一种用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置，包括冷阱管、加热丝、气压升降杆、光耦合器和遮光板，气压升降杆与气动泵电性连接，气动泵位于气压升降杆的最下端，光耦合器固定于气动泵的外壳上，且与遮光板位于气压升降杆的同侧，遮光板呈“Z”字型，包括一体成型的第一水平板、竖直板和第二水平板，第一水平板的自由端与气压升降杆的上端固定连接，冷阱管与遮光板固定连接，随时遮光板上下移动；加热丝均匀缠绕在冷阱管的外侧壁上，加热丝与加热电源电性连接，加热电源与光耦合器电性控制连接。本实用新型专利技术的装置，使用光耦设计，实现加热丝在冷阱上升时自动开始加热，冷阱下降至底部时自动关闭加热功能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置


[0001]本技术属于仪器分析
，尤其涉及一种用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置。

技术介绍

[0002]冷阱富集
‑
稳定同位素检测技术被应用到地质包裹体、大气、冰心、深海热液等微量烃类气体的同位素分析中，这些装置为低浓度的稳定同位素研究提供基本手段，由于富集对象的不同，使得在线冷阱富集装置中进样、富集冷阱等部分存在差异，富集装置各具特色，但准确性、实用性等方面仍存在一些不足，例如，在测试气溶胶和沉积物中有机碳、元素碳的过程中发现，目前缺少针对连续梯度升温逐级释放出的纳摩尔级二氧化碳气体的快速富集释放装置。

技术实现思路

[0003]为了解决以上问题，本技术公开了一种用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置，使用光耦设计，实现加热丝在冷阱上升时自动开始加热，冷阱下降至底部时自动关闭加热功能。
[0004]为实现上述技术目的，本技术采用如下技术方案：
[0005]一种用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置，其特征在于，包括冷阱管、加热丝、气压升降杆、光耦合器和遮光板，所述气压升降杆与气动泵电性连接，气动泵位于气压升降杆的最下端，气动泵带动气压升降杆上下升降，所述光耦合器固定于气动泵的外壳上，且与遮光板位于气压升降杆的同侧，所述遮光板呈“Z”字型，包括一体成型的第一水平板、竖直板和第二水平板，第一水平板的自由端与气压升降杆的上端固定连接，冷阱管与遮光板固定连接，随时遮光板上下移动；所述加热丝均匀缠绕在冷阱管的外侧壁上，加热丝与加热电源电性连接，加热电源与光耦合器电性控制连接，光耦合器用于控制加热电源的开启和关闭。
[0006]进一步的，所述冷阱管位于第二水平板下方的部分呈多圈卷绕。
[0007]进一步的，在冷阱管多圈卷绕的部分，加热丝缠绕在多圈卷绕部分的外侧壁上。
[0008]进一步的，所述加热电源固定于第二水平板的上端面上。
[0009]进一步的，在所述第二水平板上间隔设有两个穿设孔，冷阱管的两端穿设第二水平板，且位于第二水平板的上方，冷阱管与第二水平板固定连接。
[0010]进一步的，所述加热电源位于两个穿设孔之间。
[0011]本技术用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置，通过设置光耦和遮光板，气压升降杆带动遮光板降低至挡住光耦合器时，光耦合器控制加热电源关闭，加热丝停止加热，气动升降杆带动遮光板上升从光耦前面移开后，光耦合器控制加热电源开启，加热丝开始加热，在上升过程中随着加热丝的加热，当到达某一同位素的温度时，冷阱管内部富集的该同位素从冷阱管内释放。
[0012]与现有技术相比，本技术用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置具有以下有益效果：
[0013]（1）低多环空阱设计，增加冷阱的冷冻路径，有利于提升样品中微量痕量气体的富集率；
[0014]（2）冷阱设置加热模块，通过缠绕加热丝，使冷阱内富集气体快速释放完全，提高气体释放转移速率和效率；
[0015]（3）使用光耦设计，实现加热丝在冷阱上升时自动开始加热，冷阱下降时关闭自动加热功能。
附图说明
[0016]图1是本技术所述的用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置中气动升降杆上升状态的结构示意图；
[0017]图2为本技术所述的用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置中气动升降杆下降状态的结构示意图。
[0018]其中，1
‑
冷阱管，2
‑
加热丝，3
‑
气压升降杆，4
‑
光耦合器，5
‑
遮光板，6
‑
气动泵，7
‑
加热电源，51
‑
第一水平板，52
‑
竖直板，53
‑
第二水平板。
具体实施方式
[0019]下面结合附图及具体实施例对本技术作进一步说明。
[0020]如图1
‑
图2所示，一种用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置，其特征在于，包括冷阱管1、加热丝2、气压升降杆3、光耦合器4和遮光板5，所述气压升降杆3与气动泵6电性连接，气动泵6位于气压升降杆3的最下端，气动泵6带动气压升降杆3上下移动，所述光耦合器4固定于气动泵6的外壳上，且与遮光板5位于气压升降杆3的同侧，所述遮光板5呈“Z”字型，包括一体成型的第一水平板51、竖直板52和第二水平板53，第一水平板51的自由端与气压升降杆3的上端固定连接，在所述第二水平板53上间隔设有两个穿设孔531，冷阱管1的两端穿设第二水平板53，且位于第二水平板53的上方，冷阱管1与第二水平板53固定连接，随着遮光板5上下移动；所述加热丝2均匀缠绕在冷阱管1的外侧壁上，加热丝2与加热电源7电性连接，冷阱管1位于第二水平板53下方的部分呈多圈卷绕，在冷阱管多圈卷绕的部分，加热丝2缠绕在多圈卷绕部分的外侧壁上，加热电源7与光耦合器4电性控制连接，光耦合器4用于控制加热电源7的开启和关闭；加热电源7固定于第二水平板53的上端面上，位于两个穿设孔531之间。
[0021]以上仅是本技术的优选实施方式，本技术的保护范围并不仅局限于上述实施例，对于本领域的普通技术人员而言，凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均应视为本技术的保护范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置，其特征在于，包括冷阱管、加热丝、气压升降杆、光耦合器和遮光板，所述气压升降杆与气动泵电性连接，气动泵位于气压升降杆的最下端，气动泵带动气压升降杆上下升降，所述光耦合器固定于气动泵的外壳上，且与遮光板位于气压升降杆的同侧，所述遮光板呈“Z”字型，包括一体成型的第一水平板、竖直板和第二水平板，第一水平板的自由端与气压升降杆的上端固定连接，冷阱管与遮光板固定连接，随时遮光板上下移动；所述加热丝均匀缠绕在冷阱管的外侧壁上，加热丝与加热电源电性连接，加热电源与光耦合器电性控制连接，光耦合器用于控制加热电源的开启和关闭。2.根据权利要求1所述的一种用于微量痕量多组分稳定同位素检测的富集释放装置，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘一兰，田有荣，袁启范，
申请(专利权)人：中国科学院南京地理与湖泊研究所，
类型：新型
国别省市：