封装结构制造技术

本申请提出的一种封装结构，包括内埋元件、内层线路单元、第一导电层和第二导电层，内层线路单元包括在第一方向叠设的基层和第一导电线路层，内层线路单元中设置有贯穿第一导电线路层和至少部分基层的开槽，第一导电线路层包括第一线路区和第二线路区，在垂直于第一方向的第二方向上，第一线路区和第二线路区分别位于开槽两侧；第一导电层和第二导电层形成开槽在第二方向上相对的两个侧壁，第一导电层电连接第一线路区，第二导电层电连接第二线路区，内埋元件包括元件本体、第一引脚和第二引脚，第一引脚朝向第一导电层并电连接元件本体和第一导电层，第二引脚朝向第二导电层并电连接元件本体和第二导电层。利于提高封装结构的埋件数量。埋件数量。埋件数量。

【技术实现步骤摘要】
封装结构


[0001]本申请涉及电路板封装领域，具体涉及一种封装结构。

技术介绍

[0002]现有的封装结构包括电路板和设于电路板开槽内的内埋元件，内埋元件包括引脚，引脚与电路板一外侧线路层电连接。
[0003]然而，由于只有引脚朝向外侧线路层的内埋元件才可以与电路板实现电连接，制约了电路板内埋元件的数量。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提供一种有利于提高埋件数量的封装结构。
[0005]本申请提供一种封装结构，包括内埋元件，所述封装结构还包括内层线路单元，所述内层线路单元包括在第一方向叠设的基层和第一导电线路层，所述内层线路单元中设置有开槽，所述开槽贯穿所述第一导电线路层和至少部分所述基层，所述第一导电线路层包括第一线路区和第二线路区，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述第一线路区和所述第二线路区分别位于所述开槽两侧；
[0006]所述封装结构还包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层形成所述开槽在所述第二方向上相对的两个侧壁，所述第一导电层电连接所述第一线路区，所述第二导电层电连接所述第二线路区，所述内埋元件包括元件本体、第一引脚和第二引脚，所述第一引脚朝向所述第一导电层并电连接所述元件本体和所述第一导电层，所述第二引脚朝向所述第二导电层并电连接所述元件本体和所述第二导电层。
[0007]可选地，所述开槽包括在所述第二方向依次排列的第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第一导电层设于所述第一通孔的侧壁上，所述第二导电层设于所述第三通孔的侧壁上。
[0008]可选地，所述内层线路单元还包括第二导电线路层，所述第二导电线路层置于所述基层远离所述第一导电线路层的一侧，所述开槽还贯穿所述第二导电线路层，所述第二导电线路层包括第三线路区和第四线路区，在所述第二方向上，所述第三线路区和所述第四线路区分别位于所述开槽两侧，所述第三线路区与所述第一导电层电连接，所述第四线路区与所述第二导电层电连接。
[0009]可选地，所述内埋元件的数量为至少两个，至少两个所述内埋元件在所述第一方向上叠设于所述开槽内。
[0010]可选地，所述封装结构还包括设于所述开槽内的绝缘层，所述绝缘层包覆所述内埋元件。
[0011]可选地，所述封装结构还包括第一外层线路单元，所述第一外层线路单元包括第一介电层和第三导电线路层，所述第一介电层覆盖所述第一导电线路层和所述开槽上方，所述第三导电线路层置于所述第一介电层远离所述第一导电线路层的一侧，所述第三导电
线路层与所述第一导电线路层电连接。
[0012]可选地，所述封装结构还包括第二外层线路单元，所述第二外层线路单元包括第二介电层和第四导电线路层，所述第二介电层覆盖所述第二导电线路层和所述开槽上方，所述第四导电线路层置于所述第二介电层远离所述第二导电线路层的一侧，所述第四导电线路层与所述第二导电线路层电连接。
[0013]可选地，所述第三导电线路层上电连接有焊球，所述焊球远离所述第一导电线路层凸设于所述第三导电线路层。
[0014]可选地，所述封装结构还包括第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第三导电线路层和所述开槽上方，所述焊球凸设于所述第一保护层。
[0015]可选地，所述封装结构还包括第二保护层，所述第二保护层覆盖所述第四导电线路层和所述开槽上方。
[0016]相比于现有技术，本申请通过在开槽侧壁上设置分别与所述第一线路区和所述第二线路区电连接的所述第一导电层和所述第二导电层，所述内埋元件分别与所述第一导电层和所述第二导电层电连接即可分别与所述第一线路区和所述第二线路区实现电连接，使得可以在所述开槽内叠设多个所述内埋元件，从而可以提高所述封装结构的埋件数量。
附图说明
[0017]图1为本申请实施例提供的封装结构的剖面示意图；
[0018]图2为图1所述封装结构中内埋元件与第一导电层和所述第二导电层的连接俯视图；
[0019]图3为制备图1所述封装结构提供的双面覆金属基板的剖面图；
[0020]图4为在图3所述双面覆金属基板上形成第一通孔和第三通孔的剖面图；
[0021]图5为在图4所述双面覆金属基板的双金属表面、第一通孔和第三通孔上形成第一电镀层和第二电镀层的剖面图；
[0022]图6为在图5所述双面覆金属基板上形成开槽的剖面图；
[0023]图7为在图6所述开槽内放置内埋元件的剖面图；
