高透过率的防眩电磁屏蔽膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高透过率的防眩电磁屏蔽膜及其制备方法，该电磁屏蔽膜包括透明薄膜基底、防眩减反增透层和两层金属网栅电磁屏蔽层，两层金属网栅电磁屏蔽层分别布置在防眩减反增透层的上、下表面。该制备方法包括以下步骤：在透明薄膜基底的上表面溅镀第一金属网栅电磁屏蔽层；在第一金属网栅电磁屏蔽层的上表面依次溅镀第一低折射率薄膜层、第一高折射率薄膜层、第二低折射率薄膜层、第二高折射率薄膜层、第三低折射率薄膜层、第三高折射率薄膜层和第四低折射率薄膜层，形成防眩减反增透层；在防眩减反增透层的上表面溅镀第二金属网栅电磁屏蔽层。采用本发明专利技术的技术方案制备的电磁屏蔽膜具有屏蔽效能高、透过率高、吸波性好、耐候性好等优点。耐候性好等优点。耐候性好等优点。

【技术实现步骤摘要】
高透过率的防眩电磁屏蔽膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于光学薄膜
，具体涉及一种高透过率的防眩电磁屏蔽膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着社会发展和生活质量的提高，人们对环境质量及电磁辐射的屏蔽效能也提出了更高的要求，例如随着无线充电的普及，以及5G甚至6G技术的发展，需要屏蔽材料的屏蔽效能大于50dB，并且具有高的透过率。
[0003]通常人们通过在玻璃上直接溅镀或涂覆导电膜来制备电磁屏蔽玻璃，然而采用这种方法制备的电磁屏蔽膜，其电磁屏蔽效能和光学透过率都不满足实际要求。因此，急需开发一种新型的电磁屏蔽膜及其制备方法以解决采用现有技术制备的电磁屏蔽膜的屏蔽效能低、透过率低等问题。
[0004]申请公布号为CN105845203A的专利技术专利公开了一种柔性铜网栅基透明导电薄膜，包含柔性透明衬底、减反增透层和铜网栅导电层，减反增透层布置在柔性透明衬底和铜网栅导电层之间；减反增透层包含低折射率薄膜层和高折射率薄膜层，低折射率薄膜层和高折射率薄膜层交替堆叠，低折射率薄膜层数多于或等于高折射率薄膜层数；铜网栅导电层包含铜网栅层和铜氧化物层，铜氧化物层布置在铜网栅层的上表面或铜网栅层的上、下表面。该技术方案直接在柔性透明衬底上溅镀减反增透层，虽然能够提高衬底的透过率，但是减反增透层直接与柔性透明衬底接触的情况依然不能满足薄膜材料的环境耐候性；在铜金属膜的表面溅镀铜氧化物，虽然能够防止铜金属被氧化，但是增加了薄膜材料的结构复杂性和制作工序，并且仅通过溅镀铜氧化物的方式依然达不到铜金属完全不被氧化的效果；此外，该技术方案不能提高薄膜材料的屏蔽效能和吸波能力。
[0005]申请公布号为CN111477382A的专利技术专利公开了一种多孔金属复合透明导电薄膜及其制备方法，该导电薄膜包括一个透明基底，在透明基底的一侧或两侧的表面上依次制备保护性减反射金属氧化物层、多孔金属导电层和另一个保护性减反射金属氧化物层，多孔金属导电层布置在两个保护性减反射金属氧化物层之间；多孔金属导电层采用掩模法制备，其中掩模材料为聚酰亚胺球。该技术方案通过保护性减反射金属氧化物层和采用掩模法制备多孔金属的方式来防止金属膜被氧化，虽然能够提高金属膜的防氧化能力，但是增加了薄膜的结构复杂性和制作工序，并且仅通过这样的方式依然达不到金属膜完全不被氧化的效果；此外，该技术方案不能提高薄膜的屏蔽效能和吸波能力。

