发声装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发声装置和电子设备，所述发声装置包括磁路系统、第一振动系统和第二振动系统，磁路系统包括磁轭和设于磁轭上的磁体组，磁路系统设有安装腔和连通安装腔的前声通道，前声通道在磁轭上的投影面积小于安装腔在磁轭上的投影面积；第一振动系统设于安装腔内，并对应前声通道设置；第二振动系统设于磁路系统上，第二振动系统设有连通孔，连通孔与前声通道对应连通。本发明专利技术旨在提供一种内嵌式双单元结构的发声装置，使得发声装置同时保证低频段和高频段的音质，且不增加发声装置的体积。积。积。

【技术实现步骤摘要】
发声装置和电子设备


[0001]本专利技术涉及电声转换
，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的电子设备。

技术介绍

[0002]发声器件是电子设备中的重要声学部件，其为一种把电信号转变为声信号的换能器件。根据当前TWS发声器件市场对声学相关的需求，主要是ANC和高频音质提升，即需要满足对全频段音质的追求，同时发声器件单元内核又逐渐小型化，市场急需要同时兼顾低频段和高频段的声学性能且体积又不大的内核。但是，相关技术中的发声器件无法兼顾低频段和高频段的音质，同时不增加发声器件的体积。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提供一种发声装置和电子设备，旨在提供一种内嵌式双单元结构的发声装置，使得发声装置同时保证低频段和高频段的音质，且不增加发声装置的体积。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出一种发声装置，所述发声装置包括：
[0005]磁路系统，包括磁轭(1)和设于所述磁轭上的磁体组(2)，所述磁路系统设有安装腔(21a)和连通所述安装腔(21a)的前声通道(2121)，所述前声通道(2121)在所述磁轭(1)上的投影面积小于所述安装腔(21a)在所述磁轭(1)上的投影面积；
[0006]第一振动系统(3)，所述第一振动系统(3)设于所述安装腔(21a)内，并对应所述前声通道(2121)设置；及
[0007]第二振动系统(4)，所述第二振动系统(4)设于所述磁路系统上，所述第二振动系统(4)设有连通孔(411)，所述连通孔(411)与所述前声通道(2121)对应连通。
[0008]在一实施例中，所述磁体组(2)包括：
[0009]中心磁路组(21)，所述中心磁路组(21)包括第一磁路组(211)和第二磁路组(212)，所述第一磁路组(211)设于所述磁轭(1)上，所述第二磁路组(212)设于所述第一磁路组(211)背向所述磁轭(1)的一侧，并与所述第一磁路组(211)围合形成所述安装腔(21a)，所述第二磁路组(212)设有所述前声通道(2121)；和
[0010]边磁路组(22)，所述边磁路组(22)设于所述磁轭(1)上，并环绕所述第一磁路组(211)、所述第二磁路组(212)设置，所述边磁路组(22)与所述第一磁路组(211)、所述第二磁路组(212)间隔以形成第一磁间隙(23)。
[0011]在一实施例中，所述第一磁路组(211)设有第二磁间隙(2111)，所述第二磁间隙(2111)与所述前声通道(2121)位于所述第一振动系统(3)的相对两侧；
[0012]其中，所述第二磁间隙(2111)在所述磁轭(1)上的投影环绕所述前声通道(2121)在所述磁轭(1)上的投影。
[0013]在一实施例中，所述第一磁路组(211)包括：
[0014]中心磁路部(2112)，所述中心磁路部(2112)设于所述磁轭(1)上；和
[0015]边磁路部(2115)，所述边磁路部(2115)设于所述磁轭(1)上，并环绕所述中心磁路部(2112)设置，所述边磁路部(2115)与所述中心磁路部(2112)间隔以形成所述第二磁间隙(2111)，所述第二磁路组(212)设于所述边磁路部(2115)背向所述磁轭(1)的一侧，使所述第二磁路组(212)、所述边磁路部(2115)及所述中心磁路部(2112)围合形成所述安装腔(21a)，所述边磁路组(22)与所述边磁路部(2115)、所述第二磁路组(212)间隔以形成所述第一磁间隙(23)；
