微型发光二极管制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术作为照射激光而将晶片的微型发光二极管芯片向基板转移的微型发光二极管制造装置，包括：晶片台，其配置所述晶片；基板台，其配置所述基板；下部机台，其在所述基板台下部形成；第一驱动部件，其在基板台形成，使得所述晶片台移动；及第二驱动部件，其在下部机台形成，使得所述基板台移动，并且，形成晶片台可在所述基板台的上部移动的结构，从而，基板台和晶片台能够以下部机台为基准一体地同时移动。晶片台能够以下部机台为基准一体地同时移动。晶片台能够以下部机台为基准一体地同时移动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微型发光二极管制造装置


[0001]本专利技术涉及微型发光二极管制造装置，更详细地，涉及一种形成有构成微型发光二极管制造装置的晶片台和基板台可根据作业状态而一体地移动的结构的微型发光二极管制造装置。

技术介绍

[0002]随着电子设备的标示灯、计算机的数字板、LED TV的背面光和各种照明设备等的使用增多，对于发光二极管的需求也在逐步增加。
[0003]发光二极管是通过向P
‑
N结型二极管提供正向(N型为阳，P型为阴)电压而注入空穴和电子，并通过空穴和电子复合释放能量发光，也称为LED(Light Emitting Diode)，其具有较高的效率，寿命较长，并且，能够大幅节省电力消耗的维修费用，因此，在新生代照明设备应用领域备受瞩目。
[0004]一般而言，制造LED时使用氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)等
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物半导体。
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物半导体的金属稳定性卓越，并具有直接跃迁型的能带(band)结构，因此，最近作为可视光线及紫外线领域的发光元件用物质备受欢迎。
[0005]最近，全球范围内正在进行关于LED的诸多研究而成为热点新闻，而其不仅仅是现有的cm2水准的大面积显示灯用元件，正在开发的LED芯片技术已达到发光面积100μm
×
100μm级以内的微米量级LED芯片。
[0006]但，因开发的微型发光二极管芯片的尺寸太小，为了直接使用所开发的微型发光二极管芯片，将其在应用阶段的基板上能够直接转移元件的转移技术尤为重要。
[0007]为了将微型发光二极管芯片应用为光源的晶格(cell)，最必要的技术是将微型发光二极管芯片向作为显示器元件应用的透明玻璃基板上转移的技术。
[0008]目前为了既能够提高信赖度且迅速地将微型发光二极管芯片向透明玻璃基板上转移，首先，在晶片基板上生长微型发光二极管结构后，利用激光剥离技术(LLO；Laser Lift
‑
Off)将LED结构向玻璃基板转移。
[0009]该转移技术需将晶片基板与玻璃基板之间的间隔维持在100微米以下的情况下进行，因此，在晶片基板和玻璃基板个别地移动的过程中，发生细微的误差，而相互接触等原因存在发生不良的问题。

