约束环、等离子处理装置及其排气控制方法制造方法及图纸

一种约束环、等离子处理装置及其排气控制方法，约束环环绕设置于等离子处理装置的反应腔内的基座外围与反应腔的侧壁之间，约束环包含形成一环形结构的至少一个环状组件，环状组件包含具有多个气体通道的主体部分，以及用于调节气体通道高度的高度调节装置。驱动环状组件中的高度调节装置运动，调节环状组件中的气体通道的高度，从而调节反应腔内气体流量分布。本发明专利技术通过多区域统一或分别调节约束环中气体通道的高度，从而调节并均衡反应腔内的气体流量分布，操作性强，适应性高。本发明专利技术可以在进气流量不变的情况下，降低反应腔内的气压，有利于反应腔内气体交换及反应副产物的抽出，减少反应副产物在晶圆上的沉积，从而提高刻蚀性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
约束环、等离子处理装置及其排气控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域的装置，尤其涉及一种约束环、等离子处理装置及其排气控制方法。

技术介绍

[0002]用于集成电路制造的等离子体处理工艺中包含等离子体沉积工艺和等离子体刻蚀工艺。在通过等离子体处理工艺加工晶圆的过程中，首先将晶圆固定放置在等离子反应腔内，晶圆上形成有图案化的微电子层。接着通过射频功率发射装置发射射频能量到等离子体反应腔内形成射频电场；然后各种反应气体(蚀刻气体或沉积气体)被注入到等离子反应腔中，在射频电场的作用下使注入的反应气体在晶圆上方被激励成等离子体状态；最后等离子体和晶圆之间发生化学反应和/或物理作用(比如刻蚀、沉积等等)形成各种特征结构，化学反应中形成的挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被抽真空系统抽出等离子反应腔。
[0003]为避免反应副产物在排出反应腔时携带等离子体至等离子体处理区域以外的区域对该区域造成损伤，通常在承载晶圆的基座与反应腔侧壁之间设置等离子体约束环(confinement ring)，也即FEIS Ring(Flow Equal本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子处理装置的约束环，所述等离子处理装置包含一反应腔，所述反应腔内设置一用于支撑基片的基座，其特征在于，所述约束环环绕设置于基座外围与反应腔的侧壁之间，所述约束环包含：至少一个环状组件，所述环状组件共同形成一环形结构；所述环状组件包含：主体部分，所述主体部分具有多个气体通道，用于将气体排放至约束环下方的排气区域；高度调节装置，所述高度调节装置用于调节所述气体通道的高度。2.如权利要求1所述的用于等离子处理装置的约束环，其特征在于，所述高度调节装置包含：沿所述气体通道的侧壁活动设置的延长部件，所述延长部件的形状与所述气体通道的形状相匹配。3.如权利要求2所述的用于等离子处理装置的约束环，其特征在于，所述气体通道为环状通道时，所述主体部分包含：至少两个同心设置的弧形挡板。4.如权利要求3所述的用于等离子处理装置的约束环，其特征在于，所述弧形挡板的长度从反应腔侧壁由外至内依次递减。5.如权利要求4所述的用于等离子处理装置的约束环，其特征在于，所述主体部分包含：至少一连接筋，所述连接筋用于连接所述弧形挡板。6.如权利要求3所述的用于等离子处理装置的约束环，其特征在于，所述高度调节装置包含：至少两个同心设置的弧形挡板延长片，所述弧形挡板延长片与所述弧形挡板活动连接。7.如权利要求6所述的用于等离子处理装置的约束环，其特征在于，所述弧形挡板延长片具有凹槽，所述凹槽用于容纳所述弧形挡板。8.如权利要求5所述的用于等离子处理装置的约束环，其特征在于，所述弧形挡板延长片的长度与其容纳的所述弧形挡板的长度匹配。9.如权利要求2所述的用于等离子处理装置的约束环，其特征在于，所述气体通道为孔状通道时，所述主体部分包含：多个通孔。10.如权利要求9所述的用于等离子处理装置的约束环，其特征在于，所述高度调节装置包含：多个延长管，所述延长管活动设置在与其匹配的所述通孔内。11.如权利要求1所述的用于等离子处理装置的约束环，其特征在于，所述气体通道的高度大于等于两倍的气体通道的宽度。12.如权利要求1所述的用于等离子处理装置的约束环，其特征在于，所述环状组件的数量为至少两个，所述环状组件呈扇形结构，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王乔慈，赵军，张彪，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：