半导体结构及半导体器件制造技术

本公开实施例提供一种半导体结构以及一种半导体器件。根据本公开实施例的半导体结构包括：衬底；第一氧化层，形成在所述衬底上；多条第一导电线，形成在所述第一氧化层上，并沿第一方向排布；第二氧化层，形成在所述第一氧化层和所述多条第一导电线上，其中，所述第二氧化层中形成多个通孔，使得所述多条第一导电线中的每条第一导电线的两端分别与一个通孔相连接，所述通孔中填充有导电材料；以及多条第二导电线，形成在所述第二氧化层上并且分别与一个或多个通孔相连接，使得所述多条第一导电线、所述多个通孔及所述多条第二导电线共同构成螺旋连接的导电结构。构成螺旋连接的导电结构。构成螺旋连接的导电结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体器件


[0001]本公开的实施例涉及电子器件领域，尤其涉及一种半导体结构以及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]在衬底为基础的半导体及其相关工艺中，电感线圈有了广泛的应用，例如，在无线芯片应用中，可以采用半导体工艺中的金属线设计不同形状的线圈，用来接收无线信号。然而，当前这些结构，基本都是采用如图1所示的轴线OO'与衬底表面垂直的线圈结构。
[0003]然而，图1所示的轴线与衬底表面垂直的线圈结构适应性低，不能满足灵活多样的器件设计及应用的要求，并且会增加系统的成本。因此，需要一种具有灵活的空间几何结构和调制参数的半导体结构以及半导体器件，来满足多样化器件设计及应用的各种相应需求。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：衬底；第一氧化层，形成在所述衬底上；多条第一导电线，形成在所述第一氧化层上，并沿第一方向排布；第二氧化层，形成在所述第一氧化层和所述多条第一导电线上，其中，所述第二氧化层中形成多个通孔，使得所述多条第一导电线中的每条第一导电线的两端分别与一个通孔相连接，所述通孔中填充有导电材料；以及多条第二导电线，形成在所述第二氧化层上并且分别与一个或多个通孔相连接，使得所述多条第一导电线、所述多个通孔及所述多条第二导电线共同构成螺旋连接的导电结构。
[0005]根据本公开的一些实施例，其中，所述螺旋连接的导电结构的轴线方向与所述衬底平行。
[0006]根据本公开的一些实施例，其中，所述第一方向为平行于所述衬底的直线方向。
[0007]根据本公开的一些实施例，其中，所述多条第一导电线相互平行。
[0008]根据本公开的一些实施例，其中，所述多条第二导电线相互平行。
[0009]根据本公开的一些实施例，其中，所述第一方向为平行于所述衬底的环形、弧形或扇形方向。
[0010]根据本公开的一些实施例，其中，所述第二氧化层包括堆叠的多个氧化子层，所述多个氧化子层中的多个子通孔分别上下贯通，构成所述第二氧化层中的所述多个通孔的至少一部分。
[0011]根据本公开的一些实施例，其中，一条第二导电线的一端连接至与一条第一导电线连接的通孔，另一端连接至与另一条第一导电线连接的通孔，以使得所述多条第一导电线、所述多个通孔及所述多条第二导电线共同构成螺旋连接的导电结构。
[0012]根据本公开的一些实施例，其中，所述多条第一导电线、所述多个通孔及所述多条第二导电线共同构成螺旋连接且相互嵌套的多个导电结构，所述多个导电结构之间不具有
电连接。
[0013]根据本公开的一些实施例，其中，所述第一导电线由多晶硅材料构成。
[0014]根据本公开的一些实施例，其中，所述半导体结构还包括：绝缘层，形成在所述第二氧化层和/或多条第二导电线上；和/或一条或多条第三导电线，与所述螺旋连接的导电结构电连接，使得所述螺旋连接的导电结构与所述一条或多条第三导电线构成半导体器件的至少一部分。
[0015]根据本公开的再一方面，提供一种半导体器件，包括如上任一项所述的半导体结构。
[0016]根据本公开的一些实施例，其中，所述半导体器件为：能量转换器件、能量储存器件、电流测量器件、电压转换器件、隔离通讯器件中的至少一种或其任意组合。
[0017]根据本公开的一些实施例，其中，构成所述半导体结构的所述螺旋连接的导电结构的参数是根据所述半导体器件的类型和/或参数而确定的。
[0018]根据本公开的一些实施例，其中，所述螺旋连接的导电结构的参数包括以下至少一个：所述螺旋连接的导电结构的线圈尺寸；所述螺旋连接的导电结构的轴向长度和/或形状；以及所述螺旋连接的导电结构的匝数。
[0019]根据本公开实施例所提供的半导体结构以及半导体器件，能够提供一种轴线与衬底表面近似平行的线圈结构，以灵活控制磁力线在衬底上的走向和分布趋势，获得高磁通量的半导体器件。根据本公开实施例的半导体结构以及半导体器件，能够通过该线圈结构的多个维度的调制参数生成相应的物理模型，根据实际应用的需求灵活方便地制造具有各种不同的空间几何结构的半导体器件，提升设计效率和器件性能，适应不同的应用场景。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对本公开实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1示出现有技术中所采用的轴线OO'与衬底表面垂直的线圈结构；
[0022]图2示出根据本公开一个实施例的半导体结构的结构示意图；
[0023]图3示出根据本公开一个实施例的半导体结构的结构示意图；
[0024]图4示出根据本公开一个实施例的螺旋连接且相互嵌套的双层导电结构的示例；
[0025]图5示出根据本公开一个实施例的螺旋连接且相互嵌套的三层导电结构的示例；
[0026]图6示出根据本公开一个实施例的螺旋连接的导电结构的轴线OO
’
的走向的各种示例图；
[0027]图7示出根据本公开一个实施例的螺旋连接的导电结构的轴线OO
’
的各种俯视图的示例；
[0028]图8示出根据本公开一个实施例的螺旋连接的导电结构的另一示例；
[0029]图9示出根据本公开一个实施例的能量转换器件的示意图；
[0030]图10示出根据本公开一个实施例的能量储存器件的示意图；
[0031]图11示出根据本公开一个实施例的电流测量器件的示意图；
[0032]图12示出根据本公开一个实施例的电压转换器件的示意图；
[0033]图13示出根据本公开一个实施例的隔离通讯器件的示意图。
具体实施方式
[0034]为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0035]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；第一氧化层，形成在所述衬底上；多条第一导电线，形成在所述第一氧化层上，并沿第一方向排布；第二氧化层，形成在所述第一氧化层和所述多条第一导电线上，其中，所述第二氧化层中形成多个通孔，使得所述多条第一导电线中的每条第一导电线的两端分别与一个通孔相连接，所述通孔中填充有导电材料；以及多条第二导电线，形成在所述第二氧化层上并且分别与一个或多个通孔相连接，其中，一条第二导电线的一端连接至与一条第一导电线连接的通孔，另一端连接至与另一条第一导电线连接的通孔，使得所述多条第一导电线、所述多个通孔及所述多条第二导电线共同构成螺旋连接的导电结构。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述螺旋连接的导电结构的轴线方向与所述衬底平行。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向为平行于所述衬底的直线、环形、弧形或扇形方向。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多条第一导电线和/或所述第二导电线相互平行。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二氧化层包括堆叠的多个氧化子...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩智毅，陈曦，
申请(专利权)人：韩智毅，
类型：新型
国别省市：