晶片载置台制造技术

本发明专利技术提供一种晶片载置台，其能够非破坏性地进行埋设于陶瓷基板的第一电极和向该第一电极供电的第一供电端子的第一接合部的检查。静电卡盘加热器具备陶瓷基板、加热器电极、加热器供电端子、接合部以及静电电极。加热器电极埋设于陶瓷基板。加热器供电端子从陶瓷基板中的与晶片载置面相反侧的面朝向加热器电极插入。接合部将加热器电极与加热器供电端子接合。静电电极设置在晶片载置面与加热器电极之间。在陶瓷基板的内部且从加热器电极中的与接合部相反侧的位置到晶片载置面为止的直线状部分(P)由陶瓷基板的材料构成。状部分(P)由陶瓷基板的材料构成。状部分(P)由陶瓷基板的材料构成。

【技术实现步骤摘要】
晶片载置台


[0001]本专利技术涉及晶片载置台。

技术介绍

[0002]作为半导体制造装置用构件，已知有晶片载置台。例如，专利文献1所记载的晶片载置台具备：具有晶片载置面的陶瓷基板；埋设于陶瓷基板的加热器电极；以及以覆盖加热器电极的方式埋设于陶瓷基板中的晶片载置面与加热器电极之间的静电电极。向加热器电极供给电力的加热器供电端子从陶瓷基板中的与晶片载置面相反侧的面朝向加热器电极插入，并与加热器电极电接合。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑
86919号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]在这样的晶片载置台中，有时在加热器电极与加热器供电端子的接合部产生空洞。在该情况下，接合部的电阻变大，因此在经由加热器供电端子向加热器电极供电时，接合部及其周边的温度变高，晶片的均热性降低。因此，期望不破坏晶片载置台而使用超声波探伤装置从晶片载置面侧检查接合部。然而，加热器电极与加热器供电端子的接合部被静电电极覆盖。因此，从超声波探伤装置发射的超声波被静电电极阻碍，存在无法检测接合部的问题。该问题不限于加热器电极与加热器供电端子的接合部，对于埋设于陶瓷基板的电极与接连于该电极的供电端子的接合部也会产生。
[0008]本专利技术是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于，能够以非破坏的方式进行在晶片载置台中埋设于陶瓷基板的第一电极与向该第一电极供电的第一供电端子的第一接合部的检查。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]本专利技术的晶片载置台，具备：
[0011]陶瓷基板，其具有晶片载置面；
[0012]第一电极，其埋设于上述陶瓷基板；
[0013]第一供电端子，其从上述陶瓷基板中的与上述晶片载置面相反侧的面朝向上述第一电极插入；
[0014]第一接合部，其将上述第一电极与上述第一供电端子接合；以及
[0015]第二电极，其设置在上述陶瓷基板中的上述晶片载置面与上述第一电极之间，
[0016]在上述陶瓷基板的内部且从上述第一电极中的与上述第一接合部相反侧的位置到上述晶片载置面为止的直线状部分由上述陶瓷基板的材料构成。
[0017]在该晶片载置台中，在陶瓷基板的内部且从第一电极中的与第一接合部相反侧的
位置到晶片载置面为止的直线状部分由陶瓷基板的材料构成。即，在直线状部分不存在金属等。因此，在使用超声波探伤装置从晶片载置面侧进行第一接合部的非破坏检查的情况下，从晶片载置面入射到直线状部分的超声波会不被金属等遮挡地到达第一电极中的与第一接合部相反侧的位置，之后，反射的超声波会不被遮挡地返回到晶片载置面侧。因此，能够进行第一接合部的非破坏检查。
[0018]在本专利技术的晶片载置台中，也可以是，上述第二电极在将上述第一接合部沿铅直方向投影于上述第二电极的位置具有贯通孔，上述贯通孔的内部由上述陶瓷基板的材料填充而构成上述直线状部分的一部分。这样，即使在陶瓷基板中的晶片载置面与第一电极之间设置有覆盖第一电极的第二电极，也能够进行第一接合部的非破坏检查。
[0019]在此，上述第一接合部优选为直径d的圆形，上述贯通孔优选为圆孔，且直径为d/2以上且2d以下。如果贯通孔的直径为d/2以上，则超声波能够在从晶片载置面侧到达第一电极中的与第一接合部相反侧的位置后反射而可靠地返回到晶片载置面侧。另外，若贯通孔的直径为2d以下，则能够良好地维持第二电极的功能。
