一种磁控溅射炉体及基于磁控溅射炉体的管道镀膜方法技术

本发明专利技术提供一种磁控溅射炉体及基于磁控溅射炉体的管道镀膜方法，磁控溅射炉体包括：具有中空腔体的圆柱炉体；所述中空腔体内部具有待镀膜管道；贯穿所述待镀膜管道的靶材；缠绕在所述圆柱炉体外部的电磁铁，所述电磁铁通电后在所述圆柱炉体外部形成均匀的磁场；偏压电源，所述偏压电源的一端与所述靶材电连接，另一端与待镀膜管道电连接；所述偏压电源为所述靶材供电时，所述靶材在所述磁场的作用下，所述靶材的表面的原子逸出，溅射到所述待镀膜管道的管道内壁成膜。本发明专利技术的方案可以在进行管道的内壁镀膜时有效地提升靶材的利用率，减少了靶材的浪费。少了靶材的浪费。少了靶材的浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射炉体及基于磁控溅射炉体的管道镀膜方法


[0001]本专利技术涉及真空镀膜
，特别是指一种磁控溅射炉体及基于磁控溅射炉体的管道镀膜方法。

技术介绍

[0002]现有的磁控溅射内壁镀膜设计中，将待镀的管材放置在靶材周围，在镀膜过程中，以不断旋转待镀的管材的方式将内外壁均匀镀膜，但是采用这种镀膜方式靶材利用率低下，甚至难以达到靶材利用率30％以上，且难以做到镀膜完之后内外都均匀覆盖；
[0003]尤其是在进行内壁镀膜时，溅射出的靶材只有极少部分可以在内壁镀膜过程中沉积在管材的内壁，靶材损耗较大。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是如何提供一种磁控溅射炉体及基于磁控溅射炉体的管道镀膜方法。可以在进行管道的内壁镀膜时有效地提升靶材的利用率，减少了靶材的浪费。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案如下：
[0006]一种磁控溅射炉体，包括：
[0007]具有中空腔体的圆柱炉体；所述中空腔体内部具有待镀膜管道；
[0008]贯穿所述待镀膜管道的靶材；
[0009]缠绕在所述圆柱炉体外部的电磁铁，所述电磁铁通电后在所述圆柱炉体外部形成均匀的磁场；
[0010]偏压电源，所述偏压电源的一端与所述靶材电连接，另一端与待镀膜管道电连接；所述偏压电源为所述靶材供电时，所述靶材在所述磁场的作用下，所述靶材的表面的原子逸出，溅射到所述待镀膜管道的管道内壁成膜。
[0011]可选的，所述中空腔体内为真空。
[0012]可选的，所述中空腔体和所述待镀膜管道均为圆柱形，所述中空腔体的直径大于所述待镀膜管道的管道外径，所述待镀膜管道的管道内径大于所述靶材的外径。
[0013]可选的，所述待镀膜管道与所述靶材同轴装配。
[0014]可选的，所述待镀膜管道与所述中空腔体同轴设置。
[0015]可选的，所述待镀膜管道的两端分别通过封堵面封堵，所述封堵面上设有至少一个透气孔。
[0016]可选的，所述待镀膜管道的管道总长度小于所述中空腔体的长度。
[0017]本专利技术还提供一种基于磁控溅射炉体的管道镀膜方法，所述磁控溅射炉体为如上述的磁控溅射炉体，所述方法包括：
[0018]提供一靶材；
[0019]将所述靶材贯穿待镀膜管道；
[0020]为缠绕在圆柱炉体外部的电磁铁供电，所述电磁铁通电后在所述圆柱炉体外部形成均匀的磁场；
[0021]控制偏压电源为所述靶材供电，在所述靶材和待镀膜管道之间的电压差的作用下，所述靶材的表面的原子逸出，溅射到所述待镀膜管道的管道内壁成膜。
[0022]可选的，控制偏压电源为所述靶材供电，包括：
[0023]在预设时间段内，控制偏压电源为所述靶材进行N次供电，使得所述靶材和所述待镀膜管道之间产生电压差，所述靶材的表面的原子逸出，溅射到所述待镀膜管道的管道内壁成膜，N为正整数。
[0024]可选的，所述待镀膜管道与所述靶材同轴装配。
[0025]本专利技术的上述方案至少包括以下有益效果：
[0026]通过具有中空腔体的圆柱炉体；所述中空腔体内部具有待镀膜管道；贯穿所述待镀膜管道的靶材；缠绕在所述圆柱炉体外部的电磁铁，所述电磁铁通电后在所述圆柱炉体外部形成均匀的磁场；偏压电源，所述偏压电源的一端与所述靶材电连接，另一端与待镀膜管道电连接；所述偏压电源为所述靶材供电时，所述靶材在所述磁场的作用下，所述靶材的表面的原子逸出，溅射到所述待镀膜管道的管道内壁成膜；从而可以在进行管道的内壁镀膜时有效地提升靶材的利用率，减少了靶材的浪费；另外，还可以避免在内壁镀膜过程中对外壁的污染，省去对外壁的清理过程，提高了工作效率。
