一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路，开关Q2基极输入驱动信号GATE、集电极输出信号经电阻R5传输至MOS管Q1的栅极，MOS管Q1的源极接锂电BAT1的正极、MOS管Q1的栅极和源极之间连接电阻R1、MOS管Q1的漏极接电容EC1正极，电容EC1阴极接地；桥式驱动电路采用锂电BAT1供电，每相电路包含高边MOS和低边MOS两个MOS管，两个MOS管的基极分别输入相反的驱动信号，高边的MOS管漏极接锂电BAT1正极、源极与低边的MOS管的漏极连接并且接负载一相线，采用驱动信号GATE控制开关Q2、MOS管Q1的导通，实现电容EC1的充电，电容EC1反复充电后，电容上的电压与B+持平,避免大容值电容充电的瞬时大电流对电路的冲击，结构简单且调节方便。且调节方便。且调节方便。

【技术实现步骤摘要】
一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路


[0001]本技术涉及中小型锂电放电回路大容值电容的预充电
，具体为一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路。

技术介绍

[0002]现有的中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路，为一个功率电阻先预先给电容充电(避免大电流对电路的冲击)，再由单信号控制一个功率继电器开关使主回路导通的电路，这样的电路会浪费一个功率继电器与一个功率电阻，且会占用很大一部分PCB空间。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路，电路结构简单，通过调整控制信号GATE的输出占空比，从而调节锂电放电回路大容值电容EC1的充电速度。
[0004]为了实现上述目的，采用以下技术方案：包括:锂电BAT1、电容EC1、开关Q2、MOS管Q1和桥式驱动电路，开关Q2基极输入驱动信号GATE、集电极输出信号经电阻R5传输至MOS管Q1的栅极，MOS管Q1的源极接锂电BAT1的正极、MOS管Q1的栅极和源极之间连接电阻R1、MOS管Q1的漏极接电容EC1正极，电容EC1阴极接地；桥式驱动电路采用锂电BAT1供电，每相电路包含高边MOS和低边MOS两个MOS管，每相电路的两个MOS管的基极分别输入相反的驱动信号，高边的MOS管漏极接锂电BAT1正极、源极与低边的MOS管的漏极连接并且接负载一相线，低边MOS管的源极接地；驱动信号GATE的电平的高低实现开关Q2、MOS管Q1的导通或截止，实现对电容EC1充电、断电，且电容EC1充电、断电的频率由驱动信号GATE的脉冲宽度来决定。
[0005]进一步的，开关Q2的基极接电阻R3，开关Q2的发射极接地、发射极和基极之间连接电阻R4。
[0006]进一步的，桥式驱动电路采用三相桥式驱动电路，高边MOS的源极和低边MOS的漏极相连且连接负载一相线，三相桥式的输出端分别接负载的三相线。
[0007]进一步的，三相桥式驱动电路，每相两个MOS管都选用N
‑
MOS管。
[0008]进一步的，开关Q2选用NPN型三极管。
[0009]进一步的，MOS管Q1选用P型MOS管。
[0010]有益效果：本技术采用开关Q2、MOS管Q1作为开关，驱动信号GATE的电平高低控制开关Q2、MOS管Q1的导通、截止，以此实现电容EC1的充电、断电，电容EC1反复充电后，电容上的电压与B+持平,避免大容值电容充电的瞬时大电流对电路的冲击，结构简单且调节方便，只需调整驱动信号GATE的输出占空比，从而调节锂电BAT1放电回路大容值电容EC1的充电速度。
附图说明
[0011]图1是本技术的电路原理图。
具体实施方式
[0012]以下结合附图对本技术作进一步详细说明。
[0013]图1所示，包括:锂电BAT1、电容EC1、开关Q2、P型MOS管Q1和桥式驱动电路，开关Q2选用NPN型三极管，开关Q2基极经过电阻R3输入驱动信号GATE、基极和发射极之间连接电阻R4、发射极接地、集电极输出信号，驱动信号GATE为高电平时，开关Q2导通，此时开关Q2的集电极输出信号经电阻R5传输至MOS管Q1的栅极。