[0016]其中，所述前声通道(2121)在所述磁轭(1)上的投影位于所述中心磁路部(2112)在所述磁轭(1)上的投影范围内，且所述前声通道(2121)在所述磁轭(1)上的投影面积小于所述中心磁路部(2112)在所述磁轭(1)上的投影面积。
[0017]在一实施例中，所述中心磁路部(2112)包括中心磁铁(2113)和中心导磁板(2114)，所述中心磁铁(2113)设于所述磁轭(1)上，并与所述边磁路部(2115)间隔，所述中心导磁板(2114)设于所述中心磁铁(2113)背向所述磁轭(1)的一侧，并与所述边磁路部(2115)间隔；
[0018]所述边磁路部(2115)包括第一边磁铁(2116)和第一边导磁板(2117)，所述第一边磁铁(2116)设于所述磁轭(1)上，并位于所述中心磁铁(2113)和所述边磁路组(22)之间，所述第一边导磁板(2117)设于所述第一边磁铁(2116)背向所述磁轭(1)的一侧，并位于所述中心导磁板(2114)和所述边磁路组(22)之间，所述第二磁路组(212)设于所述第一边导磁板(2117)背向所述第一边磁铁(2116)的一侧，并与所述中心导磁板(2114)间隔且相对；
[0019]所述第一边导磁板(2117)面向所述中心导磁板(2114)的一侧设有安装槽(2118)，所述第一振动系统(3)的周缘容纳并限位于所述安装槽(2118)内。
[0020]在一实施例中，所述第一振动系统(3)包括：
[0021]第一振膜(31)，所述第一振膜(31)的周缘限位于所述安装槽(2118)内，并与所述中心导磁板(2114)相对，所述第一振膜(31)位于所述第二磁路组(212)和所述中心导磁板(2114)之间；和
[0022]第一音圈(32)，所述第一音圈(32)与所述第一振膜(31)面向所述中心导磁板(2114)的一侧连接，并与所述第二磁间隙(2111)对应，所述第一音圈(32)环绕所述中心导磁板(2114)设置。
[0023]在一实施例中，所述第一振动系统(3)还包括设于所述安装槽(2118)的两个支撑块(33)，所述第一振膜(31)的周缘夹设于两个所述支撑块(33)之间；
[0024]且/或，所述第二磁路组(212)包括环形磁铁(2122)和环形导磁板(2123)，所述环形磁铁(2122)设于所述第一边导磁板(2117)背向所述第一边磁铁(2116)的一侧，并与所述中心导磁板(2114)间隔且相对，所述环形导磁板(2123)设于所述环形磁铁(2122)背向所述第一边导磁板(2117)的一侧，并与所述第二振动系统(4)连接，所述前声通道(2121)贯通所述环形磁铁(2122)和所述环形导磁板(2123)；
[0025]且/或，所述中心导磁板(2114)的面积小于所述中心磁铁(2113)的面积；
[0026]且/或，所述前声通道(2121)在所述磁轭(1)上的投影面积小于所述中心导磁板(2114)的面积；
[0027]且/或，所述第一振膜(31)为平面振膜。
[0028]在一实施例中，所述边磁路组(22)包括：
[0029]第二边磁铁(221)，所述第二边磁铁(221)设于所述磁轭(1)上，并环绕所述第一磁路组(211)和所述第二磁路组(212)设置；和
