显示装置、电子装置和制造显示装置的方法制造方法及图纸

本申请提供一种显示装置、电子装置和制造显示装置的方法。一种显示装置包括第一像素和第二像素。第二像素的发光元件和像素电路位于第二区域中。第一像素包括位于第二区域中的硅晶体管和氧化物晶体管。第一像素包括将硅晶体管和氧化物晶体管中的一个电连接到第一区域中的发光元件的连接线。连接线与氧化物半导体图案位于同一层并且包括透明导电氧化物。图案位于同一层并且包括透明导电氧化物。图案位于同一层并且包括透明导电氧化物。

【技术实现步骤摘要】
显示装置、电子装置和制造显示装置的方法


[0001]本公开的一些实施例的各方面涉及显示装置、包括显示装置的电子装置和制造显示装置的方法。

技术介绍

[0002]电子装置可以包括例如显示面板和电子模块的各种电子部件。电子模块包括相机模块、红外传感器或接近传感器。电子模块可以设置在显示面板下方。显示面板的一些区域可以具有比显示面板的其他区域的透射率高的透射率。电子模块可以通过具有相对高的透射率的区域接收光信号或输出光信号。
[0003]在本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对
技术介绍
的理解，并且因此，在本
技术介绍
部分中讨论的信息不一定构成现有技术。

