跟踪温度的电流源失配前台校准电路及方法技术

本发明专利技术提供一种跟踪温度的电流源失配前台校准电路及方法，所述电路包括：待校准电流源；参考电流源；含温度信息电流产生模块，产生含有温度信息的工作电流；跟踪温度校准模块。在本发明专利技术中，先产生含有温度信息的工作电流，再根据工作电流对待校准电流源与参考电流源之间的失配进行校准补偿，为待校准电流源提供目标校准电流，且得到的目标校准电流自动跟踪温度变化，与传统的电流源阵列失配前台校准技术相比，不需要通过额外改变环境温度后重新进行校准，在减小校准时间和费用的情况下，提升了晶体管电流源阵列失配的前台校准的温度稳定性；在校准补偿时，可通过多次迭代调节找出普适的稳定的目标校准电流，提高了前台校准的精度。精度。精度。

【技术实现步骤摘要】
跟踪温度的电流源失配前台校准电路及方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种跟踪温度的电流源失配前台校准电路及方法。

技术介绍

[0002]器件的匹配是模拟集成电路最关键的特性之一，先进的制造工艺技术虽然带来了晶体管特征尺寸的缩小，晶体管寄生参数的减小，器件工作速率的提升。同时也带来了由于晶体管尺寸减小所导致的晶体管电流源阵列失配问题，许多模拟或混合信号集成电路中，电路架构中需要设计较大规模的电流源阵列的，例如高速高精度电流舵D/A转换器，其电路的静态线性误差、以及其输出频谱的杂散，都严重依赖于晶体管电流源阵列的匹配性能。因此，由于D/A转换器转换速率的不断提升，必须采用特征尺寸更小的先进纳米级工艺，而先进纳米工艺所带来的晶体管电流源阵列的失配问题更加突出，为了确保高速D/A转换器的性能指标，必须对高速电流舵D/A转换器的电流源阵列进行校准。
[0003]D/A转换器电流源阵列的校准方法，以工作模式分为前台和后台两类校准。后台校准是在D/A转换器正常工作时进行的，能够及时跟踪工作温度的变化。然而，后台校准电路如感应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种跟踪温度的电流源失配前台校准电路，其特征在于，包括：待校准电流源；参考电流源；含温度信息电流产生模块，产生含有温度信息的工作电流；跟踪温度校准模块，接所述待校准电流源、所述参考电流源及所述含温度信息电流产生模块，根据所述工作电流对所述待校准电流源与所述参考电流源之间的失配进行校准补偿，为所述待校准电流源提供目标校准电流，且所述目标校准电流自动跟踪温度变化。2.根据权利要求1所述的跟踪温度的电流源失配前台校准电路，其特征在于，所述含温度信息电流产生模块包括第一偏置电流产生单元、第二偏置电流产生单元、第一偏置电压产生单元、第二偏置电压产生单元、第三偏置电压产生单元、第一电流镜及第二电流镜，所述第一偏置电流产生单元的输入端连接第一偏置电压，所述第一偏置电流产生单元的第一输出端连接所述第一偏置电压产生单元的第一输入端，所述第一偏置电流产生单元的第二输出端连接所述第一偏置电压产生单元的第二输入端，所述第一偏置电压产生单元的第一输出端连接所述第一电流镜的第一输入端，所述第一偏置电压产生单元的第二输出端连接所述第一电流镜的第二输入端，所述第一偏置电流产生单元的第二输出端连接所述第一电流镜的第三输入端，所述第一电流镜的第一输出端连接所述第二偏置电压产生单元的第一输入端，所述第一电流镜的第二输出端连接所述第二偏置电压产生单元的第二输入端，所述第一电流镜的第三输出端连接所述第三偏置电压产生单元的第一电流输入端，所述第二偏置电压产生单元的第一输出端连接所述第二电流镜的第一输入端，所述第二偏置电压产生单元的第二输出端连接所述第二电流镜的第二输入端，所述第二电流镜的第三输入端接所述第一电流镜的第二输出端，所述第二电流镜的输出端连接所述第三偏置电压产生单元的第二电流输入端，所述第三偏置电压产生单元的电压输入端连接第二偏置电压，所述第三偏置电压产生单元的第一电压输出端连接所述第二偏置电流产生单元的第一输入端，所述第三偏置电压产生单元的第二电压输出端连接所述第二偏置电流产生单元的第二输入端，所述第二偏置电流产生单元的第三输入端接第三偏置电压，所述第二偏置电流产生单元的输出端输出所述工作电流。3.根据权利要求2所述的跟踪温度的电流源失配前台校准电路，其特征在于，所述第一偏置电流产生单元包括放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻及第二电阻，所述，所述放大器的同相输入端接所述第一偏置电压，所述放大器的反相输入端接所述第二NMOS管的源极，所述第一NMOS管的源极经串接的所述第一电阻后接地，所述第二NMOS管的源极经串接的所述第二电阻后接地，所述放大器的输出端分别接所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极，其中，所述放大器的同相输入端为所述第一偏置电流产生单元的输入端，所述第一NMOS管的漏极为所述第一偏置电流产生单元的第一输出端，所述第二NMOS管的漏极为所述第一偏置电流产生单元的第二输出端。4.根据权利要求3所述的跟踪温度的电流源失配前台校准电路，其特征在于，所述第一偏置电压产生单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管及第四PMOS管，所述第一PMOS管的源极接工作电压，所述第一PMOS管的漏极接接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极接接所述第二PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的源极接所述工作电压，所述第三PMOS管的漏极接所述第四PMOS管的源极，所述第四PMOS管的漏极接所述第三PMOS管的栅
极，所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极及所述第四PMOS管的栅极短接，其中，所述第二PMOS管的漏极为所述第一偏置电压产生单元的第一输入端，所述第四PMOS管的漏极为所述第一偏置电压产生单元的第二输入端，所述第一PMOS管的栅极为所述第一偏置电压产生单元的第一输出端，所述第三PMOS管的栅极为所述第一偏置电压产生单元的第二输出端。5.根据权利要求4所述的跟踪温度的电流源失配前台校准电路，其特征在于，所述第二偏置电压产生单元包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管，所述第三NMOS管的漏极接所述第三NMOS管的栅极，所述第三NMOS管的源极接所述第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的源极接地，所述第五NMOS管的漏极接所述第六NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的栅极接所述第四NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的源极接所述第六NMOS管的漏极，所述第六NMOS管的源极接地，其中，所述第三NMOS管的漏极为所述第二偏置电压产生单元的第一输入端，所述第五NMOS管的漏极为所述第二偏置电压产生单元的第二输入端，所述第四NMOS管的栅极为所述第二偏置电压产生单元的第一输出端，所述第六NMOS管的栅极为所述第二偏置电压产生单元的第二输出端。6.根据权利要求5所述的跟踪温度的电流源失配前台校准电路，其特征在于，所述第一电流镜包括所述第三PMOS管、所述第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管及第十PMOS管，所述第五PMOS管的源极接所述工作电压，所述第五PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极，所述第五PMOS管的栅漏极接所述第六PMOS管的源极，所述第六PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极，所述第七PMOS管的源极接所述工作电压，所述第七PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极，所述第七PMOS管的漏极接所述第八PMOS管的源极，所述第八PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极，所述第九PMOS管的源极接所述工作电压，所述第九PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极，所述第九PMOS管的漏极接所述第十PMOS管的源极，所述第十PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极，其中，所述第四PMOS管的栅极为所述第一电流镜的第一输入端，所述第三PMOS管的栅极为所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨卫东，刘军，马世碧，温显超，朱璨，藏剑栋，
申请(专利权)人：重庆吉芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：