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光纤放大系统及光通信系统技术方案

技术编号:36068515 阅读:10 留言:0更新日期:2022-12-24 10:36
光纤放大系统(1000)具备第一光纤放大器(100A)和第二光纤放大器(100B),第一光纤放大器(100A)具备:第一光放大光纤(5A),具备添加了第一稀土类元素的芯部,且具有包层激发型的构造;第一输入部(2A),接受被输入至第一光放大光纤(5A)的芯部的第一信号光;激发光源(3Aa,3Ab),输出对第一稀土类元素进行光激发的激发光;激发光耦合器(4A),使激发光输入至第一光放大光纤(5A);以及残留激发光回收器(6A),回收从第一光放大光纤(5A)输出的残留激发光,第二光纤放大器(100B)具备:第二光放大光纤(5B),具备添加了用残留激发光进行光激发的第二稀土类元素的芯部,且具有包层激发型的构造;第二输入部(2B),接受被输入至第二光放大光纤(5B)的芯部的第二信号光;以及残留激发光耦合器(4B),使残留激发光回收器(6A)所回收的残留激发光输入至第二光放大光纤(5B)。的残留激发光输入至第二光放大光纤(5B)。的残留激发光输入至第二光放大光纤(5B)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光纤放大系统及光通信系统


[0001]本专利技术涉及光纤放大系统及光通信系统。

技术介绍

[0002]例如,在海底光通信等用途中,期待通过使用多芯EDFA(Erbium

Doped optical Fiber Amplifier,光纤放大器)作为光放大器,由此削减光放大器的消耗电力。
[0003]关于多芯EDFA,公知以下结构:使用双包层型的多芯EDF作为多芯光放大光纤,通过包层激发方式对芯部所包括的稀土类元素即铒(Er)进行光激发(参照非专利文献1、2)。
[0004]在先技术文献
[0005]非专利文献
[0006]非专利文献1:Kazi S Abedin et al,“Multimode Erbium Doped F iber Amplifiers for Space Division Multiplexing Systems”,JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY,VOL.32,NO.16,AUGUST 15,2014pp.2800

2808.
[0007]非专利文献2:Kazi S Abedin et al,“Cladding

pumped erbium

do ped multicore fiber amplifier”,OPTICS EXPRESS Vol.20,No.18 27 August 2012pp.20191

20200.

技术实现思路

[0008]‑
专利技术所要解决的课题

[0009]由于通信流量始终增加,所以为了增加通信容量,要求多芯光纤放大器的特性更加合适。例如,希望能够削减多芯光纤放大器的消耗电力。此外,并不局限于多芯光纤放大器,在单芯光放大器中,也希望能够削减消耗电力。
[0010]本专利技术是鉴于上述情形而完成的,其目的在于,提供一种削减了消耗电力的光纤放大系统及光通信系统。
[0011]‑
用于解决课题的手段

[0012]为了解决上述的课题并达成目的,本专利技术的一方式是一种光纤放大系统,具备第一光纤放大器和第二光纤放大器,该第一光纤放大器具备:第一光放大光纤,具备添加了第一稀土类元素的芯部,且具有包层激发型的构造;第一输入部,接受被输入至所述第一光放大光纤的芯部的第一信号光;激发光源,输出对所述第一稀土类元素进行光激发的激发光;激发光耦合器,使所述激发光输入至所述第一光放大光纤;以及残留激发光回收器,回收从所述第一光放大光纤输出的、作为所述激发光的一部分的残留激发光,该第二光纤放大器具备:第二光放大光纤,具备添加了用所述残留激发光进行光激发的第二稀土类元素的芯部,且具有包层激发型的构造;第二输入部,接受被输入至所述第二光放大光纤的芯部的第二信号光;以及残留激发光耦合器,使所述残留激发光回收器所回收的所述残留激发光输入至所述第二光放大光纤。
[0013]所述激发光耦合器、所述残留激发光回收器或者所述残留激发光耦合器也可以是
光纤型耦合器。
[0014]所述光纤型耦合器也可以是侧方耦合型耦合器。
[0015]所述激发光耦合器、所述残留激发光回收器或者所述残留激发光耦合器也可以是空间光学系统型耦合器。
[0016]所述第一光纤放大器也可以构成为,对在1525nm以上且1580nm以下的波段之中至少具有连续的25nm的带宽的第一波段所包括的波长的所述第一信号光进行光放大。
[0017]所述第二光纤放大器也可以构成为,对在1565nm以上且1625nm以下的波段之中至少具有连续的30nm的带宽的第二波段所包括的波长的所述第二信号光进行光放大。
[0018]也可以是,具备多个所述第二光纤放大器,所述残留激发光回收器对所述多个第二光纤放大器各自的所述残留激发光耦合器分配所回收的所述残留激发光。
[0019]也可以是,所述第一光纤放大器的相对于所述第一信号光的增益和所述第二光纤放大器的相对于所述第二信号光的增益在
±
1dB的范围内。
[0020]所述第一光放大光纤或者所述第二光放大光纤也可以具备多个所述芯部。
[0021]也可以是,所述第二光放大光纤具备的所述芯部的数量比所述第一光放大光纤具备的所述芯部的数量少。
[0022]也可以是,所述第二光放大光纤具备的内侧包层部的包层直径比所述第一光放大光纤具备的内侧包层部的包层直径小。
[0023]也可以是,所述第一稀土类元素及所述第二稀土类元素中的至少一方包括铒。
[0024]也可以是,所述第一稀土类元素及所述第二稀土类元素中的至少一方包括镱。
[0025]也可以是,所述第一稀土类元素及所述第二稀土类元素中的至少一方包括铒及镱。
[0026]也可以是,所述残留激发光回收器和所述残留激发光耦合器一体地构成。
[0027]本专利技术的一方式是具备所述光纤放大系统的光通信系统。
[0028]‑
专利技术效果

