功率调节电路制造技术

功率调节电路包含检测单元、控制单元及放电元件。该检测单元包含第一端耦接于电容以接收感应电流，及第二端。该控制单元可根据该感应电流产生控制电流，包含第一端耦接于该检测单元的该第二端，第二端用于产生该控制电流，及第三端。该放电元件可根据该控制电流产生放电电流，包含第一端耦接于该控制单元的该第三端，及第二端耦接于该电容及该检测单元的该第一端，以产生该放电电流。当该检测单元的该第一端的受测电压升高，该感应电流及该控制电流上升，且该放电电流下降。且该放电电流下降。且该放电电流下降。

【技术实现步骤摘要】
功率调节电路


[0001]本专利技术关于一种功率调节电路，尤指一种当受测电压升高可使放电电流下降，从而使放电功率平稳的功率调节电路。

技术介绍

[0002]电源系统中常须对电容做放电动作，以满足规格的要求，放电功率必须响应于不同外部因素加以调节才能有足够的安全性。
[0003]为了不让放电功率过大，可采取以下方法，可使用多个放电元件，且控制致能一部分或全部放电元件，以调整放电程度。此外，可调整放电元件的占空比(duty cycle)，以调整放电元件放电及不放电的时间的比例，使放电功率的最大值不超过安全条件的限制。上述操作中，常使用定电流的放电元件，当在电容测得的受测电压上升时，放电功率也随之上升。因此，当受测电压上升时，放电功率易超过最大容许值，而造成危险。定电流的放电元件须在放电处的电压接近最高值时预留余量(margin)，以避免放电功率超过最大容许值，这也造成放电效率不佳。

