放大器、射频芯片及电子装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种放大器、射频芯片及电子装置。放大器包括：三端口晶体管，用于从三端口晶体管的第三极接收待放大射频信号，将待放大射频信号放大后，从三端口晶体管的第一极输出反相放大信号，从三端口晶体管的第二极输出同相放大信号；第一极匹配电路，第一极匹配电路包括N个支路，第一极匹配电路的第j支路用于将反相放大信号传输至第j射频信号输出端成为第j放大信号；第二极匹配电路，第二极匹配电路包括N个支路，第二极匹配电路的第j支路用于将同相放大信号传输至第N+j射频信号输出端成为第N+j放大信号；其中，j＝1

【技术实现步骤摘要】
放大器、射频芯片及电子装置


[0001]本申请涉及电子
，具体而言，涉及一种放大器、射频芯片及电子装置。

技术介绍

[0002]随着高频无线通讯技术的发展，特别是5G技术和Massive MIMO技术的商用，高频无线通讯技术成为了无线通信的重要发展方向。
[0003]高频无线通讯系统中的射频通讯收发系统中包括大量的放大器，放大器的性能会对射频通讯收发系统的性能产生重要的影响。因此，高频无线通讯对放大器提出了更高的要求，例如增益与功耗的比值等。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种放大器、射频芯片及电子装置。
[0005]第一方面，本申请提供一种放大器，所述放大器包括：
[0006]三端口晶体管，包括第一极、第二极和第三极，所述三端口晶体管用于从所述三端口晶体管的第三极接收待放大射频信号，将所述待放大射频信号放大后，从所述三端口晶体管的第一极输出反相放大信号，从所述三端口晶体管的第二极输出同相放大信号；
[0007]第一极匹配电路，所述第一极匹配电路包括N个支路，
[0008]第一极匹配电路的第j支路的第一端和所述三端口晶体管的第一极相连，所述第一极匹配电路的第j支路的第二端与第j射频信号输出端相连，
[0009]所述第一极匹配电路的第j支路用于将所述三端口晶体管的第一极的阻抗匹配至第j目标阻抗，第j目标阻抗为第j射频信号输出端的输出阻抗，所述第一极匹配电路的第j支路还用于将所述反相放大信号传输至所述第j射频信号输出端成为第j放大信号；
[0010]第二极匹配电路，所述第二极匹配电路包括N个支路，
[0011]第二极匹配电路的第j支路的第一端与所述三端口晶体管的第二极相连，所述第二极匹配电路的第j支路的第二端与第N+j射频信号输出端相连，
[0012]所述第二极匹配电路的第j支路用于将所述三端口晶体管的第二极的阻抗匹配至第N+j目标阻抗，第N+j目标阻抗为第N+j射频信号输出端的输出阻抗，所述第二极匹配电路的第j支路还用于将所述同相放大信号传输至所述第N+j射频信号输出端成为第N+j放大信号；
[0013]其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。
[0014]本申请实施例中，所述第j放大信号与所述第N+j放大信号相合成；
[0015]其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。
[0016]本申请实施例中，所述第j放大信号与所述第N+j放大信号相合成，包括：
[0017]所述第j射频信号输出端与所述第N+j射频信号输出端相连；
[0018]其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。
[0019]本申请实施例中，所述放大器还包括：
[0020]N个阻抗变换电路，
[0021]其中，第j阻抗变换电路的第一端与所述第j射频信号输出端相连，所述第j阻抗变换电路的第二端与第2N+j射频信号输出端相连；
[0022]其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。
[0023]本申请实施例中，所述放大器还包括N个合成电路，
[0024]所述第j放大信号与所述第N+j放大信号相合成，包括：
[0025]所述第j射频信号输出端与第j合成电路的第一端相连，所述第N+j射频信号输出端与第j合成电路的第二端相连，以使第j放大信号和第N+j放大信号合成；
[0026]其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。
[0027]本申请实施例中，所述放大器还包括：
[0028]N个阻抗变换电路，
[0029]第j阻抗变换电路的第一端与所述第j合成电路的第三端相连，所述第j阻抗变换电路的第二端与第2N+j射频信号输出端相连；
[0030]其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。
[0031]本申请实施例中，所述放大器还包括：
[0032]第三极匹配电路，所述第三极匹配电路的第一端与射频信号输入端相连，所述第三极匹配电路的第二端与所述三端口晶体管的第三极相连；
[0033]第三极偏置电路，所述第三极偏置电路与所述第三极匹配电路的第三端相连；
[0034]N个第一极偏置电路，第j第一极偏置电路的第一端与第j第一极偏置电源端相连；
[0035]N个第二极偏置电路，第j第二极偏置电路的第一端与所述第二极匹配电路的第j支路的第三端相连；
[0036]其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。
[0037]本申请实施例中，所述第一极匹配电路第
[0038]j支路包括：
[0039]第j支路第一感性单元，所述第j支路第一感性单元的第二端与所述三端口晶体管的第一极相连；
[0040]第j支路第二感性单元，所述第j支路第二感性单元的第一端与第j第一极偏置电源端相连，所述第j支路第二感性单元的第二端与所述第j支路第一感性单元的第一端相连；
[0041]第j支路第三感性单元，所述第j支路第三感性单元的第一端与所述第j支路第一感性单元的第一端相连，所述第j支路第三感性单元的第二端与所述第j射频信号输出端相连；
