一种提高反射的异质结电池组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提高反射的异质结电池组件，包括由N型硅晶电池板一、反射层和N型硅晶电池板二组成的主体结构，并作为电池组件的截面体的核心构件，所述反射层设置于N型硅晶电池板一和N型硅晶电池板二的中间夹层处，当光线透过N型硅晶电池板一射入反射层时，第一锥形晶块可将弱化的光线进行聚拢和反射放大，从而将反射放大的光线直接射入N型硅晶电池板二进行光电转换，从而达到对光源的收集和高效转化的效果，而N型硅晶电池板二吸收的光源可通过第二锥形晶块将弱化的光线进行逆向反射及放大，反射的光线又会再次射入N型硅晶电池板一进行二次光能转换，从而大大提高了该电池组件的光能反射效率和单位作业功率。该电池组件的光能反射效率和单位作业功率。该电池组件的光能反射效率和单位作业功率。

【技术实现步骤摘要】
一种提高反射的异质结电池组件


[0001]本技术涉及异质结电池
，具体为一种提高反射的异质结电池组件。

技术介绍

[0002]异质结电池组件通常存在于太阳能光伏板上及用于太阳能发电，光伏电池片通过设置PN结从而对太阳入射光进行光电转换实现发电，早期BSF电池由于背表面的金属铝膜层中的复合存在，导致电池转换效率只能达到19％左右；通过电池背表面设置介质膜钝化，采用局域金属接触，大大降低背表面复合速度，同时提升了背表面的光反射，形成PERC结构电池；目前，利用效率比较高的双面异质结电池组由于底面抛光平面的特性，虽然采用此种设计的太阳能电池其透光率都比较好，但对于透射而过的光由于其光强不够，难以进行高效的再次利用，不仅导致了电池材料的浪费，并且在作用功率也有待进一步提高，鉴于上述问题，我们提出了一种提高反射的异质结电池组件。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种提高反射的异质结电池组件，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的异质结电池组难以进行高效的光能反射和再次利用的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种提高反射的异质结电池组件，包括由N型硅晶电池板一、反射层和N型硅晶电池板二组成的主体结构，并作为电池组件的截面体的核心构件，所述反射层设置于N型硅晶电池板一和N型硅晶电池板二的中间夹层处，同时N型硅晶电池板一位于最上端。
[0005]优选的，所述反射层的上下面分别与N型硅晶电池板一和N型硅晶电池板二紧密粘结，所述反射层的层体内部包括第一锥形晶块和与第一锥形晶块相邻的第二锥形晶块。
[0006]优选的，所述第一锥形晶块和第二锥形晶块之间呈矩阵式均匀分布于反射层的内部，其中，第一锥形晶块为垂直正向设置、第二锥形晶块为垂直反向设置，同时第一锥形晶块和第二锥形晶块之间的间距垂直线不得重合。
[0007]优选的，所述第一锥形晶块和第二锥形晶块的结构尺寸相同，同时第一锥形晶块和第二锥形晶块可设置为圆锥形、矩边锥形和三角边锥形。
[0008]优选的，所述N型硅晶电池板一的上表面还设置有耐候性层。
[0009]优选的，所述N型硅晶电池板一和N型硅晶电池板二的底部分别设置有与其适配的第一透明导电氧化层和第二透明导电氧化层，所述电池组件的截面体的最低部设置有背电极板。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过N型硅晶电池板一、反射层和N型硅晶电池板二的相互配合，当光线透过N型硅晶电池板一射入反射层时，第一锥形晶块可将弱化的光线进行聚拢和反射放大，其锥形结构类同于单向放大镜形式，从而将反射放大的光线直接射入N型硅晶电池板二进行光电转换，从而达到对光源的收集和高效转化的效果，同理，N型硅晶电池板二吸收的光源可通过第二锥形晶块将弱化的光线进行逆向反射及放
大，反射的光线又会再次射入N型硅晶电池板一进行二次光能转换，从而大大提高了该电池组件的光能反射效率和单位作业功率。
附图说明
[0011]图1为本技术电池组横截面结构示意图；
[0012]图2为本技术反射层横截面结构示意图；
[0013]图3为本技术锥形晶块排列结构示意图。
[0014]图中：1、电池组件的截面体；2、N型硅晶电池板一；3、反射层；31、第一锥形晶块；32、第二锥形晶块；4、N型硅晶电池板二；5、第一透明导电氧化层；6、第二透明导电氧化层；7、背电极板；8、耐候性层。
具体实施方式
[0015]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。
