磁控溅射结合力检测方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

技术编号:35921730 阅读:33 留言:0更新日期:2022-12-10 11:06
本发明专利技术公开了一种磁控溅射结合力检测方法、装置、设备及存储介质,磁控溅射结合力检测方法应用于磁控溅射结合力检测装置的主控设备,磁控溅射结合力检测装置还包括推刀和载物台,主控设备与推刀、载物台通信连接,检测方法包括:控制载物台移动至预设测试位置,控制推刀沿Z轴移动至预设的初始位置,以使推刀位于待测件正前方,控制推刀从初始位置沿Z轴移动至预设检测位置,控制载物台以预设测试速度沿X轴向推刀方向移动,以使待测件与推刀接触,获取推刀剪断待测件时推刀受到的推力,以得到剪切力,获取待测件和推刀的接触面积,根据接触面积和剪切力进行推力计算,得到目标结合力。本发明专利技术能够通过推力测试检测出磁控溅射镀膜的结合力。的结合力。的结合力。

【技术实现步骤摘要】
磁控溅射结合力检测方法、装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及电路板工艺
,尤其是涉及一种磁控溅射结合力检测方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]在RDL产品制造行业中,磁控溅射镀膜的结合力直接决定了产品可靠性,检测磁控溅射镀膜的结合力是必要的,因此,如何检测出磁控溅射镀膜的结合力是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术提出一种磁控溅射结合力检测方法,能够通过推力测试检测出磁控溅射镀膜的结合力。
[0004]本专利技术还提出一种磁控溅射结合力检测装置。
[0005]本专利技术还提出一种磁控溅射结合力检测设备。
[0006]本专利技术还提出一种计算机可读存储介质。
[0007]第一方面,本专利技术的一个实施例提供了磁控溅射结合力检测方法,应用于磁控溅射结合力检测装置的主控设备,所述磁控溅射结合力检测装置还包括推刀和载物台,所述主控设备与所述推刀、所述载物台通信连接,所述检测方法包括:
[0008]控制所述载物台移动至预设测试位置;其中,所述载物台上设有基板,所述基板上设有待测件;
[0009]控制所述推刀沿Z轴移动至预设的初始位置,以使所述推刀位于所述待测件正前方;其中,所述初始位置位于所述基板上方;
[0010]控制所述推刀从所述初始位置沿Z轴移动至预设检测位置;
[0011]控制所述载物台以预设测试速度沿X轴向所述推刀方向移动,以使所述待测件与所述推刀接触;
[0012]获取所述推刀剪断所述待测件时所述推刀受到的推力,以得到剪切力;
[0013]获取所述待测件和所述推刀的接触面积,根据所述接触面积和所述剪切力进行推力计算,得到目标结合力。
[0014]本专利技术实施例的磁控溅射结合力检测方法至少具有如下有益效果:将基板和待测件放置于载物台上,通过控制载物台移动将基板和待测件移动至预设测试位置的范围内,控制推刀沿着Z轴进行移动,将推刀移动至在基板上方预设的初始位置,并使得推刀位于待测件的正前方,控制推刀从初始位置沿着Z轴进行移动,使推刀移动至预设检测位置并固定,控制载物台以预设测试速度沿着X轴向推刀的方向进行移动,并使得待测件与推刀接触,实时获取推刀受到待测件推动的推力,当推刀剪断待测件时,将推力当前受到的推力设置为剪切力,获取待测件和推刀完全贴合后的接触面积,根据接触面积和剪切力进行推力计算,得到目标结合力。通过将待测件和推刀移动至测试前的预设位置,然后移动载物台将
待测件与推刀接触后进行推力测试,获取推刀剪断待测件时的推力,得到剪切力,获取待测件与推刀的接触面积,根据接触面积和剪切力进行推力计算得到磁控溅射镀膜的结合力,能够通过推力测试检测出磁控溅射镀膜的结合力。
[0015]根据本专利技术的另一些实施例的磁控溅射结合力检测方法,所述待测件包括保护膜和待测铜柱,在所述控制所述载物台移动至预设测试位置之前,包括:
[0016]根据预设的铜柱规格参数在所述基板上执行预设的磁控溅射镀膜操作,以使所述待测铜柱和所述保护膜结合得到所述待测件。
[0017]根据本专利技术的另一些实施例的磁控溅射结合力检测方法,所述根据预设的铜柱规格参数在所述基板上执行预设的磁控溅射镀膜操作,以使所述待测铜柱和所述保护膜结合得到所述待测件,包括:
[0018]对所述基板的表面进行旋涂,以使所述基板的表面均匀涂抹上凝胶,烘干所述凝胶,以使所述凝胶固化形成凝胶层;
[0019]在所述凝胶层上进行磁控溅射镀膜,以使所述凝胶层镀上所述保护膜;
[0020]根据所述铜柱规格参数在所述保护膜上贴上铜柱膜,以根据所述铜柱膜进行电镀铜,得到所述待测铜柱;
[0021]退去所述铜柱膜,并对所述待测铜柱进行蚀刻,以得到所述待测件。
[0022]根据本专利技术的另一些实施例的磁控溅射结合力检测方法,所述控制所述推刀从所述初始位置沿Z轴移动至预设检测位置,包括:
[0023]控制所述推刀从所述初始位置沿Z轴向下移动以接触所述基板;
[0024]控制所述推刀沿Z轴向上移动所述预设测试高度,以使所述推刀移动至所述预设检测位置。