[0029]根据本专利技术,能够实现削减了消耗电力的光纤放大系统。
附图说明
[0030]图1是实施方式1所涉及的光纤放大系统的示意性的结构图。
[0031]图2A是图1所示的光放大光纤的示意性的剖视图。
[0032]图2B是图1所示的激发光耦合器的一例的示意性的结构图。
[0033]图3是实施方式2所涉及的光纤放大系统的示意性的结构图。
[0034]图4是实施方式3所涉及的光纤放大系统的示意性的结构图。
[0035]图5是实施方式4所涉及的光纤放大系统的示意性的结构图。
[0036]图6是实施方式5所涉及的光纤放大系统的示意性的结构图。
[0037]图7是实施方式6所涉及的光纤放大系统的示意性的结构图。
[0038]图8是表示实施方式7所涉及的光通信系统的结构的示意图。
具体实施方式
[0039]以下,参照附图出专利技术实施方式。另外,本专利技术并不限定于本实施方式。此外,在附
图的记载中,对相同或者对应的要素适当标注相同的附图标记。此外,附图是示意性的,需要注意各要素的尺寸的关系、各要素的比率等有时会与现实不同。在附图的相互之间,有时也包括彼此尺寸的关系、比率不同的部分。此外,本说明书中,关于没有特别定义的用语,适当遵循ITU

T(国际电信联盟)G.650.1及G.650.2中的定义、测定方法。
[0040](实施方式1)
[0041]图1是表示实施方式1所涉及的光纤放大系统的结构的示意图。光纤放大系统1000具备光放大器100A和光放大器100B。
[0042]<第一光纤放大器的结构>
[0043]作为第一光纤放大器的光放大器100A具备7个光隔离器1A、作为第一输入部的光纤扇入(FAN IN)2A、作为激发光源的半导体激光器3A本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光纤放大系统,具备第一光纤放大器和第二光纤放大器,所述第一光纤放大器具备:第一光放大光纤,具备添加了第一稀土类元素的芯部,且具有包层激发型的构造;第一输入部,接受被输入至所述第一光放大光纤的芯部的第一信号光;激发光源,输出对所述第一稀土类元素进行光激发的激发光;激发光耦合器,使所述激发光输入至所述第一光放大光纤;以及残留激发光回收器,回收从所述第一光放大光纤输出的、作为所述激发光的一部分的残留激发光,所述第二光纤放大器具备:第二光放大光纤,具备添加了用所述残留激发光进行光激发的第二稀土类元素的芯部,且具有包层激发型的构造;第二输入部,接受被输入至所述第二光放大光纤的芯部的第二信号光;以及残留激发光耦合器,使所述残留激发光回收器所回收的所述残留激发光输入至所述第二光放大光纤。2.根据权利要求1所述的光纤放大系统,其中,所述激发光耦合器、所述残留激发光回收器或者所述残留激发光耦合器是光纤型耦合器。3.根据权利要求2所述的光纤放大系统,其中,所述光纤型耦合器是侧方耦合型耦合器。4.根据权利要求1所述的光纤放大系统,其中,所述激发光耦合器、所述残留激发光回收器或者所述残留激发光耦合器是空间光学系统型耦合器。5.根据权利要求1~4中任一项所述的光纤放大系统,其中,所述第一光纤放大器构成为,对在1525nm以上且1580nm以下的波段之中至少具有连续的25nm的带宽的第一波段所包括的波长的所述第一信号光进行光放大。6.根据权利要求1~5中任一项所述的光纤放大系统,其中,所述第二光纤放大器构成为,对在1565nm以上且1625nm以下的波段之中至少具有连续的30nm的带宽的第二波段...

【专利技术属性】
技术研发人员:高坂繁弘前田幸一杉崎隆一钓谷刚宏高桥英宪森田逸郎
申请(专利权)人:KDDI株式会社
类型:发明
国别省市:

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