[0042]其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。
[0043]本申请实施例中，所述第二极匹配电路第j支路包括：
[0044]第j支路第四感性单元，所述第j支路第四感性单元的第一端与所述三端口晶体管的第二极相连；
[0045]第j支路第五感性单元，所述第j支路第五感性单元的第一端与所述第j支路第四感性单元的第二端相连；
[0046]第j支路第一电容，所述第j支路第一电容的第一端与所述第j支路第四感性单元的第二端相连，所述第j支路第一电容的第二端与所述第N+j射频信号输出端相连；
[0047]其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。
[0048]本申请实施例中，所述第三极匹配电路包括：
[0049]第六感性单元，所述第六感性单元的第一端与所述三端口晶体管的第三极相连；
[0050]第七感性单元，所述第七感性单元的第一端与所述第六感性单元的第二端相连，所述第七感性单元的第二端与所述第三极偏置电路相连；
[0051]第二电容，所述第二电容的第一端与所述射频信号输入端相连，所述第二电容的第二端与所述第六感性单元的第二端相连。
[0052]本申请实施例中，所述第j支路第一感性单元和所述第j支路第二感性单元为感应磁场相反的电感对；和/或
[0053]所述第j支路第四本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放大器，其特征在于，所述放大器包括：三端口晶体管，包括第一极、第二极和第三极，所述三端口晶体管用于从所述三端口晶体管的第三极接收待放大射频信号，将所述待放大射频信号放大后，从所述三端口晶体管的第一极输出反相放大信号，从所述三端口晶体管的第二极输出同相放大信号；第一极匹配电路，所述第一极匹配电路包括N个支路，第一极匹配电路的第j支路的第一端和所述三端口晶体管的第一极相连，所述第一极匹配电路的第j支路的第二端与第j射频信号输出端相连，所述第一极匹配电路的第j支路用于将所述三端口晶体管的第一极的阻抗匹配至第j目标阻抗，第j目标阻抗为第j射频信号输出端的输出阻抗，所述第一极匹配电路的第j支路还用于将所述反相放大信号传输至所述第j射频信号输出端成为第j放大信号；第二极匹配电路，所述第二极匹配电路包括N个支路，第二极匹配电路的第j支路的第一端与所述三端口晶体管的第二极相连，所述第二极匹配电路的第j支路的第二端与第N+j射频信号输出端相连，所述第二极匹配电路的第j支路用于将所述三端口晶体管的第二极的阻抗匹配至第N+j目标阻抗，第N+j目标阻抗为第N+j射频信号输出端的输出阻抗，所述第二极匹配电路的第j支路还用于将所述同相放大信号传输至所述第N+j射频信号输出端成为第N+j放大信号；其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。2.据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第j放大信号与所述第N+j放大信号相合成；其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。3.据权利要求2所述的放大器，其特征在于，所述第j放大信号与所述第N+j放大信号相合成，包括：所述第j射频信号输出端与所述第N+j射频信号输出端相连；其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。4.根据权利要求3所述的放大器，其特征在于，所述放大器还包括：N个阻抗变换电路，其中，第j阻抗变换电路的第一端与所述第j射频信号输出端相连，所述第j阻抗变换电路的第二端与第2N+j射频信号输出端相连；其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。5.据权利要求2所述的放大器，其特征在于，所述放大器还包括N个合成电路，所述第j放大信号与所述第N+j放大信号相合成，包括：所述第j射频信号输出端与第j合成电路的第一端相连，所述第N+j射频信号输出端与第j合成电路的第二端相连，以使第j放大信号和第N+j放大信号合成；其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。6.根据权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述放大器还包括：N个阻抗变换电路，第j阻抗变换电路的第一端与所述第j合成电路的第三端相连，所述第j阻抗变换电路的第二端与第2N+j射频信号输出端相连；其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。
7.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述放大器还包括：第三极匹配电路，所述第三极匹配电路的第一端与射频信号输入端相连，所述第三极匹配电路的第二端与所述三端口晶体管的第三极相连；第三极偏置电路，所述第三极偏置电路与所述第三极匹配电路的第三端相连；N个第一极偏置电路，第j第一极偏置电路的第一端与第j第一极偏置电源端相连；N个第二极偏置电路，第j第二极偏置电路的第一端与所述第二极匹配电路的第j支路的第三端相连；其中，j＝1
……
N，j为大于等于1的整数，N为大于等于1的整数。8.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第一极匹配电路第j支路包括：第j支路第一感性单元，所述第j支路第一感性单元的第二端与所述三端口晶体管的第一极相连；...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘石生，黄伟，
申请(专利权)人：深圳市晶准通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：