[0024]图8为在图7所述开槽内形成第一导电层和第二导电层的剖面图；
[0025]图9为在图8所述开槽内填充绝缘树脂形成绝缘层的剖面图；
[0026]图10为在图9所述第一电镀层和所述第二电镀层上分别形成第一导电线路层和第二导电线路层的剖面图；
[0027]图11为在图10所述第一导电线路层和所述第二导电线路层上分别形成第一介电层和第二介电层的剖面图；
[0028]图12为在图11所述第一介电层和所述第二介电层上分别形成第三导电线路层和第四导电线路层的剖面图；
[0029]图13为在图12所述第三导电线路层和所述第四导电线路层上分别形成第一保护层和第二保护层的剖面图。
[0030]主要元件符号说明
[0031]封装结构
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100
[0032]内埋元件
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10
[0033]元件本体
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11
[0034]第一引脚
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12
[0035]第二引脚
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13
[0036]内层线路单元
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20
[0037]双面覆金属基板
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201
[0038]基层
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21
[0039]第一金属层
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202
[0040]第二金属层
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203
[0041]第一通孔
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204
[0042]第二通孔
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205
[0043]第三通孔
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206
[0044]第一导电线路层
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22
[0045]第一线路区
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221
[0046]第二线路区
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，包括内埋元件，其特征在于，所述封装结构还包括内层线路单元，所述内层线路单元包括在第一方向叠设的基层和第一导电线路层，所述内层线路单元中设置有开槽，所述开槽贯穿所述第一导电线路层和至少部分所述基层，所述第一导电线路层包括第一线路区和第二线路区，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述第一线路区和所述第二线路区分别位于所述开槽两侧；所述封装结构还包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层形成所述开槽在所述第二方向上相对的两个侧壁，所述第一导电层电连接所述第一线路区，所述第二导电层电连接所述第二线路区，所述内埋元件包括元件本体、第一引脚和第二引脚，所述第一引脚朝向所述第一导电层并电连接所述元件本体和所述第一导电层，所述第二引脚朝向所述第二导电层并电连接所述元件本体和所述第二导电层。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述开槽包括在所述第二方向依次排列的第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第一导电层设于所述第一通孔的侧壁上，所述第二导电层设于所述第三通孔的侧壁上。3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述内层线路单元还包括第二导电线路层，所述第二导电线路层置于所述基层远离所述第一导电线路层的一侧，所述开槽还贯穿所述第二导电线路层，所述第二导电线路层包括第三线路区和第四线路区，在所述第二方向上，所述第三线路区和所述第四线路区分别位于所述开槽两侧，所述第三线路区与所述第一导电层电连接，所述第四线路区与所述第二导电层电连...

【专利技术属性】
技术研发人员：林昭逸，
申请(专利权)人：礼鼎半导体科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：