一种倾斜出光的LED封装壳制造技术

本实用新型专利技术涉及一种倾斜出光的LED封装壳，包括主壳体、填充块以及装设于主壳体和填充块之间的导电体，主壳体的上侧开设有用于容置LED晶片的灯槽，导电体包括电极层和引脚，电极层延伸至灯槽内，引脚弯折包裹于填充块上，导电体包括至少一个正电极导电体和至少一个负电极导电体，正电极导电体和负电极导电体的电极层均呈倒V型，倒V型电极层的上坡面与引脚连接，倒V型电极层的下坡面延伸至灯槽内，LED晶片布置下坡面上，由此，使得LED封装壳的出光带有一定倾斜角度，满足客户特定需求，同时上坡面还可起到阻隔水汽渗入防止LED出现受潮死灯现象。灯现象。灯现象。

【技术实现步骤摘要】
一种倾斜出光的LED封装壳


[0001]本技术涉及LED灯封装领域，尤其是指一种倾斜出光的LED封装壳。

技术介绍

[0002]现有的LED晶片封装壳通常包括带灯槽的主壳体、填充块、至少两个不同电极的导电体、LED晶片和封装胶组成，导电体通过是预埋在主壳体和填充块之间，由于LED晶片是正面平放地布置在灯槽底部，LED封装壳为正面出光的封装结构，光型一般为对称的朗伯光型。然而，为满足市面上某些特定需求，如矩阵灯板、灯带边缘的LED具有一定的照射角度，现有技术通常是增加二次光学透镜，或将灯板、灯带边缘倾斜，LED封装壳倾斜放置在灯板、灯带的边缘。但是，采用二次光学透镜将会带来成本和体积的增加，而改变灯板、灯带边缘形状将导致灯板灯带的造型、装配及使用场合等受到限制。此外，户外晨曦环境下，空气中水汽（水分子含量）多，并由于导电体的电极层是水平延伸至灯槽内，水汽容易从金属导电体的引脚的上表面渗入到封装胶与灯槽内底之间的间隙中，水汽容易损坏灯槽内的晶片，使得LED出现受潮死灯现象。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种倾斜出光的LED封装壳，其主要目的在于提供具有一定照射角度的LED封装，满足使用需求，同时还可解决水汽渗入的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：
[0005]一种倾斜出光的LED封装壳，包括主壳体、填充块以及装设于主壳体和填充块之间的导电体，所述主壳体的上侧开设有用于容置LED晶片的灯槽，所述导电体包括电极层和引脚，所述电极层延伸至灯槽内，所述引脚弯折包裹于所述填充块上，所述导电体包括至少一个正电极导电体和至少一个负电极导电体，所述正电极导电体布置在所述主壳体的一侧，所述负电极导电体布置在所述主壳体的另一侧，所述正电极导电体和负电极导电体的电极层均呈倒V型，倒V型电极层的上坡面与引脚连接，倒V型电极层的下坡面延伸至灯槽内，所述LED晶片布置在正电极导电体或负电极导电体的倒V型电极层的下坡面上。
[0006]进一步地，所述电极层上冲压形成用于放置所述LED晶片的晶片凹槽。
[0007]进一步地，所述正电极导电体和负电极导电体的电极层端部之间设有一加强筋。
[0008]进一步地，所述加强筋呈T型，T型加强筋的两端分别压制所述正电极导电体和负电极导电体的电极层端部，T型加强筋的底部延伸至所述填充块内。
[0009]进一步地，所述正电极导电体为三个，三个正电极导电体并排间隔布置在所述主壳体的一侧，所述负电极导电体为三个，三个负电极导电体并排间隔布置在所述主壳体的另一侧。
[0010]进一步地，所述正电极导电体的电极层的长度大于所述负电极导电体的电极层的长度，所述LED晶片放置于所述正电极导电体的电极层上。
[0011]进一步地，所述填充块的下侧面开设有若干个用于所述引脚陷入的避让槽。
[0012]进一步地，所述填充块的下侧面开设有减重槽。
[0013]和现有技术相比，本技术产生的有益效果在于:
[0014]1、本技术正负电极层采用倒V型设计，倒V型上坡面与引脚连接，下坡面斜延伸至灯槽内，LED晶片放置下坡面上，从而使得LED封装壳的出光带有一定倾斜角度，满足客户特定需求，同时电极层的上坡面还可阻隔水汽，使得水汽难以渗入到灯槽内，即空气中水分子无法在灯槽和LED晶片上内凝结水珠，从而避免LED封装受潮损坏。
[0015]2、本技术正负电极层之间设有T型加强筋， T型加强筋可起到压制正、负导电体电极层的作用，防止导电体引脚弯折时或LED封装长期使用后，灯槽内导电体的电极层端部翘起的问题，进而加强LED封装壳的结构紧密连接及稳固性。此外，T型加强筋的顶面高于电极层的顶面，还可防止LED晶片安装时，导电银胶溢出电极层，造成短路的问题。