附图说明
[0027]图1是本专利技术实施例的磁控溅射炉体的剖面示意图；
[0028]图2是本专利技术实施例的磁控溅射炉体的立体结构示意图；
[0029]图3是本专利技术实施例的基于磁控溅射炉体的管道镀膜方法的流程示意图。
[0030]附图标记说明：
[0031]1‑
圆柱炉体；11
‑
中空腔体；2
‑
靶材；3
‑
电磁铁；4
‑
偏压电源；5
‑
待镀膜管道。
具体实施方式
[0032]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0033]如图1和图2所示，本专利技术的实施例提供一种磁控溅射炉体，包括：
[0034]具有中空腔体11的圆柱炉体1；所述中空腔体11内部具有待镀膜管道5；
[0035]贯穿所述待镀膜管道5的靶材2；
[0036]缠绕在所述圆柱炉体1外部的电磁铁3，所述电磁铁3通电后在所述圆柱炉体1外部形成均匀的磁场；
[0037]偏压电源4，所述偏压电源4的一端与所述靶材2电连接，另一端与待镀膜管道5电连接；所述偏压电源4为所述靶材2供电时，所述靶材2在所述磁场的作用下，所述靶材2的表面的原子逸出，溅射到所述待镀膜管道5的管道内壁成膜。
[0038]该实施例中，磁控溅射炉体包括：圆柱炉体1、靶材2、电磁铁3以及偏压电源4，其
中，圆柱炉体1的内部可设置待镀膜管道5，靶材2贯穿待镀膜管道5，以使得在对待镀膜管道5的内壁镀膜时可以均匀镀膜，电磁铁3缠绕在圆柱炉体1的外部，将电磁铁3缠绕在圆柱炉体1的外部可以避免了在圆柱炉体1内时升温等操作对电磁铁3产生的磁场的影响，同时更便于日常的拆检与维护；电磁铁3通电后在圆柱炉体1外部形成均匀的磁场，偏压电源4的两端分别与靶材2和待镀膜管道5电连接，在偏压电源4供电过程中，使得待镀膜管道5和靶材2之间形成负(或正)偏压，进而使得靶材2的表面的原子逸出，溅射并沉积在待镀膜管道5上，形成薄膜；这样的磁控溅射镀膜过程可以在进行管道的内壁镀膜时有效地提升靶材2的利用率，减少了靶材2的浪费；另外，还可以避免在内壁镀膜过程中对外壁的污染，省去对外壁的清理过程，提高了工作效率。
[0039]其中，偏压电源4的正极优选与待镀膜管道5电连接，负极优选与靶材2电连接。
[0040]另外，靶材2可以是上端固定方式设置在中空腔体11，也可以是下端固定方式设置在中空腔体11；待镀膜管道5在中空腔体11内可以通过夹具进行夹持，也可以通过其他的固定装置进行固定，本申请均不以此为限制。
[0041]需要说明的是，相较于现有的镀膜方式，待镀膜管道5的管道内径越小，本申请中对待镀膜管道5的管道内壁的镀膜效果越好，即本申请的磁控溅射炉体更适用于小孔口径的待镀膜管道5。
[0042]本专利技术一可选的实施例中，所述中空腔体11内为真空。
[0043]本实施例中，圆柱炉体1内的中空腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射炉体，其特征在于，包括：具有中空腔体(11)的圆柱炉体(1)；所述中空腔体(11)内部具有待镀膜管道(5)；贯穿所述待镀膜管道(5)的靶材(2)；缠绕在所述圆柱炉体(1)外部的电磁铁(3)，所述电磁铁(3)通电后在所述圆柱炉体(1)外部形成均匀的磁场；偏压电源(4)，所述偏压电源(4)的一端与所述靶材(2)电连接，另一端与待镀膜管道(5)电连接；所述偏压电源(4)为所述靶材(2)供电时，所述靶材(2)在所述磁场的作用下，所述靶材(2)的表面的原子逸出，溅射到所述待镀膜管道(5)的管道内壁成膜。2.根据权利要求1所述的磁控溅射炉体，其特征在于，所述中空腔体(11)内为真空。3.根据权利要求1所述的磁控溅射炉体，其特征在于，所述中空腔体(11)和所述待镀膜管道(5)均为圆柱形，所述中空腔体(11)的直径大于所述待镀膜管道(5)的管道外径，所述待镀膜管道(5)的管道内径大于所述靶材(2)的外径。4.根据权利要求3所述的磁控溅射炉体，其特征在于，所述待镀膜管道(5)与所述靶材(2)同轴装配。5.根据权利要求3所述的磁控溅射炉体，其特征在于，所述待镀膜管道(5)与所述中空腔体(11)同轴设置。6.根据权利要求1所述的磁控溅射炉体，其特征在于，所述待镀膜管道(5)的两端分别通过封堵面...

【专利技术属性】
技术研发人员：周利华，杨廷贵，朱盈喜，李鸿亚，王江，付天佐，华强，牛书通，雷震，陈江，李文腾，姜岳峰，赵宝玲，赵红，
申请(专利权)人：中核四零四有限公司，
类型：发明
国别省市：