技术实现思路

[0004]实施例提供一种功率调节电路，包含一检测单元、一控制单元及一放电元件。该检测单元包含一第一端耦接于一电容以接收一感应电流，及一第二端。该控制单元用于根据该感应电流产生一控制电流，包含一第一端耦接于该检测单元的该第二端，一第二端用于产生该控制电流，及一第三端。该放电元件用于根据该控制电流产生一放电电流，包含一第一端耦接于该控制单元的该第三端，及一第二端耦接于该电容及该检测单元的该第一端，以产生该放电电流。该电容通过该放电电流而放电，且当该检测单元的该第一端的一受测电压升高，该感应电流及该控制电流上升，且该放电电流下降。
附图说明
[0005]图1至图3为相异实施例中，功率调节电路的示意图。
[0006]图4为图3的放电功率及受测电压的关系图。
具体实施方式
[0007]图1为实施例中，功率调节电路100的示意图。功率调节电路100可包含检测单元110、控制单元120及放电元件130。
[0008]检测单元110包含第一端N11及第二端N12，第一端N11耦接于电容C以接收感应电流I
SEN
。控制单元120用于根据感应电流I
SEN
产生控制电流I
CTL
。控制单元120包含第一端N21、第二端N22及第三端N23，第一端N21耦接于检测单元110的第二端N12，且第二端N22用于产生控制电流I
CTL
。放电元件130用于根据控制电流I
CTL
产生放电电流I
DISC
。放电元件130包含第一端N31及第二端N32，第一端N31耦接于控制单元120的第三端N23，且第二端N32耦接于
电容C及检测单元110的第一端N11，以产生放电电流I
DISC
。电容C可通过放电电流I
DISC
而放电，且当检测单元110的第一端N11(也就是放电的节点)的受测电压V
DISC
升高，感应电流I
SEN
及控制电流I
CTL
可上升，且放电电流I
DISC
可下降。
[0009]由于电容C的放电功率(下文以P表示)可为放电电流I
DISC
及受测电压V
DISC
的乘积(也就是说，P＝V
DISC
×
I
DISC
)，当受测电压V
DISC
升高，使放电电流I
DISC
下降，可使放电功率P稳定。因此，可达成自适应控制(adaptive control)，实现定放电功率的放电操作，从而避免放电功率过高造成的危险，也可避免预留过多余量而导致放电效率不佳。
[0010]图2为另一实施例中，功率调节电路100的示意图。如图2所示，放电元件130可包含晶体管T1，晶体管T1可包含第一端、第二端及控制端，其中第一端可耦接于放电元件130的第二端N32，控制端可耦接于放电元件130的第一端N31，且第二端可耦接于参考电压端VSS。参考电压端VSS可例如为地端或低电压端。
[0011]如图2所示，控制单元120可包含晶体管T2及电阻R
CTL
。晶体管T2可包含第一端、第二端及控制端，其中控制端可耦接于控制单元120的第一端N21，且第二端可耦接于参考电压端VSS。电阻R
CTL
可包含第一端及第二端，其中第一端可耦接于参考电压端VDD，且第二端可耦接于晶体管T2的第一端。参考电压端VDD可例如为电源电压端或高电压端。
[0012]根据实施例，控制单元120可包含开关SW1及开关SW2。开关SW1可耦接于晶体管T2的第一端，及控制单元120的第三端N23之间。开关SW2可耦接于控制单元120的第三端N23，及参考电压端VSS之间。当开关SW1及SW2之一导通时，开关SW1及SW2的另一个截止。当开关SW1导通且开关SW2截止时，可执行实施例的操作，以调节及稳定电容C的放电功率。当开关SW1截止且开关SW2导通时，电容C可不放电。开关SW1及开关SW2可视需求选择性设置。
[0013]如图2所示，检测单元110可包含电阻R
SEN
及晶体管T3。电阻R
SEN
包含第一端及第二端，其中第一端可耦接于检测单元110的第一端N11。晶体管T3可包含第一端、控制端及第二端，其中第一端可耦接于电阻R
SEN
的第二端，控制端可耦接于晶体管T3的第一端及检测单元110的第二端N12，且第二端可耦接于参考电压端VSS。
[0014]图2中，受测电压V
DISC
及晶体管T3的阈值电压V
TH
的差值，除以电阻R
SEN
的阻值，所得的商可为感应电流I
SEN
，如下所示：I
SEN
＝(V
DISC
–
V
TH
)/R
SEN
。图2中，晶体管T3及T2可形成电流镜，故感应电流I
SEN
可正比于控制电流I
CTL
，故上述等式可表示为I
SEN
＝(V
DISC
–
V
TH
)/R
SEN
∝
I
CTL
；换句话说，当感应电压V
DISC
上升，感应电流I
SEN
及控制电流I
CTL
可随之上升。由于晶体管T2的第一端的电压V
CTL
可为参考电压端VDD的电压值减去电阻R
CTL
两端的跨压，也就是可表示为V
CTL
＝VDD
–
(I
CTL
×
R
CTL
)，因此当感应电压V
DISC
上升且控制电流I
CTL
随之上升时，电压V...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率调节电路，包含：一检测单元，包含一第一端耦接于一电容以接收一感应电流，及一第二端；一控制单元，用于根据该感应电流产生一控制电流，包含一第一端耦接于该检测单元的该第二端，一第二端用于产生该控制电流，及一第三端；以及一放电元件，用于根据该控制电流产生一放电电流，包含一第一端耦接于该控制单元的该第三端，及一第二端耦接于该电容及该检测单元的该第一端，以产生该放电电流；其中该电容通过该放电电流而放电，且当该检测单元的该第一端的一受测电压升高，该感应电流及该控制电流上升，且该放电电流下降。2.如权利要求1所述的功率调节电路，其中该放电元件还包含：一第一晶体管，包含一第一端耦接于该放电元件的该第二端，一控制端耦接于该放电元件的该第一端，及一第二端耦接于一第一参考电压端。3.如权利要求2所述的功率调节电路，其中该控制单元还包含：一第二晶体管，包含一第一端，一控制端耦接于该控制单元的该第一端，及一第二端耦接于该第一参考电压端；以及一第一电阻，包含一第一端耦接于一第二参考电压端，及一第二端耦接于该第二晶体管的该第一端。4.如权利要求3所述的功率调节电路，其中该控制单元还包含：一第一开关，耦接于该第二晶体管的该第一端，及该控制单元的该第三端之间；以及一第二开关，耦接于该控制单元的该第三端，及该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：锺毓伦，
申请(专利权)人：伟诠电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：