【技术实现步骤摘要】
调压装置、调压柜及还原炉
[0001]本专利技术涉及电压调节领域，特别是涉及一种调压装置、调压柜及还原炉。
技术介绍
[0002]多晶硅的生产工艺需要大功率电源加热恒温控制多晶硅棒生长；多晶硅在整个生产过程中电阻值变化范围很大，电压从2000V/m变化至10V/m，在开始启动炉时硅芯不导电情况下需要2000V/m的高电压击穿硅芯，击穿后在电流的作用下温度较高后阻值明显下降，所需电源运行电压降低。目前，国内外多晶硅还原炉硅芯击穿启动，主要依靠集中打压设备来降低硅芯电阻率后，低电压运行，但启动时间较长，配套设备复杂，成本高、启动效率低。在大型多晶硅生产线，对进一步降低还原炉电源成本，提高还原炉电源设备先进性研发有重要的意义。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是提供一种调压装置、调压柜及还原炉，无需打压设备击穿硅棒，仅通过变压变流器进行升压升流以击穿硅棒，使用成本降低，配套设备简单。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种调压装置，包括：
[0005]主调压器及辅调压器，所述...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种调压装置，其特征在于，包括：主调压器及辅调压器，所述主调压器的第一端与还原变压器的副边线圈的第一端及对应抽头端连接，所述辅调压器的第一端与所述还原变压器的副边线圈的第一端及对应抽头端连接，第一组硅棒的第一端与所述主调压器的第二端连接，第一组所述硅棒与第二组所述硅棒直至第N组所述硅棒依次连接，第N组所述硅棒的第二端与所述辅调压器的第二端连接，N为大于2的整数；所述主调压器及所述辅调压器用于调整所述还原变压器的副边的电压为硅棒供电；第一可控开关，所述第一可控开关的第一端与第N组所述硅棒的第二端连接，所述第一可控开关的第二端与所述还原变压器的副边线圈的第二端连接；变压变流器，所述变压变流器的第一端与所述还原变压器的副边线圈的第二端连接，所述变压变流器的第二端与第一可控开关组的第一端连接，所述第一可控开关组的第i个第二端与第i组所述硅棒的第二端连接，用于将所述还原变压器输出的电压升压以击穿对应组的所述硅棒，0<i<N；第二可控开关组，所述第二可控开关组的第i个第一端与第i组所述硅棒的第二端连接，所述第二可控开关组的第二端与所述还原变压器的副边的第二端连接；控制器，所述控制器分别与所述第一可控开关的控制端、所述第一可控开关组的控制端及所述第二可控开关的控制端连接的控制器，用于控制所述第一可控开关组的第i个第二端与第i组所述硅棒的第二端连接，所述第二可控开关组的第i+1个第一端与第i+1组所述硅棒的第二端连接。2.如权利要求1所述的调压装置，其特征在于，还包括电压检测模块，所述电压检测模块的第一端与所述还原变压器的副边线圈的第一端连接，所述电压检测模块的第二端分别与所述主调压器的第一端及所述辅调压器的第一端连接，用于检测所述还原变压器输出的电压是否过压。3.如权利要求1所述的调压装置，其特征在于，所述第一可控开关为固态开关。4.如权利要求1所述的调压装置，其特征在于，所述主调压器包括M个触点，所述主调压器的M个触点分别与所述还原变压器的副边线圈的第一端及M
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1个抽头端连接，用于将所述还原变压器的副边输出的电压调整为M个不同的电压输出，M为不小于2的整数；所述辅调压器包括L个触点，所述辅调压器的L个触点分别与所述还原变压器的副边线圈的第一端及L
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1个抽头端连接，用于将所述还原变压器的副边输出的电压调整为L个不同的电压输出，L为不小于2的整数。5.如权利要求1至4任一项所述的调压装置，其特征在于，当需要击穿的硅棒为四对时，N为3，第一组所述硅棒包括第一对硅棒及第二对硅棒，第二组所述硅棒包括第三对硅棒，第三组所述硅棒包括第四对硅棒，所述第一可控开关组包括第二可控开关及第三可控开关，所述第二可控开关组包括第四可控开关及第五可控开关；所述第二可控开关的第一端分别与所述辅调压器及所述变压变流器连接，所述第二可控开关的第二端分别与第三对所述硅棒的第一端及所述第四可控开关的第一端连接，所述第三可控开关的第二端分别与所述辅调压器及所述变压变流器连接，所述第三可控开关的第二端分别与第三对所述硅棒的第二端及第五可控开关的第一端连接，所述第三可控开关的第二端及所述第五可控开关的第二端均与所述还原变压器的副边的第二端连接；
所述第二可控开...
【专利技术属性】
技术研发人员：王清华，
申请(专利权)人：重庆大全泰来电气有限公司，
类型：发明
国别省市：
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