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使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法技术

技术编号:35849054 阅读:11 留言:0更新日期:2022-12-07 10:31
本发明专利技术涉及一种使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法,即,在半导体生产线中,若在以安装半导体晶圆箱体的状态进行作业的装载台发生提取晶圆的操作臂发生损坏或故障及错误等情况下或需要进行预防性维护(在发生突发故障之前停止设备并提前进行检查、修理的作业行为)等正常制造工序运行前测试,则重新进行示教。行示教。行示教。

【技术实现步骤摘要】
使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法


[0001]本专利技术涉及一种使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法,即,在半导体生产线中,若在以安装半导体晶圆箱体的状态进行作业的装载台发生提取晶圆(Wafer)的操作臂(IndexArm)发生损坏或故障及错误等情况下或需要进行预防性维护(PreventiveMaintenance,在发生突发故障之前停止设备并提前进行检查、修理的作业行为)等正常制造工序运行前测试,则重新进行示教(Teaching),更详细地涉及如下的使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法,即,在为了重新设置操作臂等制造设备而进行示教作业时,可在示教时便捷、准确地确认到如下的操作臂与晶圆之间的操作关系,准确而便捷地实施操作臂的位置测量及校准,不仅如此,还可便捷地确认操作臂和晶圆是否位于准确的夹持位置并是否能通过操作臂准确地插入安装或提取晶圆等。
[0002]换句话说,本专利技术涉及如下的使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法,即,在半导体生产线中,在因操作臂发生损坏或故障及错误等而导致工序停止运转并为了重新运转而需设置设备时,通过预先确认、检查及校准是否能通过操作臂从半导体晶圆箱体(以下,简称“箱体”)准确地夹持晶圆来提取及安装,从而设置操作臂的设备。

技术介绍

[0003]通常,在半导体制造工序中,在向收纳安装多个晶圆的箱体(即,FrontOpeningUnifiedPod,也称为“FOUP”)插入安装或从中提取半导体晶圆的操作臂等设备发生损坏或故障及错误等的情况下,以往都会在停止制造工序的运转并重新更换或修理设备后,会为了预先检查操作臂是否能正常从箱体准确地提取或插入安装晶圆,通过使用箱体进行示教。
[0004]作为一列,在韩国授权专利公报授权号10

0293906号的附图1中,上述箱体被标为“树脂薄板收纳容器”。
[0005]但是,箱体本身在半导体制造生产线中用于在收纳安装半导体晶圆后进行供给及移送,在将这种箱体作为示教用使用的情况下,会在示教作业时难以明确地确认操作臂是否准确地夹持晶圆并正常执行插入安装或提取,或者难以明确地确认操作臂与晶圆之间的操作关系是否准确,而且不方便、作业性变差。
[0006]即,难以精密测量及校准操作臂的高度或直线度、水平、中心、倾斜度及位置等且不方便,所以会发生需在设置设备后工序运行时重新进行示教的情况。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献0001:韩国授权专利公报授权号10

0293906号(2001年11月22日公告)