[0014]MOS管Q1的源极接锂电BAT1的正极B+、MOS管Q1的栅极和源极之间连接电阻R1、MOS管Q1的漏极接电容EC1正极，电容EC1阴极接地，当信号GATE为高电平时，开关Q2打开，电阻R1与R5分压，Vsg＝B+*(R1/(R1+R5))，MOS管Q1打开，此时B+给电容EC1充电，当驱动信号GATE为低电平时，开关Q2关闭，电阻R1与R5不分压，Vsg＝0V,MOS管Q1关闭，此时电容EC1停止充电。
[0015]桥式驱动电路采用锂电BAT1供电，桥式驱动电路采用三相桥式驱动电路，三相输出端连接负载的三相线。
[0016]进一步的，三相桥式驱动电路，每相电路包含高边MOS和低边MOS两个MOS管，每相电路的两个MOS管都选用N
‑
MOS管，每相电路的两个MOS管的基极分别输入相反的驱动信号，高边的MOS管漏极接锂电BAT1正极、源极与低边的MOS管的漏极连接并且接负载一相线，低边MOS管的源极接地。
[0017]如图所示，三相桥式驱动电路采用MOS管Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8六个N型MOS管，其中，高边MOS管为MOS管Q3、Q4、Q5，低边的MOS管为MOS管Q6、Q7、Q8。
[0018]其中MOS管Q5、Q6位于同一相，MOS管Q5的栅极经电阻R2输入驱动信号HO
‑
U，MOS管Q5的漏极接锂电BAT1正极、源极与栅极之间连接电阻R6、源极与MOS管Q6的漏极连接且接负载一相线；MOS管Q6的源极接地、源极和栅极之间连接电阻R14、栅极经过电阻R11输入驱动信号LO
‑
U，LO
‑
U与HO
‑
U相反。
[0019]其中MOS管Q3、Q7位于同一相，MOS管Q3的栅极经电阻R9输入驱动信号HO
‑
V，MOS管Q3的漏极接锂电BAT1正极、源极与栅极之间连接电阻R7、源极与MOS管Q7的漏极连接且接负载又一相线；MOS管Q7的源极接地、源极和栅极之间连接电阻R15、栅极经过电阻R12输入驱动信号LO
‑
V，LO
‑
V与HO
‑
V相反。
[0020]其中MOS管Q4、Q8位于同一相，MOS管Q4的栅极经电阻R10输入驱动信号HO
‑
W，MOS管Q4的漏极接锂电BAT1正极、源极与栅极之间连接电阻R8、源极与MOS管Q8的漏极连接且接负载第三相线；MOS管Q8的源极接地、源极和栅极之间连接电阻R16、栅极经过电阻R13输入驱动信号LO
‑
W，LO
‑
W与HO
‑
W相反。
[0021]上述电路中，三相桥式驱动电路的6个MOS管处于大电流工作状态，锂电BAT1的瞬时放电电能不足时,需要电容EC1做为储能容器，为了避免大容值电容EC1充电的瞬时大电流对电路的冲击,此时MOS管Q1做为开关，适时给EC1充电，驱动信号GATE为高电平，开关Q2、MOS管Q1的导通，实现对电容EC1充电；驱动信号GATE为低电平时，开关Q2、MOS管Q1截止，电容EC1停止充电，如此反复，最终使电容EC1上的电压与B+持平，通过调整GATE的输出占空
比，从而调节锂电放电回路大容值电容EC1的充电速度。
[0022]本具体实施方式的实施例均为本技术的较佳实施例，并非依此限制本技术的保护范围，故：凡依本技术的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路，包括:锂电BAT1、电容EC1、开关Q2、MOS管Q1和桥式驱动电路，其特征在于：开关Q2基极输入驱动信号GATE、集电极输出信号经电阻R5传输至MOS管Q1的栅极，MOS管Q1的源极接锂电BAT1的正极、MOS管Q1的栅极和源极之间连接电阻R1、MOS管Q1的漏极接电容EC1正极，电容EC1阴极接地；桥式驱动电路采用锂电BAT1供电，每相电路包含高边MOS和低边MOS两个MOS管，两个MOS管的基极分别输入相反的驱动信号，高边的MOS管漏极接锂电BAT1正极、源极与低边的MOS管的漏极连接并且接负载一相线，低边MOS管的源极接地。2.根据权利要求1所述的一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路，其特征在于：开关Q2...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁晨亮，
申请(专利权)人：无锡上泓智能技术有限公司，
类型：新型
国别省市：