技术实现思路

[0006]为解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种高透过率的防眩电磁屏蔽膜，包括透明薄膜基底、防眩减反增透层和金属网栅电磁屏蔽层；所述金属网栅电磁屏蔽层包括第一金属网栅电磁屏蔽层和第二金属网栅电磁屏蔽层；所述透明薄膜基底、防眩减反增透层和金属网栅电磁屏蔽层的排列顺序自下而上依次为透明薄膜基底、第一金属网栅电磁屏
蔽层、防眩减反增透层和第二金属网栅电磁屏蔽层。
[0007]优选的是，所述透明薄膜基底的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、无机玻璃、有机玻璃中的任一种。
[0008]在上述任一方案中优选的是，所述防眩减反增透层自下而上依次包括第一低折射率薄膜层、第一高折射率薄膜层、第二低折射率薄膜层、第二高折射率薄膜层、第三低折射率薄膜层、第三高折射率薄膜层和第四低折射率薄膜层。
[0009]在上述任一方案中优选的是，所述第一低折射率薄膜层、第二低折射率薄膜层、第三低折射率薄膜层和第四低折射率薄膜层的材料分别为二氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)、二氧化硅(SiO2)和氟化镁(MgF2)。
[0010]在上述任一方案中优选的是，所述第一高折射率薄膜层、第二高折射率薄膜层和第三高折射率薄膜层的材料分别为五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铟锡(In2O3‑
SnO2)和二氧化铪(HfO2)。
[0011]第二高折射率薄膜层，即氧化铟锡薄膜层为透明导电膜，具有减反增透、电磁屏蔽和导电的功能。
[0012]在上述任一方案中优选的是，所述第一金属网栅电磁屏蔽层的材料为铜合金Cu
85
Ni8Ti5Cr2，所述第二金属网栅电磁屏蔽层的材料为铜合金Cu
83
Ni8Ti5Cr2V2。
[0013]由于铜金属的抗氧化能力很弱，在使用过程中，若铜金属与空气接触或者与有机物接触，则铜金属极易被氧化成氧化铜，而氧化铜不再具备良好的电磁波反射性能，从而影响电磁屏蔽膜核心功能层的屏蔽效能。为了能够从根本上解决铜金属被氧化的问题，本专利技术将铜金属进行合金化，并且在表面与空气的接触面、底层与有机基底的接触面采用不同的铜合金成分，这样能够完全防止铜金属层被氧化，从而满足电磁屏蔽膜的环境耐候性。同时由于防眩减反增透层的存在，能够使薄膜具有良好的减反防眩功能和防刮擦性能。
[0014]所述铜合金Cu
85
Ni8Ti5Cr2的制备方法包括如下步骤：
[0015]步骤1：按质量百分比称取纯金属颗粒，Cu为85％、Ni为8％、Ti为5％、Cr为2％，纯度不低于99.99％，将四种纯金属颗粒混合均匀；
[0016]步骤2：将混合均匀后的纯金属颗粒放入真空熔炼炉内进行熔炼，熔炼温度为1450
‑
1500℃，熔炼时间为2
‑
3h，形成铜合金Cu
85
Ni8Ti5Cr2。
[0017]所述铜合金Cu
83
Ni8Ti5Cr2V2的制备方法包括如下步骤：
[0018]步骤A：按质量百分比称取纯金属颗粒，Cu为83％、Ni为8％、Ti为5％、Cr为2％、V为2％，纯度不低于99.99％，将五种纯金属颗粒混合均匀；
[0019]步骤B：将混合均匀后的纯金属颗粒放入真空熔炼炉内进行熔炼，熔炼温度为1450
‑
1500℃，熔炼时间为2
‑
3h，形成铜合金Cu
83
Ni8Ti5Cr2V2。
[0020]在上述任一方案中优选的是，所述透明薄膜基底的厚度为50
‑
125μm。
[0021]在上述任一方案中优选的是，所述第一低折射率薄膜层、第一高折射率薄膜层、第二低折射率薄膜层、第二高折射率薄膜层、第三低折射率薄膜层、第三高折射率薄膜层和第四低折射率薄膜层的厚度分别为195
‑
200nm、18
‑
20nm、35
‑
40nm、120
‑
125nm、25
‑
30nm、15
‑
20nm、60
‑
65nm。
[0022]在上述任一方案中优选的是，所述第一金属网栅电磁屏蔽层的厚度为400
‑
500nm，所述第二金属网栅电磁屏蔽层的厚度为500
‑
600nm。更为优选的是，在第一金属网栅电磁屏
蔽层的厚度为400
‑
500nm、第二金属网栅电磁屏蔽层的厚度为500
‑
600nm本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高透过率的防眩电磁屏蔽膜，包括透明薄膜基底、防眩减反增透层和金属网栅电磁屏蔽层，其特征在于：所述金属网栅电磁屏蔽层包括第一金属网栅电磁屏蔽层和第二金属网栅电磁屏蔽层；所述透明薄膜基底、防眩减反增透层和金属网栅电磁屏蔽层的排列顺序自下而上依次为透明薄膜基底、第一金属网栅电磁屏蔽层、防眩减反增透层和第二金属网栅电磁屏蔽层。2.根据权利要求1所述的高透过率的防眩电磁屏蔽膜，其特征在于：所述透明薄膜基底的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、无机玻璃、有机玻璃中的任一种。3.根据权利要求1所述的高透过率的防眩电磁屏蔽膜，其特征在于：所述防眩减反增透层自下而上依次包括第一低折射率薄膜层、第一高折射率薄膜层、第二低折射率薄膜层、第二高折射率薄膜层、第三低折射率薄膜层、第三高折射率薄膜层和第四低折射率薄膜层。4.根据权利要求3所述的高透过率的防眩电磁屏蔽膜，其特征在于：所述第一低折射率薄膜层、第二低折射率薄膜层、第三低折射率薄膜层和第四低折射率薄膜层的材料分别为二氧化硅、氟化镁、二氧化硅和氟化镁。5.根据权利要求4所述的高透过率的防眩电磁屏蔽膜，其特征在于：所述第一高折射率薄膜层、第二高折射率薄膜层和第三高折射率薄膜层的材料分别为五氧化二钽、氧化铟锡和二氧化铪。6.根据权利要求1所述的高透过率的防眩电磁屏蔽膜，其特征在于：所述第一金属网栅电磁屏蔽层的材料为铜合金Cu
85
Ni8Ti5Cr2，所述第二金属网栅电磁屏蔽层的材料为铜合金Cu
83
Ni8Ti5Cr2V2。7.根据权利要求2所述的高透过率的防眩电磁屏蔽膜，其特征在于：所述透明薄膜基底的厚度为50
‑
125μm。8.根据权利要求5所述的高透过率的防眩电磁屏蔽膜，其特征在于：所述第一低折射率薄膜层、第一高折射率薄膜层、第二低折射率薄膜层、第二高折射率薄膜层、第三低折射率薄膜层、第三高折射率薄膜层和第四低折射率薄膜层的厚度分别为195
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200nm、18
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20nm、35
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40nm、120
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125nm、25
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘宏燕，崔钟祺，伍建华，望咏林，颜悦，
申请(专利权)人：中国航发北京航空材料研究院，
类型：发明
国别省市：