[0025]根据本专利技术的另一些实施例的磁控溅射结合力检测方法,所述控制所述推刀沿Z轴向上移动所述预设测试高度,以使所述推刀移动至所述预设检测位置,包括:
[0026]获取所述基板阻挡所述推刀继续下降的作用力,得到阻挡力;
[0027]若所述阻挡力大于预设力度值,根据预设上升速度控制所述推刀沿Z轴向上移动所述预设测试高度,以使所述推刀移动至所述预设检测位置。
[0028]根据本专利技术的另一些实施例的磁控溅射结合力检测方法,在获取所述推刀剪断所述待测件时所述推刀受到的推力,以得到剪切力之前,包括:
[0029]若所述待测件未被剪断,根据预设速度值加大所述测试速度,直至所述待测件被剪断。
[0030]根据本专利技术的另一些实施例的磁控溅射结合力检测方法,所述获取所述待测件和所述推刀的接触面积,根据所述接触面积和所述剪切力进行推力计算,得到目标结合力,包括:
[0031]根据金相显微镜测量所述待测件和所述推刀接触区域,得到面积参数;
[0032]根据所述面积参数进行面积计算,以得到所述接触面积;
[0033]将所述接触面积和所述剪切力代入预设的压力计算公式进行推力计算,得到所述目标结合力。
[0034]第二方面,本专利技术的一个实施例提供了磁控溅射结合力检测装置,包括主控设备、推刀和载物台,所述主控设备与所述推刀、所述载物台通信连接,所述磁控溅射结合力检测
装置还包括:
[0035]测试位置移动模块,用于控制所述载物台移动至预设测试位置;其中,所述载物台上设有基板,所述基板上设有待测件;
[0036]初始位置移动模块,用于控制所述推刀沿Z轴移动至预设的初始位置,以使所述推刀位于所述待测件正前方;其中,所述初始位置位于所述基板上方;
[0037]检测位置移动模块,用于控制所述推刀从所述初始位置沿Z轴移动至预设检测位置;
[0038]移动测试模块,用于控制所述载物台以预设测试速度沿X轴向所述推刀方向移动,以使所述待测件与所述推刀接触;
[0039]剪切力获取模块,用于获取所述推刀剪断所述待测件时所述推刀受到的推力,以得到剪切力;
[0040]结合力计算模块,用于获取所述待测件和所述推刀的接触面积,根据所述接触面积和所述剪切力进行推力计算,得到目标结合力。
[0041]本专利技术实施例的磁控溅射结合力检测装置至少具有如下有益效果:将基板和待测件放置于载物台上,测试位置移动模块通过控制载物台移动将基板和待测件移动至预设测试位置的范围内,初始位置移动模块控制推刀沿着Z轴进行移动,将推刀移动至在基板上方预设的初始位置,并使得推刀位于待测件的正前方,检测位置移动模块控制推刀从初始位置沿着Z轴进行移动,使推刀移动至预设检测本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射结合力检测方法,其特征在于,应用于磁控溅射结合力检测装置的主控设备,所述磁控溅射结合力检测装置还包括推刀和载物台,所述主控设备与所述推刀、所述载物台通信连接,所述检测方法包括:控制所述载物台移动至预设测试位置;其中,所述载物台上设有基板,所述基板上设有待测件;控制所述推刀沿Z轴移动至预设的初始位置,以使所述推刀位于所述待测件正前方;其中,所述初始位置位于所述基板上方;控制所述推刀从所述初始位置沿Z轴移动至预设检测位置;控制所述载物台以预设测试速度沿X轴向所述推刀方向移动,以使所述待测件与所述推刀接触;获取所述推刀剪断所述待测件时所述推刀受到的推力,以得到剪切力;获取所述待测件和所述推刀的接触面积,根据所述接触面积和所述剪切力进行推力计算,得到目标结合力。2.根据权利要求1所述的磁控溅射结合力检测方法,其特征在于,所述待测件包括保护膜和待测铜柱,在所述控制所述载物台移动至预设测试位置之前,包括:根据预设的铜柱规格参数在所述基板上执行预设的磁控溅射镀膜操作,以使所述待测铜柱和所述保护膜结合得到所述待测件。3.根据权利要求2所述的磁控溅射结合力检测方法,其特征在于,所述根据预设的铜柱规格参数在所述基板上执行预设的磁控溅射镀膜操作,以使所述待测铜柱和所述保护膜结合得到所述待测件,包括:对所述基板的表面进行旋涂,以使所述基板的表面均匀涂抹上凝胶,烘干所述凝胶,以使所述凝胶固化形成凝胶层;在所述凝胶层上进行磁控溅射镀膜,以使所述凝胶层镀上所述保护膜;根据所述铜柱规格参数在所述保护膜上贴上铜柱膜,以根据所述铜柱膜进行电镀铜,得到所述待测铜柱;退去所述铜柱膜,并对所述待测铜柱进行蚀刻,以得到所述待测件。4.根据权利要求1所述的磁控溅射结合力检测方法,其特征在于,所述控制所述推刀从所述初始位置沿Z轴移动至预设检测位置,包括:控制所述推刀从所述初始位置沿Z轴向下移动以接触所述基板;控制所述推刀沿Z轴向上移动所述预设测试高度,以使所述推刀移动至所述预设检测位置。5.根据权利要求4所述的磁控溅射结合力检测方法,其特征在于,所述控制所述推刀沿Z轴向上移动所述预设测试高度,以使所述推刀移动至所述预设检测位置,包括:获取所述基板阻挡所述推刀继续下降的作用力,得到阻挡力;若所述阻挡力大于预设力度值,根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖洋林楚涛刘湘龙胡梦海
申请(专利权)人:深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1