本实用新型专利技术提供的高抑制度陶瓷波导滤波器，包括陶瓷谐振器、谐振孔、耦合孔、导电层；通过使耦合孔包括与谐振孔开口方向相同的第一耦合孔，以及方向相反的第二耦合孔，使第一与第二耦合孔相间隔且相对设置，使第一与第二耦合孔开设的深度相交，能够实现电容耦合，从而提升近端抑制，通过在陶瓷谐振器上开设两端部分别与第一耦合孔、第一谐振孔和/或第二谐振孔贯通的耦合槽，使耦合槽为盲槽，在其内壁覆盖导电层，使谐振孔的孔深与耦合槽的槽深正相关，既能够确保陶瓷谐振器的谐振频率在设定范围内，又能够提升对远端频率抑制的能力，实现该陶瓷波导滤波器对近端抑制和远端抑制的兼顾，实现高抑制度。实现高抑制度。实现高抑制度。
【技术实现步骤摘要】
一种高抑制度陶瓷波导滤波器
[0001]本技术涉及通信
，具体涉及一种高抑制度陶瓷波导滤波器。
技术介绍
[0002]陶瓷波导滤波器是滤波器的一种，具有Q值高、插损小、温度稳定性好等特点，特别适合于窄带应用，现有陶瓷波导滤波器大多通过深耦合孔（或者槽）的底部与陶瓷本体之间的介质厚度来实现负耦合，如中国专利CN104604022B就公开了这类滤波器，该方案实现出来的左右两个零点频率位置比较一致，但在实际使用中，通带的两边带外抑制要求可能不一致，有时需要一个零点更高、另一个零点更低，这种方案反而使得产品的设计及生产更难。
[0003]为解决这一问题，现有技术中出现了采用两个相反开口的耦合孔实现电容耦合，以便灵活调节两个零点频率位置的技术方案，如中国专利CN110336104A就公开了这类陶瓷波导滤波器，但该方案仅能提升通带近端侧的频率抑制能力，难以兼顾对通带远端侧频率的抑制，导致陶瓷波导滤波器总体的抑制度不高。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是为了克服现有技术的缺点，提供一种能够兼顾近端抑制和远端抑制的高抑制度陶瓷波导滤波器。
[0005]为达到上述目的，本技术提供的技术方案是，高抑制度陶瓷波导滤波器，包括陶瓷谐振器、开设在所述陶瓷谐振器上的谐振孔及耦合孔，以及，覆盖在所述陶瓷谐振器的表面、所述谐振孔及所述耦合孔的内壁表面的导电层；所述谐振孔用于调整所述陶瓷谐振器的谐振频率，所述谐振孔为盲孔，所述谐振孔包括开口位于所述陶瓷谐振器同一表面的第一谐振孔和第二谐振孔；所述耦合孔为盲孔，所述耦合孔位于所述第一谐振孔和所述第二谐振孔之间；
[0006]所述耦合孔包括开口方向与所述谐振孔的开口方向相同的第一耦合孔，以及开口方向与所述谐振孔的开口方向相反的第二耦合孔，所述第一耦合孔与所述第二耦合孔相间隔且相对设置，所述第一耦合孔与所述第二耦合孔开设的深度构成相交设置，从而实现电容耦合，以提升对近端频率抑制的能力；
[0007]所述高抑制度陶瓷波导滤波器还包括开设在所述陶瓷谐振器上的耦合槽，所述耦合槽为盲槽，所述耦合槽的一端部与所述第一耦合孔贯通，另一端部与所述第一谐振孔和/或所述第二谐振孔贯通，所述耦合槽的内壁也覆盖有所述导电层，所述谐振孔的孔深与所述耦合槽的槽深正相关，这样既能够确保陶瓷谐振器的谐振频率在设定范围内，又能够提升对远端频率抑制的能力。
[0008]优选地，所述第一耦合孔的孔深小于所述第二耦合孔的孔深。
[0009]进一步优选地，所述第一耦合孔的孔深小于所述陶瓷谐振器厚度的二分之一，所述第二耦合孔的孔深大于所述陶瓷谐振器厚度的二分之一。
[0010]优选地，所述第一耦合孔与所述第二耦合孔的尾部正对设置。
[0011]优选地，所述第一耦合孔与所述第二耦合孔的截面形状均为矩形、圆形或半圆形。
[0012]优选地，所述第一谐振孔的孔深大于所述第二谐振孔的孔深。
[0013]优选地，所述第一谐振孔与所述第一耦合孔之间的距离小于所述第二谐振孔与所述第一耦合孔之间的距离。
[0014]优选地，所述耦合槽的槽深越深，与所述耦合槽贯通的谐振孔的孔深越深。
[0015]优选地，所述第一谐振孔、所述第二谐振孔、所述第一耦合孔、所述第二耦合孔的轴心线位于同一平面。
[0016]优选地，所述耦合槽包括第一耦合槽和第二耦合槽，所述第一耦合槽的一端部与所述第一耦合孔贯通，所述第一耦合槽的另一端部与所述第一谐振孔贯通，所述第二耦合槽的一端部与所述第一耦合孔贯通，所述第二耦合槽的另一端部与所述第二谐振孔贯通，所述第一耦合槽与所述第二耦合槽同轴设置，所述第一耦合槽与所述第二耦合槽在轴向方向上的投影相重合。
[0017]优选地，所述耦合槽的截面形状为U形、V形或具有开口的矩形。
[0018]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
