制造半导体薄膜装置的方法制造方法及图纸

本公开涉及一种制造薄膜装置(100)的方法。将多级纳米压印光刻模板(20)转移到薄膜堆叠部中，该薄膜堆叠部包括电极层(11)和对电极层进行覆盖的遮盖牺牲层(12)。对模板进行转移，从而对装置(100)进行图案化，并且使电极的预定的绝缘区域(A2)暴露，同时保留牺牲层的剩余部分(12a)，牺牲层的剩余部分覆盖电极的预定的电接触区域(A1)。执行区域选择性ALD工艺，以用覆盖层选择性地覆盖电极层的暴露区域。在移除牺牲层(12)的剩余部分(12a)之后，使电极层(11)的电接触区域(A1)暴露以进行后续处理。层(11)的电接触区域(A1)暴露以进行后续处理。层(11)的电接触区域(A1)暴露以进行后续处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造半导体薄膜装置的方法


[0001]本公开涉及一种制造半导体薄膜装置的方法。更具体地，本公开涉及包括使用多级纳米压印光刻模板和区域选择性ALD工艺的方法。

技术介绍

[0002]对于更小、性能更高的半导体装置的需求不断增长。制造半导体薄膜装置通常需要多个图案化步骤，每个图案化步骤通常包括一个或多个沉积步骤、光刻步骤和/或蚀刻步骤。随着装置的复杂性(例如，晶体管的数量)的增加，对于图案化方法的限制(例如，关于分辨率)更加严格。同时，存在着减少制造方法的复杂性和/或用于制造半导体装置所需的工艺步骤的总数量的持续驱动。通常，制造(三维)相互连接结构需要多个光刻步骤和蚀刻步骤，例如以选择性地打开电极层的接触区域。例如，TFT的典型工艺流程可以从使用第一掩模来限定栅极结构的第一图案化步骤开始。在TFT上沉积功能层，功能层包括例如绝缘层、半导体层以及源极/漏极接触层。制造源极
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漏极接触结构通常需要另一图案化步骤，例如光刻。随后，限定沟道宽度以及形成接触孔需要另一图案化步骤，另一图案化步骤通常包括沉积另外的光致抗蚀剂层以及使用另外的掩模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.制造半导体薄膜装置(100)的方法，所述方法包括：
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提供包括电极层(11)的薄膜堆叠部(10)，
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沉积对所述电极层(11)进行覆盖的遮盖牺牲层(12)，
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将多级纳米压印光刻模板(20)布置在所述遮盖牺牲层(12)上，其中，所述多级纳米压印光刻模板(20)包括：o至少一个位于第一级(L1)处的第一部分(P1)，所述第一部分对应于所述电极层(11)的预定的电接触区域(A1)，o以及位于第二级(L2)处的第二部分(P2)，所述第二级不同于所述第一级，所述第二部分对应于所述电极层(11)的预定的绝缘区域(A2)，
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将所述多级纳米压印光刻模板(20)转移(T)到所述薄膜堆叠部(10)中，从而对所述薄膜装置(100)进行图案化，并且使所述电极层的所述预定的绝缘区域(A2)暴露，同时保留所述遮盖牺牲层(12)的剩余部分(12a)，所述遮盖牺牲层的剩余部分覆盖所述电极层(11)的所述预定的电接触区域(A1)；
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执行区域选择性ALD工艺(AS
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ALD)，以用由覆盖材料(30m)构成的覆盖层(30)选择性地覆盖所述电极层(11)的暴露区域，所述区域选择性ALD工艺被配置成使得所述覆盖材料(30m)在所述电极层(11)上的沉积速率相比在所述牺牲层(12)上的沉积速率更高，以及
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将所述牺牲层(12)的所述剩余部分(12a)移除，以使所述电极层(11)的所述电接触区域(A1)暴露。2.根据权利要求1所述的方法，其中，
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所提供的薄膜堆叠部(10)包括埋入的另一电极层(17)和绝缘层18，所述绝缘层将所述电极层(11)与所述另一电极层(17)分隔开，并且其中，
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所述多级纳米压印光刻模板(20)包括位于另一级(L3)处的另一部分(P3)...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔费雷多，
申请(专利权)人：荷兰应用自然科学研究组织TNO，
类型：发明
国别省市：