[0030]第二边导磁板(222)，所述第二边导磁板(222)设于所述第二边磁铁(221)背向所述磁轭(1)的一侧，并环绕所述中心磁路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发声装置(100)，其特征在于，所述发声装置(100)包括：磁路系统，包括磁轭(1)和设于所述磁轭上的磁体组(2)，所述磁路系统设有安装腔(21a)和连通所述安装腔(21a)的前声通道(2121)，所述前声通道(2121)在所述磁轭(1)上的投影面积小于所述安装腔(21a)在所述磁轭(1)上的投影面积；第一振动系统(3)，所述第一振动系统(3)设于所述安装腔(21a)内，并对应所述前声通道(2121)设置；及第二振动系统(4)，所述第二振动系统(4)设于所述磁路系统上，所述第二振动系统(4)设有连通孔(411)，所述连通孔(411)与所述前声通道(2121)对应连通。2.如权利要求1所述的发声装置(100)，其特征在于，所述磁体组(2)包括：中心磁路组(21)，所述中心磁路组(21)包括第一磁路组(211)和第二磁路组(212)，所述第一磁路组(211)设于所述磁轭(1)上，所述第二磁路组(212)设于所述第一磁路组(211)背向所述磁轭(1)的一侧，并与所述第一磁路组(211)围合形成所述安装腔(21a)，所述第二磁路组(212)设有所述前声通道(2121)；和边磁路组(22)，所述边磁路组(22)设于所述磁轭(1)上，并环绕所述第一磁路组(211)、所述第二磁路组(212)设置，所述边磁路组(22)与所述第一磁路组(211)、所述第二磁路组(212)间隔以形成第一磁间隙(23)。3.如权利要求2所述的发声装置(100)，其特征在于，所述第一磁路组(211)设有第二磁间隙(2111)，所述第二磁间隙(2111)与所述前声通道(2121)位于所述第一振动系统(3)的相对两侧；其中，所述第二磁间隙(2111)在所述磁轭(1)上的投影环绕所述前声通道(2121)在所述磁轭(1)上的投影。4.如权利要求3所述的发声装置(100)，其特征在于，所述第一磁路组(211)包括：中心磁路部(2112)，所述中心磁路部(2112)设于所述磁轭(1)上；和边磁路部(2115)，所述边磁路部(2115)设于所述磁轭(1)上，并环绕所述中心磁路部(2112)设置，所述边磁路部(2115)与所述中心磁路部(2112)间隔以形成所述第二磁间隙(2111)，所述第二磁路组(212)设于所述边磁路部(2115)背向所述磁轭(1)的一侧，使所述第二磁路组(212)、所述边磁路部(2115)及所述中心磁路部(2112)围合形成所述安装腔(21a)，所述边磁路组(22)与所述边磁路部(2115)、所述第二磁路组(212)间隔以形成所述第一磁间隙(23)；其中，所述前声通道(2121)在所述磁轭(1)上的投影位于所述中心磁路部(2112)在所述磁轭(1)上的投影范围内，且所述前声通道(2121)在所述磁轭(1)上的投影面积小于所述中心磁路部(2112)在所述磁轭(1)上的投影面积。5.如权利要求4所述的发声装置(100)，其特征在于，所述中心磁路部(2112)包括中心磁铁(2113)和中心导磁板(2114)，所述中心磁铁(2113)设于所述磁轭(1)上，并与所述边磁路部(2115)间隔，所述中心导磁板(2114)设于所述中心磁铁(2113)背向所述磁轭(1)的一侧，并与所述边磁路部(2115)间隔；所述边磁路部(2115)包括第一边磁铁(2116)和第一边导磁板(2117)，所述第一边磁铁(2116)设于所述磁轭(1)上，并位于所述中心磁铁(2113)和所述边磁路组(22)之间，所述第一边导磁板(2117)设于所述第一边磁铁(2116)背向所述磁轭(1)的一侧，并位于所述中心
导磁板(2114)和所述边磁路组(22)之间，所述第二磁路组(212)设于所述第一边导磁板(2117)背向所述第一边磁铁(2116)的一侧，并与所述中心导磁板(2114)间隔且相对；所述第一边导磁板(2117)面向所述中心导磁板(2114)的一侧设有安装槽(2118)，所述第一振动系统(3)的周缘容纳并限位于所述安装槽(2118)内。6.如权利要求5所述的发声装置(100)，其特征在于，所述第一振动系统(3)包括：第一振膜(31)，所述第一振膜(31)的周缘限位于所述安装槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：王苗苗，郭晓冬，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：