[0020]在本专利技术的晶片载置台中，也可以是，上述第二电极以避开上述直线状部分的方式设置。这样，即使在陶瓷基板中的晶片载置面与第一电极之间设置有第二电极，也能够进行第一接合部的非破坏检查。
[0021]在本专利技术的晶片载置台中，上述第一电极可以是加热器电极或RF电极。在第一电极是加热器电极的情况下，第二电极可以是静电电极、RF电极或与第一电极不同的加热器电极。另外，在第一电极是RF电极的情况下，第二电极可以是静电电极、加热器电极或与第一电极不同的RF电极。例如，在第二电极为单极型的静电电极或RF电极的情况下，优选在将第一接合部沿铅直方向投影于第二电极的位置设置贯通孔，并用陶瓷基板的材料填充该贯通孔。在第二电极是双极型的静电电极或加热器电极的情况下，优选以避开直线状部分的方式设置第二电极。
[0022]在本专利技术的晶片载置台中，上述第一电极可以是由电阻发热体形成的加热器电极，更优选的是，上述电阻发热体是二维形状(例如平坦且细长的带形状)，厚度为1μm以上且100μm以下。这样，从晶片载置面侧非破坏地检查第一电极(电阻发热体)与第一供电端子的第一接合部的精度变高。
附图说明
[0023]图1是静电卡盘加热器10的立体图。
[0024]图2是图1的A
‑
A剖视图。
[0025]图3是从上方观察将静电卡盘加热器10沿着加热器电极14水平地切断后的切断面时的剖视图。
[0026]图4是从上方观察将静电卡盘加热器10沿着静电电极18水平地切断后的切断面时的剖视图。
[0027]图5是表示梳状电极118、118的剖视图。
[0028]符号说明
[0029]10：静电卡盘加热器；12：陶瓷基板；12a：晶片载置面；12b：与晶片载置面相反侧的面；14：加热器电极；15：电阻发热体；15a：端部；16：加热器供电端子；17：接合部；18：静电电
极；18a：贯通孔；19：棒状端子；118：梳状电极；P：直线状部分；U：超声波；W：晶片。
具体实施方式
[0030]根据附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1是本实施方式的静电卡盘加热器10的立体图，图2是图1的A
‑
A剖视图，图3是从上方观察将静电卡盘加热器10沿着加热器电极14水平地切断后的切断面时的剖视图，图4是从上方观察将静电卡盘加热器10沿着静电电极18水平地切断后的切断面时的剖视图。在图2中，还示出了将单点划线的圆内放大后的局部放大图。在以下的说明中，有时使用上下、左右、前后，但它们只不过是表示相对的位置关系。需要说明的是，在本说明书中，表示数值范围的“～”作为包含其前后所记载的数值作为下限值及上限值的含义而使用。
[0031]静电卡盘加热器10是晶片载置台，在陶瓷基板12的内部埋设有加热器电极14和静电电极18。
[0032]陶瓷基板12是陶瓷制(例如氧化铝制、氮化铝制)的圆板。在陶瓷基板12的表面设置有能够载置晶片W的晶片载置面12a。
[0033]加热器电极14由在与晶片载置面12a平行的面上形成的带状(平坦且细长的带形状)的电阻发热体15形成。所谓“平行”，除了完全平行的情况以外，还包括实质上平行的情况(例如落入公差的范围的情况等)。带状的电阻发热体15没有特别限定，例如可以设定为宽度0.1～10mm、厚度1～100μm、线间距离0.1～5mm。加热器电极14从电阻发热体15的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片载置台，具备：陶瓷基板，其具有晶片载置面；第一电极，其埋设于所述陶瓷基板；第一供电端子，其从所述陶瓷基板中的与所述晶片载置面相反侧的面朝向所述第一电极插入；第一接合部，其将所述第一电极与所述第一供电端子接合；以及第二电极，其设置在所述陶瓷基板中的所述晶片载置面与所述第一电极之间，在所述陶瓷基板的内部且从所述第一电极中的与所述第一接合部相反侧的位置到所述晶片载置面为止的直线状部分由所述陶瓷基板的材料构成。2.根据权利要求1所述的晶片载置台，所述第二电极在将所述第一接合部沿铅直方向投影于所述第二电极的位置具有贯通孔，所述贯通孔的内部由所述陶瓷基板的材料填充而构成所述直线状部分的一部分。3.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：久野达也，胁坂拓实，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：