一种吸盘组件、曝光装置及光刻系统制造方法及图纸

本发明专利技术属于光刻技术领域，具体公开了一种吸盘组件、曝光装置及光刻系统。吸盘组件包括：吸盘，其基底吸附面具有若干个与吸盘同心设置的基底吸附区，每个基底吸附区均包括主吸附区，至少最外侧的基底吸附区包括位于主吸附区外侧的边缘吸附区；每个主吸附区的边缘均围设有第一密封件，边缘吸附区的外边缘环绕设置有第二密封件，第一密封件和第二密封件的下端密封嵌设于吸盘，第一密封件和第二密封件的上端能够弹性凸出基底吸附面，第一密封件能够凸出基底吸附面的高度大于第二密封件能够凸出基底吸附面的高度。本发明专利技术公开的吸盘组件、曝光装置及光刻系统，能够提高对翘曲基底的吸附能力和吸附效果。力和吸附效果。力和吸附效果。

【技术实现步骤摘要】
一种吸盘组件、曝光装置及光刻系统


[0001]本专利技术涉及光刻
，尤其涉及一种吸盘组件、曝光装置及光刻系统

技术介绍

[0002]在光刻中，曝光台用于将掩模板上的电路图形经过光学投影系统进行投影曝光，使电路图形以一定放大或缩小的倍率投影于制造集成电路的硅片上。在曝光进行之前，通常采用交接机构对硅片进行吸取并放置在曝光台的吸盘上，使吸盘对硅片进行真空吸附，以使硅片固定在在曝光台上，以防止硅片在曝光过程中产生移动。
[0003]随着集成电路制造行业技术的不断发展，硅片处理工艺多种多样，使得经常会有硅片产生较大的翘曲变形。现有的曝光装置在采用吸盘对翘曲硅片吸附时，存在吸附效率低、吸附效果差且吸附后硅片平整度不高等问题，影响硅片曝光的稳定性和曝光的重量。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种吸附装置，提高吸附装置对翘曲基底的吸附能力，提高基底吸附稳定性和可靠性。
[0005]本专利技术的又一目的在于提供一种曝光装置，提高基底曝光稳定性和基底曝光质量。
[0006]本专利技术的另一目的在于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种吸盘组件，其特征在于，包括：吸盘(11)，所述吸盘(11)的基底吸附面具有若干个与所述吸盘(11)同心设置的基底吸附区，每个所述基底吸附区均包括主吸附区(111)，所述主吸附区(111)的外径小于对应尺寸的基底(300)的外径，至少最外侧的所述基底吸附区包括位于所述主吸附区(111)外侧的边缘吸附区(112)；第一密封件(12)，每个所述主吸附区(111)的边缘均围设有所述第一密封件(12)，所述第一密封件(12)的下端密封嵌设于所述吸盘(11)，所述第一密封件(12)的上端能够弹性凸出所述基底吸附面；第二密封件(13)，环绕所述边缘吸附区(112)的外边缘设置，所述第二密封件(13)的下端密封嵌设于所述吸盘(11)内，所述第二密封件(13)的上端能够弹性凸出所述基底吸附面，所述第一密封件(12)能够凸出所述基底吸附面的高度大于所述第二密封件(13)能够凸出所述基底吸附面的高度。2.根据权利要求1所述的吸盘组件，其特征在于，所述第一密封件(12)能够凸出所述基底吸附面的最大高度高度为3mm～5mm，所述第二密封件(13)能够凸出所述基底吸附面的最大高度为0.1mm～0.5mm。3.根据权利要求1所述的吸盘组件，其特征在于，所述基底吸附面开设有第一密封槽(113)和第二密封槽(114)，所述第一密封槽(113)与所述第一密封件(12)一一对应设置，所述第二密封槽(114)与所述第二密封件(13)一一对应设置，所述第一密封件(12)的下端嵌设于所述第一密封槽(113)内，所述第二密封件(13)的下端嵌设于所述第二密封槽(114)内，所述第一密封槽(113)的槽深和槽宽分别大于所述第二密封槽(114)的槽深和槽宽。4.根据权利要求3所述的吸盘组件，其特征在于，所述第一密封件(12)包括密封主体(121)和卡接部(122)，所述第一密封槽(113)包括连通的容纳槽部和安装槽部，所述安装槽部位于所述容纳槽部的下方，且所述安装槽部的槽宽从其槽底至槽口逐渐增大，所述卡接部(122)卡设于所述安装槽部中，所述密封主体(121)能够完全容纳于所述容纳槽部中。5.根据权利要求4所述的吸盘组件，其特征在于，所述密封主体(121)的横截面为长条环形，所述长条环形的长度方向与所述吸盘(11)的厚度方向一致；或所述密封主体(121)的横截面为折线形，所述折线形的末端折线段沿远离所述卡接部(122)的方向向远离所述吸盘(11)中心的方向倾斜；或所述密封主体(121)的横截面为三角环形，所述三角环形的一侧边与所述卡接部(122)连接。6.根据权利要求1所述的吸盘组件，其特征在于，所述主吸附区(111)内同心且间隔设置有多个环形的主吸附凹槽(1111)，所述边缘吸附区(112)内同心且间隔设置有多个环形的边缘吸附凹槽(1121)，所述主吸附凹槽(1111)和所述边缘吸附凹槽(1121)均能够与气源装置连通，相邻两个所述边缘吸附凹槽(1121)之间的间距小于相邻两个所述主吸附凹槽(1111)之间的间距。7.根据权利要求6所述的吸盘组件，其特征在于，所述主吸附凹槽(1111)和所述边缘吸附凹槽(1121)能够单独连通所述气源装置。8.根据权利要求1
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7任一项所述的吸盘组件，其特征在于，所述吸盘(11)、所述第一密封件(12)及所述第二密封件(13)均由静电耗散材料制成；和/或
所述吸盘(11)内嵌设有静电导电柱(14)，所述静电导电柱(14)的上端与所述基底吸附面平齐，所述静电导电柱(14)的下端接地。9.一种曝光装置，其特征在于，包括吸盘座(41)和如权利要求1
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8任一项所述的吸盘组件，所述吸盘组件设置于所述吸盘座(41)上。10.根据权利要求9所述的曝光装置，其特征在于，所述吸盘(11)内嵌设有静电导电柱(14)，所述静电导电柱(14)的上端面与所述基底吸附面平齐；所述吸盘座(41)上设置有静电引导结构(44)及接地结构(46)，所述吸盘座(41)由导体材料制成，所述静电引导结构(44)与所述静电导电柱(14)的下端抵接，以将静电由所述静电导电柱(14)引导至所述接地结构(46)。11.根据权利要求10所述的曝光装置，其特征在于，所述静电引导结构(44)包括导电件和弹性件(442)，所述弹性件(442)的下端与所述吸盘座(41)固定，所述导电件支承于所述弹性件(442)上端，以使所述导电件能够弹性凸出于所述吸盘座(41)的上表面并与所述静电导电柱(14)的下端抵接。12.根据权利要求11所述的曝光装置，其特征在于，所述导电件为导电球(441)...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡晨，王鑫鑫，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：