[0016]3、本技术导电体电极层上冲压形成用于放置LED晶片的晶片凹槽，以便于晶片定位安装及点滴导电银胶。
附图说明
[0017]图1为本技术俯视图。
[0018]图2为图1中A
‑
A方向剖面图。
[0019]图3为本技术仰视图。
[0020]其中，图中标号为：主壳体10，灯槽11，导电体20，正电极导电体201，负电极导电体202，电极层21，引脚22，晶片凹槽23，填充块30，避让槽31，减重槽32，绝缘带40，加强筋50，LED晶片60。
具体实施方式
[0021]下面参照附图说明本技术的具体实施方式。
[0022]参照图1至图3，一种倾斜出光的LED封装壳，包括主壳体10、填充块30、以及装设于主壳体10和填充块30之间的导电体20。主壳体10的上侧开设有用于容置LED晶片60的灯槽11，导电体20包括电极层21和引脚22，电极层21和引脚22一体成型。电极层21延伸至灯槽11内，引脚22弯折包裹于填充块30上。导电体20包括至少一个正电极导电体201和至少一个负电极导电体202，正电极导电体201布置在主壳体10的一侧，负电极导电体202布置在主壳体10的另一侧，正电极导电体201的电极层21或者负电极导电体202的电极层21均采用倒V型设计，倒V型电极层21的上坡面与引脚22一体成型，倒V型电极层21的下坡面延伸至灯槽11内，LED晶片60布置在在正电极导电体201或负电极导电体202的倒V型电极层21的下坡面上。填充块30的下侧面开设有若干个避让槽31，导电体20的引脚22弯折包裹填充块30后，凹陷到避让槽31内，使得导电体20牢牢抓住填充块30，提高封装壳的结构稳固性。填充块30的下侧面还开设有减重槽32，减重槽32用于降低封装壳整体的重量。
[0023]参照图1和图2，本实施例中，正电极导电体201为三个，三个正电极导电体201并排间隔布置在主壳体10的一侧；负电极导电体202为三个，三个负电极导电体202并排间隔布置在主壳体10的另一侧。相邻的导电体20的电极层21之间通过绝缘带40隔离。正电极导电体201的电极层21的长度大于负电极导电体202的电极层21的长度， LED晶片60放置于正电极导电体201的倒V型电极层21的下坡面上。灯槽11内正电极导电体201的电极层21的长度
采用较长设计，一来可以便于放置LED晶片60，二来也便于快速识别导电体20正负极。正、负电极导电体（201、202）的电极层21在灯槽11内形成V型槽底设计，V型槽底设计使得灯槽11空间更大，便于LED晶片60的放置作业；同时配合灯槽11的上宽下窄的喇叭开口，喇叭开口朝向负电极导电体202方向略微倾斜的设计，该设计还可使得LED晶片60倾斜出光时，漫射光更容易被收束倾斜出光。此外，导电体20引脚22是与电极层21上坡面连接，水汽（空气中的水分子）受到上坡面的阻隔，难以渗入到灯槽11内，即水汽无法在灯槽11和LED晶片60上内凝结水珠，从而避免LED封装受潮损坏。
[0024]参照图1和图2，正电极导电体201的倒V型电极层21的下坡面上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倾斜出光的LED封装壳，包括主壳体、填充块以及装设于主壳体和填充块之间的导电体，所述主壳体的上侧开设有用于容置LED晶片的灯槽，所述导电体包括电极层和引脚，所述电极层延伸至灯槽内，所述引脚弯折包裹于所述填充块上，其特征在于：所述导电体包括至少一个正电极导电体和至少一个负电极导电体，所述正电极导电体布置在所述主壳体的一侧，所述负电极导电体布置在所述主壳体的另一侧，所述正电极导电体和负电极导电体的电极层均呈倒V型，倒V型电极层的上坡面与引脚连接，倒V型电极层的下坡面延伸至灯槽内，所述LED晶片布置在正电极导电体或负电极导电体的倒V型电极层的下坡面上。2.根据权利要求 1 所述的一种倾斜出光的LED封装壳，其特征在于：所述电极层上冲压形成用于放置所述LED晶片的晶片凹槽。3.根据权利要求 1 所述的一种倾斜出光的LED封装壳，其特征在于：所述正电极导电体和负电极导电体的电极层端部之间设有一加强筋。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖烨星，
申请(专利权)人：福建鼎珂光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：