一种降低4.5um锂电箔针孔的方法技术

技术编号:36032471 阅读:30 留言:0更新日期:2022-12-21 10:34
本发明专利技术公开了一种降低4.5um锂电箔针孔的方法,该方法包括以下步骤:S1将制备好的添加剂混合物经过充分搅拌后储存在添加剂储存罐中,添加剂混合物包括走位剂、光亮剂、整平剂;S2将添加剂过滤,流入电解液系统中与硫酸铜电解液在净液罐混合;S3在净液泵的作用下,成品电解液被输送至阳极槽中进行氧化还原反应,电镀成4.5um锂电铜箔。该方法通过合理的添加剂配制工艺,经过充分的搅拌使得添加剂溶解充分,通过合理的添加剂选型,在电镀的过程中,使得铜箔整体生长均匀,降低了4.5um铜箔针孔发生率,提高了4.5um铜箔的成品率,降低了生产成本,降低了下游工序因针孔问题涂覆漏浆或导电性差的问题,提高了电池的寿命。提高了电池的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种降低4.5um锂电箔针孔的方法


[0001]本专利技术涉及电解铜箔
,具体来说,涉及一种降低4.5um锂电箔针孔的方法。

技术介绍

[0002]从锂电铜箔的产业链分布看,锂电铜箔主要用于锂电池的负极集流体,锂电池主要用于新能源汽车动力电池、3C数码以及储能系统。由于动力电池的需求持续增加,全球的锂电铜箔产量也呈逐年增长趋势,铜箔由于导电性强、质地柔软、制造工艺成熟,性价比高,价格相对低等特点,成为了锂电子电池负极集流体的首选。
[0003]从铜箔技术的发展角度趋势中,可以看出,铜箔轻薄化已成为电池发储能发展的一种趋势(铜箔越薄,重量就会越轻,电池整体的能量密度就会越高);但铜箔越薄,铜箔制造相应的问题也会越大越多,例如针孔就一直是4.5um制造过程中经常出现的顽疾。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中的上述技术问题,本专利技术提出一种降低4.5um锂电箔针孔的方法,能够克服现有技术的上述不足。
[0005]为实现上述技术目的,本专利技术的技术方案是这样实现的:一种降低4.5um锂电箔针孔的方法,包括以下步骤:S1将制备好的添加剂混合物经过充分搅拌后储存在添加剂储存罐中,所述添加剂混合物包括走位剂、光亮剂、整平剂,其中走位剂为PEG6000,整平剂为胶原蛋白、聚乙烯亚胺,光亮剂为巯基咪磋丙烷磺酸钠,所述添加剂搅拌的速度为30
±
5r/min,搅拌时长为2

2.5h;S2将搅拌充分的添加剂过滤后,通过添加剂流量泵流入电解液系统中与经过过滤的硫酸铜电解液在净液罐混合;S3混合溶液在净液罐中,在净液泵的作用下,成品电解液被输送至生箔系统中进行氧化还原反应,生箔系统中的光亮剂浓度为15

18ppm,走位剂浓度为14

16ppm,整平剂浓度为10

12pm,氯离子浓度为40

43ppm,生成4.5um锂电铜箔。
[0006]进一步的,所述添加剂的流量为7
±
0.2L/h。
[0007]进一步的,所述净液罐中的铜离子浓度为90

92g/L。
[0008]进一步的,所述净液罐中的氢离子浓度为105

108g/L。
[0009]进一步的,所述生产锂电铜箔的直流电为40kA,生产锂电铜箔的速度为12.5m/min,锂电铜箔的单位面积重量为40
±
1g/m2。
[0010]本专利技术的有益效果:本专利技术的降低4.5um锂电箔针孔的方法通过合理的添加剂配制工艺,经过充分的搅拌使得添加剂溶解充分,通过合理的添加剂选型,在电镀的过程中,使得铜箔整体生长均匀,降低了4.5um铜箔针孔发生率,提高了4.5um铜箔的成品率,降低了生产成本,降低了下游工序因针孔问题涂覆漏浆或导电性差的问题,提高了电池的寿命。
具体实施方式
[0011]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0012]为了方便理解本专利技术的上述技术方案,以下通过具体使用方式上对本专利技术的上述技术方案进行详细说明。
[0013]实施例1将制备好的硫酸铜电解液与已搅拌添加剂混合物及氯离子经过过滤后储存在净液罐中,添加剂搅拌速度为20