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的技术问题
[0011]本专利技术的目的为提供一种微型发光二极管制造装置，其形成有能够使得微型发光二极管芯片转移过程中，在晶片基板和玻璃基板的移动时发生的晶片基板与玻璃基板之间的间隔变化形成最小化的结构。
[0012]解决问题的技术方案
[0013]本专利技术提供一种微型发光二极管制造装置，作为照射激光而将晶片的微型发光二
极管芯片向基板转移的微型发光二极管制造装置，包括：晶片台，其配置所述晶片；基板台，其配置所述基板；下部机台，其在所述基板台下部形成；第一驱动部件，其在所述基板台形成，使得所述晶片台移动；及第二驱动部件，其在所述下部机台形成，使得所述基板台移动，并且，形成晶片台可在所述基板台的上部移动的结构，从而，所述基板台和所述晶片台能够以所述下部机台为基准一体地同时移动。
[0014]所述晶片台包括：晶片台下板，其通过所述第一驱动部件向第一方向移动；晶片台上板，其通过在所述晶片台下板形成的第三驱动部件向与所述第一方向不同的第二方向移动；及晶片吸附部，其在所述晶片台上板形成的中央孔周围下部形成。
[0015]所述基板台包括：基板台下板，其通过所述第二驱动部件向第三方向移动；基板台中板，其通过在所述基板台下板形成的第四驱动部件向与所述第三方向不同的第四方向移动；及基板台上板，其能够从所述基板台中板的上部升降地形成。
[0016]在所述基板台中板与所述基板台上板之间的三个位置形成有第一升降部，所述第一升降部包括：球体外壳部，其在所述基板台上板的下面形成，内部为空心球形空间；汽缸部，其形成有向所述球体外壳部引入的球体；及铰链部件，其在所述汽缸部的下部形成。
[0017]在所述基板台下板形成有用于掌握所述基板台下板移动的速度的第一速度传感器，在所述下部机台与所述第一速度传感器相对的位置形成有第一检测部件。
[0018]在所述下部机台上面相对地形成有以字形态的截面形成的第一导引部件和第二导引部件，所述基板台下板的一侧端向所述第一导引部件引入，所述基板台下板的另一侧端向所述第二导引部件引入。
[0019]在所述基板台上板形成有向所述晶片台下板发射超声波而判断所述晶片台下板是否形成水平的第一水平检测传感器和第二水平检测传感器。
[0020]为了检测异物，在所述基板台上板形成有：光发生部，其形成于玻璃基板的一侧；及受光部，其形成于所述玻璃基板的另一侧，接收从光发生部照射的光。
[0021]在所述晶片吸附部形成有第一距离测定传感器和第二距离测定传感器，用于测定晶片吸附部与玻璃基板之间的间隔是否均匀。
[0022]在所述下部机台形成有第二驱动部件即第一直线电动机部，在所述基板台下板形成有接收所述第一直线电动机部的动力而移动的第一移动块。
[0023]在所述晶片台上板的晶片中央孔周围下部形成有第二升降部，在所述第二升降部下部形成有晶片吸附部。
[0024]在所述下部机台的第二驱动部件的一侧形成有导引铁丝，在所述基板台下板形成有包裹所述导引铁丝的环。
[0025]专利技术的效果
[0026]本专利技术具有如下效果：在下部机台的上部形成可移动的基板台的结构，在基板台的上部形成可移动的晶片台的结构，并且，形成以下部机台为基准，基板台和晶片台可一体地移动的结构，并且，形成以下部机台为基准，基板台被固定的状态下，在基板台上部只有晶片台可移动的结构。
[0027]由此，本专利技术具有如下效果：在基板台的上部形成可移动的晶片台的结构，而以下部机台为基准，基板台和晶片台可一体地同时移动，因此，在下部机台的上部形成可移动的基板台的结构，在上部机台形成可移动的晶片台结构，从而，能够解决当基板台和晶片台同
时移动时，无法均匀地维持间隔的问题。
[0028]并且，本专利技术具有如下效果：在基板台的上部形成可移动的晶片台的结构，因此，当晶片台在基板台的上部移动时，能够容易地维持微型发光二极管芯片与玻璃基板部之间的间隔。
附图说明
[0029]图1为表示本专利技术的微型发光二极管制造装置的重要部分的概略侧面图；
[0030]图2为表示晶片的概略正面图；
[0031]图3为表示微型发光二极管芯片被转移过程的第一概念图；
[0032]图4为表示微型发光二极管芯片被转移过程的第二概念图；
[0033]图5为表示本专利技术的微型发光二极管制造装置的一部分的概略立体图；
[0034]图6为表示图5中省略上部机台的状态的概略立体图；
[0035]图7为表示图6中在下部机台形成有基板台下板的状态的概略立体图；
[0036]图8为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微型发光二极管制造装置，作为照射激光而将晶片的微型发光二极管芯片向基板转移的微型发光二极管制造装置，其特征在于，包括：晶片台，其配置所述晶片；基板台，其配置所述基板；下部机台，其在所述基板台下部形成；第一驱动部件，其在所述基板台形成，使得所述晶片台移动；及第二驱动部件，其在所述下部机台形成，使得所述基板台移动，并且，形成所述晶片台可在所述基板台的上部移动的结构，从而，所述基板台和所述晶片台能够以所述下部机台为基准一体地同时移动。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管制造装置，其特征在于，所述晶片台包括：晶片台下板，其通过所述第一驱动部件向第一方向移动；晶片台上板，其通过在所述晶片台下板形成的第三驱动部件向与所述第一方向不同的第二方向移动；及晶片吸附部，其在所述晶片台上板形成的中央孔周围下部形成。3.根据权利要求1或2所述的微型发光二极管制造装置，其特征在于，所述基板台包括：基板台下板，其通过所述第二驱动部件向第三方向移动；基板台中板，其通过在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵晟旭，尹汝赞，
申请(专利权)人：株式会社哈德润姆，
类型：发明
国别省市：