[0019]本技术提供的高抑制度陶瓷波导滤波器，包括陶瓷谐振器、开设在陶瓷谐振器上的谐振孔及耦合孔，以及，覆盖在陶瓷谐振器表面、谐振孔及耦合孔内壁表面的导电层；谐振孔与耦合孔均为盲孔，谐振孔包括开口朝向陶瓷谐振器同一侧的第一和第二谐振孔，耦合孔位于第一谐振孔和第二谐振孔之间，通过使耦合孔包括与谐振孔开口方向相同的第一耦合孔，以及方向相反的第二耦合孔，使第一与第二耦合孔相间隔且相对设置，使第一与第二耦合孔开设的深度相交，能够实现电容耦合，从而提升近端抑制，通过在陶瓷谐振器上开设两端部分别与第一耦合孔、第一谐振孔和/或第二谐振孔贯通的耦合槽，使耦合槽为盲槽，在耦合槽内壁覆盖导电层，使谐振孔的孔深与耦合槽的槽深正相关，既能够确保陶瓷谐振器的谐振频率在设定范围内，又能够提升对远端频率抑制的能力，实现该陶瓷波导滤波器对近端抑制和远端抑制的兼顾，实现高抑制度。
附图说明
[0020]图1是本技术实施例一的俯视示意图。
[0021]图2是图1的主视示意图。
[0022]图3是本技术实施例二的俯视示意图。
[0023]图4是本技术实施例三的俯视示意图。
[0024]图5是本技术实施例四的俯视示意图。
[0025]图6是图5的主视示意图。
[0026]图7是本技术实施例五的俯视示意图。
[0027]图8是本技术实施例六的俯视示意图。
[0028]图9是图1的电气性能图。
[0029]其中：10.陶瓷谐振器；21.第一谐振孔；22.第二谐振孔；30.耦合孔；31.第一耦合孔；32.第二耦合孔；40.耦合槽；41.第一耦合槽；42.第二耦合槽；50.导电层。
具体实施方式
[0030]下面结合附图对本技术的技术方案进行详细描述。
[0031]实施例一
[0032]如图1和图2所示，本技术提供的高抑制度陶瓷波导滤波器，包括陶瓷谐振器10、开设在陶瓷谐振器10上的谐振孔及耦合孔，以及，覆盖在陶瓷谐振器10的表面、谐振孔的内壁表面、耦合孔的内壁表面的导电层50；谐振孔用于调整陶瓷谐振器10的谐振频率，谐振孔为盲孔，谐振孔包括开口在陶瓷谐振器10上表面的第一谐振孔21和第二谐振孔22；耦合孔为盲孔，耦合孔位于第一谐振孔21和第二谐振孔22之间，具体地，耦合孔包括开口方向与谐振孔的开口方向相同的第一耦合孔31，以及开口方向与谐振孔的开口方向相反（开口在陶瓷谐振器10的下表面）的第二耦合孔32，第一耦合孔31与第二耦合孔32相间隔且相对设置，第一耦合孔31与第二耦合孔32开设的深度构成相交设置，从而实现电容耦合，以提升对近端频率抑制的能力；该高抑制度陶瓷波导滤波器还包括开设在陶瓷谐振器10上表面的耦合槽40，耦合槽40为盲槽，耦合槽40的一端部与第一耦合孔31贯通，另一端部与第一谐振孔21贯通，谐振孔21的孔深与耦合槽40的槽深正相关，既能够确保陶瓷谐振器10的谐振频率在设定范围内，又能够提升该陶瓷波导滤波器对远端频率抑制的能力，实现该陶瓷波导滤波器对本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高抑制度陶瓷波导滤波器，包括陶瓷谐振器、开设在所述陶瓷谐振器上的谐振孔及耦合孔，以及，覆盖在所述陶瓷谐振器的表面、所述谐振孔及所述耦合孔的内壁表面的导电层；所述谐振孔用于调整所述陶瓷谐振器的谐振频率，所述谐振孔为盲孔，所述谐振孔包括开口位于所述陶瓷谐振器同一表面的第一谐振孔和第二谐振孔；所述耦合孔为盲孔，所述耦合孔位于所述第一谐振孔和所述第二谐振孔之间；其特征在于：所述耦合孔包括开口方向与所述谐振孔的开口方向相同的第一耦合孔，以及开口方向与所述谐振孔的开口方向相反的第二耦合孔，所述第一耦合孔与所述第二耦合孔相间隔且相对设置，所述第一耦合孔与所述第二耦合孔开设的深度构成相交设置；所述高抑制度陶瓷波导滤波器还包括开设在所述陶瓷谐振器上的耦合槽，所述耦合槽为盲槽，所述耦合槽的一端部与所述第一耦合孔贯通，另一端部与所述第一谐振孔和/或所述第二谐振孔贯通，所述耦合槽的内壁也覆盖有所述导电层，所述谐振孔的孔深与所述耦合槽的槽深正相关。2.根据权利要求1所述的高抑制度陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述第一耦合孔的孔深小于所述第二耦合孔的孔深。3.根据权利要求2所述的高抑制度陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述第一耦合孔的孔深小于所述陶瓷谐振器厚度的二分之一，所述第二耦合孔的孔深大于所述陶瓷谐振器厚度的二分之一。4.根据权利要求1所述的高...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱琦，倪玉荣，
申请(专利权)人：江苏灿勤科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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