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一种用于MCM-GPU的电压噪声平缓系统技术方案

技术编号:35933219 阅读:25 留言:0更新日期:2022-12-14 10:19
一种用于MCM

【技术实现步骤摘要】
一种用于MCM

GPU的电压噪声平缓系统


[0001]本专利技术属于平缓电压噪声
,尤其是涉及一种用于MCM架构的GPU 电压噪声平缓技术。
技术背景
[0002]图形处理器芯片的性能与晶体管数量正向相关,取决于芯片的面积和工艺制程。而最近受限于光学上限和生产良率,单芯片的晶体管数量已经明显放缓,摩尔定律逐渐失效,芯片面积和晶体管数量增长速度正稳定降低。但在高性能计算、云计算、深度学习等众多领域依然对芯片性能存在巨大需求。因此,MCM (多芯片同封装)的技术方案逐渐成为新的继续大幅提升芯片性能的有效途径。
[0003]MCM芯片包含多个GPM(图形处理器模块),其规模相当于传态的但封装芯片,这些芯片模块被集成在一个封装内,可使得芯片整体性能翻倍提升。但也会带来功耗大幅提升的问题,供电的稳定性也将受到挑战。
[0004]电压噪声是芯片在运行过程中,出现的实际电压低于供电电压的现象,若电压波动较大可能会出现程序崩溃无法运行。因此,当今的处理器PDN(供电网络)电压设计会留有不小的保护带以应对电压噪声的影响。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于MCM

GPU的电压噪声平缓系统,包括检测器和执行器两大部分,其中,检测器包括:一个用于存储50个周期之内的每个SM的WARP状态标志位的第一存储装置;一个用于存储50个周期之内的每个GPM中发生WARP状态标志位变化的SM数量的第二存储装置;执行器包括:一个用于存储触发平缓机制信号标志位的第三存储装置;一个用于存储SM执行的开始周期的第四存储装置;其特征在于检测器还包括:一个用于比较前一个周期SM的WARP状态标志位和当前周期SM的WARP状态标志位的第一比较器;一个由第一比较器控制的WARP状态标志位变换装置;一个由WARP状态标志位变换装置控制的SM数量变化装置;执行器还包括:一个由存储在第二存储装置中的SM数量与GPM中一半SM数量比较的第二比较器;一个由第二比较器控制的触发平缓机制信号标志位变换装置;一个用于第三存储装置控制的SM执行开始周期变化的装置。2.根据权利要求1所述的一种用于MCM
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【专利技术属性】
技术研发人员:谭婧炜佳陈科宇阎凯歌
申请(专利权)人:吉林大学
类型:发明
国别省市:

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