25r/min,搅拌时间为1

2h,光亮剂采用巯基咪磋丙烷磺酸钠,浓度为10

15ppm,走位剂采用PEG6000,浓度为10

14ppm,整平剂采用胶原蛋白,浓度为12

14ppm,电解液系统中氯离子浓度为30

35ppm,生产的电流为40kA,铜箔单位面积质量为54
±
1.0g/m2;连续生箔10000m后,下卷暗箱检测铜箔针孔数量,样品要求:围绕钛辊三周长度裁剪3条整幅宽样品,具体如下:实施例2
将制备好的硫酸铜电解液与已搅拌添加剂混合物及氯离子经过过滤后储存在净液罐中,添加剂搅拌速度为:20

30r/min,搅拌时间为2

2.5h,光亮剂采用巯基咪磋丙烷磺酸钠,浓度为15

18ppm,走位剂采用PEG6000,浓度为14

16ppm,整平剂采用胶原蛋白,浓度为10

12ppm,电解液系统中氯离子浓度为40

43ppm,生产的电流为40kA,铜箔单位面积质量为54
±
1.0g/m2;连续生箔10000m后,下卷暗箱检测铜箔针孔数量,样品要求:围绕钛辊三周长度裁剪3条整幅宽样品,具体如下:实施例3将制备好的硫酸铜电解液与已搅拌添加剂混合物及氯离子经过过滤后储存在净液罐中,添加剂搅拌速度为:35

40r/min,搅拌时间为0.5

1h,光亮剂采用巯基咪磋丙烷磺酸钠,浓度为18

20ppm,走位剂采用PEG6000,浓度为16

24ppm,整平剂采用胶原蛋白,浓度为14

18ppm,电解液系统中氯离子浓度为35

40ppm,生产的电流为40kA,铜箔单位面积质量为54
±
1.0g/m2;连续生箔10000m后,下卷暗箱检测铜箔针孔数量,样品要求:围绕钛辊三周长度裁剪3条整幅宽样品,具体如下:
实施例4将制备好的硫酸铜电解液与已搅拌添加剂混合物及氯离子经过过滤后储存在净液罐中,添加剂搅拌速度为15

20r/min,搅拌时间为2.5

3g,光亮剂采用巯基咪磋丙烷磺酸钠,浓度为20

24ppm,走位剂采用PEG6000,浓度为24

26ppm,整平剂采用胶原蛋白,浓度为18

20ppm,电解液系统中氯离子浓度为43

45ppm,生产的电流为40kA,铜箔单位面积质量为54
±
1.0g/m2;连续生箔10000m后,下卷暗箱检测铜箔针孔数量,样品要求:围绕钛辊三周长度裁剪3条整幅宽样品,具体如下:
总结:相较于实施例1、3、4的效果,实施例2中按照本专利技术的方法:添加剂搅拌的速度为30
±
5r/min,搅拌时长为2

2.5h,生箔系统中的光亮剂浓度为15

18ppm,走位剂浓度为14

16ppm,整平剂浓度为10

12pm,氯离子浓度为40

43ppm,最终反馈到4.5um成品箔针孔为0个,提高了4.5um成本箔的成品率,可见本专利技术达到了预期效果。
[001本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低4.5um锂电箔针孔的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1将制备好的添加剂混合物经过充分搅拌后储存在添加剂储存罐中,所述添加剂混合物包括走位剂、光亮剂、整平剂,其中走位剂为PEG6000,整平剂为胶原蛋白、聚乙烯亚胺,光亮剂为巯基咪磋丙烷磺酸钠,所述添加剂搅拌的速度为30
±
5r/min,搅拌时长为2

2.5h;S2将搅拌充分的添加剂过滤后,通过添加剂流量泵流入电解液系统中与经过过滤的硫酸铜电解液在净液罐混合;S3混合溶液在净液罐中,在净液泵的作用下,成品电解液被输送至生箔系统中进行氧化还原反应,生箔系统中的光亮剂浓度为15

18ppm,走位剂浓度为14

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【专利技术属性】
技术研发人员:宗道球周加珍江泱杨帅国
申请(专利权)人:九江德福科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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