技术实现思路

[0004]本公开的一些实施例的各方面涉及包括光信号透过的显示区域的显示装置、包括显示装置的电子装置以及制造显示装置的方法。
[0005]本公开的一些实施例的各方面包括具有简单堆叠结构的显示装置。
[0006]本公开的一些实施例的各方面包括包含显示装置的电子装置。
[0007]本公开的一些实施例的各方面包括被简化的制造显示装置的方法。
[0008]本专利技术构思的一些实施例的各方面包括一种显示装置，显示装置包括显示面板，显示面板包括：基底层，包括显示区域以及与显示区域邻近的外围区域，显示区域包括第一区域以及与第一区域邻近的第二区域；绝缘层，位于基底层上；以及第一像素和第二像素，位于基底层上。第一像素包括：第一发光元件，位于第一区域中；以及第一像素电路，电连接到第一发光元件。第二像素包括：第二发光元件，位于第二区域中；以及第二像素电路，电连接到第二发光元件并且位于第二区域中。第一像素电路包括：第一晶体管，包括包含漏区、有源区和源区的氧化物半导体图案以及与有源区重叠的栅极，并且第一晶体管位于第二区域或外围区域中；第二晶体管，包括包含漏区、有源区和源区的硅半导体图案以及与硅半导体图案的有源区重叠的栅极，并且第二晶体管位于第二区域或外围区域中；以及连接线，将第一晶体管或第二晶体管电连接到第一发光元件，至少与第一区域重叠，与氧化物半导体图案位于同一层，并且包括透明导电氧化物。
[0009]根据一些实施例，显示区域进一步包括与第二区域邻近的第三区域，显示面板进一步包括位于第三区域中的第三像素，第三像素包括位于第三区域中的第三发光元件以及电连接到第三发光元件并且位于第三区域中的第三像素电路，并且基于单位面积，第一发光元件的数量小于第三发光元件的数量。
[0010]根据一些实施例，绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，氧化物半导体图案位于第一绝缘层上，硅半导体图案位于第一绝缘层下方，并且第二绝缘层覆盖氧化物半导体图案。
[0011]根据一些实施例，第二绝缘层覆盖连接线。
[0012]根据一些实施例，第二绝缘层具有穿过第二绝缘层限定为与第一区域相对应的开口，并且连接线的至少一部分被暴露而不被第二绝缘层覆盖。
[0013]根据一些实施例，绝缘层进一步包括填充在开口中并且位于第二绝缘层上的第三绝缘层。
[0014]根据一些实施例，第一像素电路进一步包括连接电极，并且连接电极位于第三绝缘层上并且经由穿过第三绝缘层限定的接触孔连接到连接线。
[0015]根据一些实施例，连接线具有比氧化物半导体图案的漏区和源区的电导率高的电导率。
[0016]根据一些实施例，连接线具有比氧化物半导体图案的漏区和源区的氟含量高的氟含量。
[0017]根据一些实施例，与氧化物半导体图案的漏区和源区相比，连接线进一步包括铝(Al)、砷(As)、硼(B)或硅(Si)。
[0018]根据一些实施例，绝缘层包括与第一晶体管的栅极重叠并且位于第一晶体管的栅极与第一晶体管的有源区之间的绝缘图案，并且第一晶体管的漏区和源区在平面中被暴露而不被绝缘图案覆盖。
[0019]根据一些实施例，连接线进一步与第二区域重叠。
[0020]根据一些实施例，第一像素电路进一步包括连接电极，第一发光元件包括具有椭圆形的第一电极，连接电极直接连接到连接线，并且第一发光元件的第一电极直接连接到连接电极。
[0021]根据一些实施例，第二发光元件包括具有弯曲边缘的第一电极，并且第二发光元件的第一电极具有比第一发光元件的第一电极的面积小的面积。
[0022]根据一些实施例，显示装置进一步包括与显示面板联接的窗口，并且窗口包括基底膜以及与外围区域重叠的边框图案。
[0023]本专利技术构思的一些实施例的各方面包括一种电子装置，包括：显示装置，包括光信号透过的感测区域、与感测区域邻近的显示区域以及与显示区域邻近的外围区域；以及电子模块，位于显示装置下方，与感测区域重叠，并且接收光信号。感测区域包括与发光元件重叠的元件区域以及不与发光元件重叠的透射区域。显示装置包括第一像素。第一像素包括：第一发光元件，位于元件区域中；以及第一像素电路，电连接到第一发光元件。第一像素电路包括：晶体管，包括氧化物半导体图案并且位于显示区域或外围区域中；以及连接线，将晶体管电连接到第一发光元件，至少与显示区域重叠，与氧化物半导体图案位于同一层，并且包括透明导电氧化物。
[0024]根据一些实施例，显示装置进一步包括第二像素。第二像素包括位于显示区域中的第二发光元件以及电连接到第二发光元件并且位于显示区域中的第二像素电路。
[0025]根据一些实施例，显示装置包括窗口。窗口包括基底膜以及与外围区域重叠的边框图案。
[0026]根据一些实施例，电子模块包括相机模块。
[0027]本专利技术构思的一些实施例的各方面提供一种制造显示装置的方法，显示装置包括：第一像素，包括位于第一区域中的第一发光元件、位于第二区域中的第一硅晶体管以及
位于第二区域中的第一氧化物晶体管；以及第二像素，包括位于第二区域中的第二发光元件、第二硅晶体管以及第二氧化物晶体管。该方法包括：形成与第二区域重叠的第一硅晶体管；形成氧化物半导体层，氧化物半导体层包括与第二区域重叠的第一氧化物晶体管的氧化物半导体图案以及至少与第一区域重叠的氧化物半导体线；形成第一氧化物晶体管的与第一氧化物晶体管的氧化物半导体图案的有源区重叠的栅极；形成绝缘层以覆盖第一氧化物晶体管的栅极以及氧化物半导体线；以及形成位于绝缘层上并且电连接到氧化物半导体线的第一发光元件。
[0028]根据一些实施例，该方法进一步包括：使用掺杂剂对氧化物半导体线进行掺杂。
[0029]根据一些实施例，掺杂剂包括铝(Al)、砷(As)、硼(B)、硅(Si)或铟(In)。
[0030]根据一些实施例，该方法进一步包括：使用氟化气体对绝缘层进行干法蚀刻，以穿过绝缘层形成与第一区域相对应的开口。
[0031]根据一些实施例，该方法进一步包括：形成与第二区域重叠的第二硅晶体管；形成与第二区域重叠的第二氧化物晶体管；以及形成与第二区域重叠的第二发光元件。
[0032]根据一些实施例，形成第二氧化物晶体管包括：形成与第二区域重叠的第二氧化物晶体管的氧化物半导体图案；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：显示面板，包括：基底层，包括显示区域以及与所述显示区域邻近的外围区域，所述显示区域包括第一区域以及与所述第一区域邻近的第二区域；绝缘层，位于所述基底层上；以及第一像素和第二像素，位于所述基底层上，所述第一像素包括位于所述第一区域中的第一发光元件以及电连接到所述第一发光元件的第一像素电路，所述第二像素包括位于所述第二区域中的第二发光元件以及电连接到所述第二发光元件并且位于所述第二区域中的第二像素电路，所述第一像素电路包括：第一晶体管，包括包含漏区、有源区和源区的氧化物半导体图案以及与所述有源区重叠的栅极，并且所述第一晶体管位于所述第二区域或所述外围区域中；第二晶体管，包括包含漏区、有源区和源区的硅半导体图案以及与所述硅半导体图案的所述有源区重叠的栅极，并且所述第二晶体管位于所述第二区域或所述外围区域中；和连接线，将所述第一晶体管或所述第二晶体管电连接到所述第一发光元件，至少与所述第一区域重叠，与所述氧化物半导体图案位于同一层，并且包括透明导电氧化物。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示区域进一步包括与所述第二区域邻近的第三区域，所述显示面板进一步包括位于所述第三区域中的第三像素，所述第三像素包括：第三发光元件，位于所述第三区域中；和第三像素电路，电连接到所述第三发光元件并且位于所述第三区域中，其中，基于单位面积，所述第一发光元件的数量小于所述第三发光元件的数量。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述氧化物半导体图案位于所述第一绝缘层上，所述硅半导体图案位于所述第一绝缘层下方，并且所述第二绝缘层覆盖所述氧化物半导体图案。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层覆盖所述连接线。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层具有穿过所述第二绝缘层限定为与所述第一区域相对应的开口，并且所述连接线的至少一部分被暴露而不被所述第二绝缘层覆盖。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述绝缘层进一步包括填充在所述开口中并且位于所述第二绝缘层上的第三绝缘层。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一像素电路进一步包括连接电极，并且所述连接电极位于所述第三绝缘层上并且经由穿过所述第三绝缘层限定的接触孔连接到所述连接线。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接线具有比所述氧化物半导体图案的所述漏区和所述源区的电导率高的电导率。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接线具有比所述氧化物半导体图案的所述漏区和所述源区的氟含量高的氟含量。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，与所述氧化物半导体图案的所述漏区和所述源区相比，所述连接线进一步包括铝、砷、硼或硅。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括与所述第一晶体管的所述栅极重叠并且位于所述第一晶体管的所述栅极与所述第一晶体管的所述有源区之间的绝缘图案，并且所述第一晶体管的所述漏区和所述源区在平面中被暴露而不被所述绝缘图案覆盖。12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接线进一步与所述第二区域重叠。13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素电路进一步包括连接电极，所述第一发光元件包括具有椭圆形的第一电极，所述连接电极直接连接到所述连接线，并且所述第一发光元件的所述第一电极直接连接到所述连接电极。14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第二发光元件包括具有弯曲边缘的第一电极，并且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：车明根，具素英，沈栋焕，崔相虔，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：