技术实现思路

[0010]由此,本专利技术用于解决上述问题,而本专利技术的目的在于,提供一种用于半导体晶圆示教的测量仪,即,在为了重新设置操作臂等制造设备而进行示教作业时,可在示教时便
捷、准确地确认到如下的操作臂与晶圆之间的操作关系,准确而便捷地实施操作臂的位置测量及校准,不仅如此,还可通过自动检测传感器精密、便捷地确认操作臂和晶圆是否位于准确的夹持位置并是否能通过操作臂准确地插入安装或提取晶圆等。
[0011]作为实现本专利技术的上述目的的实施例,本专利技术的用于半导体晶圆示教的测量仪包括:支架轴,在支撑板上,竖立设置于两侧,在上部和下部形成有用于插入安装半导体晶圆的多个支架槽(Slot);止挡件轴,竖立设置在上述支架轴的后方两侧部,用于使半导体晶圆固定在准确位置;以及框架顶板,固设于上述支架轴和止挡件轴的上端部,而上述支架轴的支架槽由搁架台肩形成,上述搁架台肩在入口处形成有倾斜部,在搁架台肩上,向两侧突出形成安装半导体晶圆的支撑台肩,在上述止挡件轴形成有支撑台肩,以在与上述支撑台肩相同的水平线上安装半导体晶圆,在上述支架轴的前方侧设置位置测量装置,上述位置测量装置在两侧固设导轨,以通过轨块进行引导的方式在上述导轨插入设置具有止挡件的测量固定块,以能够通过铰链轴转动的方式在上述测量固定块设置标有位置刻度的测量板,在上述止挡件和测量板分别固设极性不同的磁体,在上述测量固定块10的末端固设刻度指示尖部,在两侧的上述刻度指示尖部的前方配置有刻度板,在上述支撑板的前方设置用于测量水平状态的水平测量等级计量仪,在上述支撑板的规定位置设置用于在示教时将支撑板固定到桩钉的孔块,在上述支撑板的两侧设置用于搬运或示教时进行移动等的把手。
[0012]在两侧的上述支架轴之间固设内置有中央处理器的控制箱,上述中央处理器配置有用于执行检测功能及测量功能的程序,在上述控制箱的后表面配置有触摸显示面板,可通过显示测量值来查看并通过触摸来操作,在两侧的上述支架轴的下部的两侧,分别配置第一激光传感器及第二激光传感器和第三激光传感器及第四激光传感器,上述第一激光传感器及第二激光传感器用于测量半导体晶圆的左右偏差,上述第三激光传感器及第四激光传感器用于测量半导体晶圆的左右倾斜度,在配置在两侧的上述支架轴的上侧部的框架顶板的两侧,配置第五激光传感器及第六激光传感器和第七激光传感器及第八激光传感器,上述第五激光传感器及第六激光传感器用于测量半导体晶圆的左右偏差,上述第七激光传感器及第八激光传感器用于测量半导体晶圆的左右倾斜度,在两侧的上述支架轴的后方下侧中心部配置第九激光传感器和第十激光传感器,上述第九激光传感器用于测量半导体晶圆的深度,上述第十激光传感器用于测量半导体晶圆的前后倾斜度,在配置在两侧的上述支架轴的上侧部的框架顶板的中心部,配置第十一激光传感器和第十二激光传感器,上述第十一激光传感器用于测量半导体晶圆的深度,上述第十二激光传感器用于测量半导体晶圆的前后倾斜度。
[0013]作为实现本专利技术的上述目的的另一实施例,本专利技术的使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法包括:第一步骤,通过操作测量仪的电源开关来实现开启(ON);第二步骤,随着通过操作上述电源开关来开启测量仪,窗口(Window)启动及测量程序自动开始工作;第三步骤,随着上述测量程序的工作,执行自动初始化工作;第四步骤,随着根据上述测量程序的工作来执行自动初始化工作,从而完成初始化;第五步骤,在完成上述初始化的步骤中,当半导体晶圆开始进入到支架槽时,开始进行半导体晶圆的放入检测,通过下部侧的第一激光传感器及第二激光传感器和上部侧的第五激光传感器及第六激光传感器测量半导体晶圆的左右偏差,若超出偏差范围,则无法进行半导体晶圆的放入并重新返回初始化的步骤,若不超出偏差范围,则开始进行半导体晶圆的放入,从而测量左右偏差;第六步骤,
在测量上述半导体晶圆的左右偏差时,若不超出偏差范围,则通过下部侧的第三激光传感器及第四激光传感器和上部侧的第七激光传感器及第八激光传感器测量半导体晶圆的左右倾斜度,若不超出偏差范围,则开始进行半导体晶圆的进入;第七步骤,在经过上述半导体晶圆开始进入的第六步骤进行进入后,通过下部侧的第一激光传感器及第二激光传感器和上部侧的第五激光传感器及第六激光传感器以及下部侧的第三激光传感器及第四激光传感器和上部侧的第七激光传感器及第八激光传感器测量半导体晶圆的左右进入偏差和左右倾斜本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法,其特征在于,包括:第一步骤,通过操作测量仪的电源开关来实现开启;第二步骤,随着通过操作上述电源开关来开启测量仪,窗口启动及测量程序自动开始工作;第三步骤,随着上述测量程序的工作,执行自动初始化工作;第四步骤,随着根据上述测量程序的工作来执行自动初始化工作,从而完成初始化;第五步骤,在完成上述初始化的步骤中,当半导体晶圆开始进入到支架槽时,开始进行半导体晶圆的放入检测,通过下部侧的第一激光传感器及第二激光传感器和上部侧的第五激光传感器及第六激光传感器测量半导体晶圆的左右偏差,若超出偏差范围,则无法进行半导体晶圆的放入并重新返回初始化的步骤,若不超出偏差范围,则开始进行半导体晶圆的放入,从而测量左右偏差;第六步骤,当在上述第五步骤中测量半导体晶圆的左右偏差时,若不超出偏差范围,则通过下部侧的第三激光传感器及第四激光传感器和上部侧的第七激光传感器及第八激光传感器测量半导体晶圆的左右倾斜度,即,半导体晶圆的左侧高低或右侧高低,若不超出偏差范围,则开始进行半导体晶圆的进入;第七步骤,在经过上述半导体晶圆开始进入的第六步骤进行进入后,通过下部侧的第一激光传感器及第二激光传感器和上部侧的第五激光传感器及第六激光传感器以及下部侧的第三激光传感器及第四激光传感器和上部侧的第七激光传感器及第八激光传感器来在上部和下部分别测量半导体晶圆的左右进入偏差和左右倾斜度,并测量高度,若测量值不超出偏差范围,则执行完全进入;以及第八步骤,若上述半导体晶圆完全完成进入,则通过后方部下侧的第九激光传感器和上侧部的第十一激光传感器执行深度测量,通过下侧的第十激光传感器和第三激光传感器及第四激光传感器执行半导体晶圆的前后倾斜度测量,即,半导体晶圆的前侧高低或后侧高低,并且,通过上侧的第十二激光传感器和第七激光传感器及第八激光传感器执行半导体晶圆的前后倾斜度测量,若测量值不超出偏差范围,则结束测量。2.一种使用测量仪的用于半导体晶圆示教的测量方法,其特征在于,包括:第一步骤,通过操作测量仪的电源开关来实现开启;第二步骤,随着通过操作上述电源开关来开启测量仪,窗口启动及测量程序自动开始工作;第三步骤,随着上述测量程序的工作,执行自动初始化工作;第四步骤,随着根据上述测量程序的工作来执行自动初始化工作,从而完成初始化;第五步骤,在完成上述初始化的步骤中,当半导体晶圆开始进入到支架槽时,开始进行半导体晶圆的放入检测,通过下部侧的第一激光传感器及第二激光传感器测量半导体晶圆的左右偏差,若超出偏差范围,则无法进行半导体晶圆的放入并...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁炳铁
申请(专利权)人:丁炳铁
类型:发明
国别省市:

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