器通过电阻R2与第一驱动器U1的输入端连接，第一驱动器U1的一输出端与一所述第一输出单元连接，第一驱动器U1的另一输出端与另一所述第一输出单元连接。
[0011]优选的，一所述第一输出单元包括电阻R4和电阻R5，另一所述第一输出单元包括电阻R10和电阻R11；第一驱动器U1的一输出端通过电阻R4与MOS管M1的栅极连接，并且该输出端通过电阻R5与MOS管M2的栅极连接；第一驱动器U1的另一输出端通过电阻R10与MOS管M5的栅极连接，并且该输出端通过电阻R11与MOS管M6的栅极连接。
[0012]优选的，所述第二MOS管驱动模块包括第二驱动器U2以及电阻R13，所述控制器通过电阻R13与第二驱动器U2的输入端连接，第二驱动器U2的一输出端与一所述第二输出单元连接，第二驱动器U2的另一输出端与另一所述第二输出单元连接。
[0013]优选的，一所述第二输出单元包括电阻R18和电阻R19，另一所述第二输出单元包括电阻R20和电阻R21；第二驱动器U2的一输出端通过电阻R18与MOS管M3的栅极连接，并且该输出端通过电阻R19与MOS管M4的栅极连接；第二驱动器U2的另一输出端通过电阻R20与MOS管M7的栅极连接，并且该输出端通过电阻R21与MOS管M8的栅极连接。
[0014]优选的，所述MOS管并联模块还包括电阻R6、电容C2、电阻R8、电容C4、电阻R14、电容C9、电阻R16、电容C11、电阻R7、电容C3、电阻R9、电容C5、电阻R15、电容C10、电阻R17以及电容C12；MOS管M1的栅极通过电阻R6与MOS管M5的漏极连接，电容C2与电阻R6并联，MOS管M2的栅极通过电阻R8与MOS管M6的漏极连接，电容C4与电阻R8并联；MOS管M5的栅极通过电阻R14接地，电容C9与电阻R14并联，MOS管M6的栅极通过电阻R16接地，电容C11与电阻R16并联；MOS管M3的栅极通过电阻R7与MOS管M7的漏极连接，电容C3与电阻R7并联，MOS管M4的栅极通过电阻R9与MOS管M8的漏极连接，电容C5与电阻R9并联；MOS管M7的栅极通过电阻R15接地，电容C10与电阻R15并联，MOS管M8的栅极通过电阻R17接地，电容C12与电阻R17并联。
[0015]优选的，所述MOS管并联模块还包括电阻R22、电阻R23、电容C13、电阻R24、电阻R25以及电容C14；MOS管M5的源极通过电容C13接地，电阻R22和电阻R23均与电容C13并联，电阻R14和电阻R16均通过电容C13接地；MOS管M7的源极通过电容C14接地，电阻R24和电阻R25均与电容C14并联，电阻R15和电阻R17均通过电容C14接地。
[0016]本技术的有益效果：
[0017]本技术提供的直流伺服驱动器的并联驱动电路，将MOS管M1与MOS管M2并联，MOS管M3与MOS管M4并联，MOS管M5与MOS管M6并联，MOS管M7与MOS管M8并联，即采用两个同样的MOS管并联的方式，通过一路驱动器信号同步驱动的方式，获取较大的驱动电流，降低MOS管的温度，使系统具有更大的冗余量，提高驱动器的稳定性。
附图说明
[0018]图1为本技术的控制器、第一MOS管驱动模块2和第二MOS管驱动模块的电路原理图；
[0019]图2为本技术的MOS管并联模块的电路原理图。
[0020]在图1至图2中的附图标记包括：
[0021]1‑
控制器，2
‑
第一MOS管驱动模块，3
‑
第二MOS管驱动模块，4
‑
MOS管并联模块，5
‑
第一输出单元，6
‑
第二输出单元。
具体实施方式
[0022]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。以下结合附图对本技术进行详细的描述。
[0023]本实施例提供的直流伺服驱动器的并联驱动电路，如图1和图2所示，包括控制器1、第一MOS管驱动模块2、第二MOS管驱动模块3以及MOS管并联模块4，所述第一MOS管驱动模
块2设置有两个第一输出单元5，所述第二MOS管驱动模块3设置两个第二输出单元6，所述MOS管并联模块4包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7以及MOS管M8。可选的，控制器1为单片机、嵌入式系统、PLC控制系统等现有技本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.直流伺服驱动器的并联驱动电路，其特征在于：包括控制器、第一MOS管驱动模块、第二MOS管驱动模块以及MOS管并联模块，所述第一MOS管驱动模块设置有两个第一输出单元，所述第二MOS管驱动模块设置两个第二输出单元，所述MOS管并联模块包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7以及MOS管M8；所述控制器输出控制信号到所述第一MOS管驱动模块和第二MOS管驱动模块；MOS管M1的栅极和MOS管M2的栅极均与一所述第一输出单元连接，MOS管M1的源极与MOS管M2的源极连接，MOS管M1的漏极与MOS管M2的漏极连接；MOS管M5的栅极和MOS管M6的栅极均与另一所述第一输出单元连接，MOS管M5的源极与MOS管M6的源极连接，MOS管M5的漏极与MOS管M6的漏极连接，MOS管M1的源极与MOS管M5的漏极连接，MOS管M5的源极接地，MOS管M1的漏极与外部电机连接；MOS管M3的栅极和MOS管M4的栅极均与一所述第二输出单元连接，MOS管M3的源极与MOS管M4的源极连接，MOS管M3的漏极与MOS管M4的漏极连接；MOS管M7的栅极和MOS管M8的栅极均与另一所述第二输出单元连接，MOS管M7的源极与MOS管M8的源极连接，MOS管M7的漏极与MOS管M8的漏极连接，MOS管M3的源极与MOS管M7的漏极连接，MOS管M7的源极接地，MOS管M3的漏极与外部电机连接。2.根据权利要求1所述直流伺服驱动器的并联驱动电路，其特征在于：所述第一MOS管驱动模块包括第一驱动器U1以及电阻R2，所述控制器通过电阻R2与第一驱动器U1的输入端连接，第一驱动器U1的一输出端与一所述第一输出单元连接，第一驱动器U1的另一输出端与另一所述第一输出单元连接。3.根据权利要求2所述直流伺服驱动器的并联驱动电路，其特征在于：一所述第一输出单元包括电阻R4和电阻R5，另一所述第一输出单元包括电阻R10和电阻R11；第一驱动器U1的一输出端通过电阻R4与MOS管M1的栅极连接，并且该输出端通过电阻R5与MOS管M2的栅极连接；第一驱动器U1的另一输出端通过电阻R10与MOS管M5的栅极连接，并且该输出端通过电阻R11与MOS管M6的栅极连接。4.根据权利要求1所述直...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘东峰，
申请(专利权)人：东莞市之川电机技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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