[0016]其次，本技术结合示意图进行详细描述，在详述本技术实施方式时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0017]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的实施方式作进一步地详细描述。
[0018]图1
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图3示出的是本技术一种提高反射的异质结电池组件的全部结构示意图，请参阅图1
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图3，本实施方式的一种提高反射的异质结电池组件，包括由N型硅晶电池板一2、反射层3和N型硅晶电池板二4组成的主体结构，并作为电池组件的截面体1的核心构件，反射层3设置于N型硅晶电池板一2和N型硅晶电池板二4的中间夹层处，同时N型硅晶电池板一2位于最上端。
[0019]本实施例中，反射层3的上下面分别与N型硅晶电池板一2和N型硅晶电池板二4紧密粘结，反射层3的层体内部包括第一锥形晶块31和与第一锥形晶块31相邻的第二锥形晶块32，第一锥形晶块31和第二锥形晶块32之间呈矩阵式均匀分布于反射层3的内部，其中，第一锥形晶块31为垂直正向设置、第二锥形晶块32为垂直反向设置，同时第一锥形晶块31和第二锥形晶块32之间的间距垂直线不得重合，第一锥形晶块31和第二锥形晶块32的结构尺寸相同，同时第一锥形晶块31和第二锥形晶块32可设置为圆锥形、矩边锥形和三角边锥形，当光线透过N型硅晶电池板一2射入反射层3时，第一锥形晶块31可将弱化的光线进行聚拢和反射放大，其锥形结构类同于单向放大镜形式，从而将反射放大的光线直接射入N型硅晶电池板二4进行光电转换，从而达到对光源的收集和高效转化的效果，同理，N型硅晶电池板二4吸收的光源可通过第二锥形晶块32将弱化的光线进行逆向反射及放大，反射的光线又会再次射入N型硅晶电池板一2进行二次光能转换，从而大大提高了该电池组件的光能反射效率和单位作业功率。
[0020]进一步的，N型硅晶电池板一2的上表面还设置有耐候性层8，该耐候性层8可采用具有高透性、耐候性能突出的聚氯乙烯薄膜形式，其能够有效保护N型硅晶电池板一2的表
面物理性能和使用寿命。
[0021]作为本实施例的进一步补充，N型硅晶电池板一2和N型硅晶电池板二4的底部分别设置有与其适配的第一透明导电氧化层5和第二透明导电氧化层6，电池组件的截面体1的最低部设置有背电极板7，通过第一透明导电氧化层5、第二透明导电氧化层6和背电极板7的相互配合能够对N型硅晶电池板一2和N型硅晶电池板二4收集的光源能量转化为电流形式进行疏导收集。
[0022]综上，本实施方式的一种提高反射的异质结电池组件，当光线透过N型硅晶电池板一2射入反射层3时，第一锥形晶块31可将弱化的光线进行聚拢和反射放大，其锥形结构类同于单向放大镜形式，从而将反射放大的光线直接射入N型硅晶电池板二4进行光电转换，从而达到对光源的收集和高效转化的效果，同理，N型硅晶电池板二4吸收的光源可通过第二锥形晶块32将弱化的光线进行逆向反射及放大，反射的光线又会再次射入N型硅晶电池板一2进行二次光能转换，从而大大提高了该电池组件的光能反射效率和单位作业功率。
[0023]虽然在上文中已经参考实施方式对本技术进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高反射的异质结电池组件，其特征在于，包括由N型硅晶电池板一(2)、反射层(3)和N型硅晶电池板二(4)组成的主体结构，并作为电池组件的截面体(1)的核心构件，所述反射层(3)设置于N型硅晶电池板一(2)和N型硅晶电池板二(4)的中间夹层处，同时N型硅晶电池板一(2)位于最上端。2.根据权利要求1所述的一种提高反射的异质结电池组件，其特征在于：所述反射层(3)的上下面分别与N型硅晶电池板一(2)和N型硅晶电池板二(4)紧密粘结，所述反射层(3)的层体内部包括第一锥形晶块(31)和与第一锥形晶块(31)相邻的第二锥形晶块(32)。3.根据权利要求2所述的一种提高反射的异质结电池组件，其特征在于：所述第一锥形晶块(31)和第二锥形晶块(32)之间呈矩阵式均匀分布于反射层(3)的内部，其中，第一锥形晶块(31)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张德强，林宏达，孙曾平，
申请(专利权)人：成都中浦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：